GD720HTA120P6HLT, IGBT 모듈, STARPOWER

소개

간략한 소개

IGBT 모듈 ,생산자 STARPOWER . 1200V 720A.

특징

낮은 VCE(sat) 트렌치 IGBT 기술
저변화 손실
4μs 단락 회로 능력
양의 온도 계수와 함께하는 VCE(sat)
최대 접합 온도 175oC
낮은 인덕턴스 케이스
빠른 & 부드러운 역 회수 반 병렬 FWD
Si3N4AMB 기술을 사용한 격리된 구리 핀핀 베이스플레이트

전형적 응용

자동차용 애플리케이션
하이브리드 및 전기차
모터 드라이브용 인버터

절대 최대 등급 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

IGBT

상징	설명	가치	UNIT
V CES	컬렉터-이미터 전압	1200	V
V GES	게이트-이미터 전압	±20	V
I CN	구현된 집합기 Cu 임대료	720	A
I C	콜렉터 전류 @ T F =65 O C	600	A
I 센티미터	펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms	1440	A
전 D	최대 전력 소산 이온 @ T F =75 O C T vj =175 O C	1204	W

다이오드

상징	설명	가치	UNIT
V RRM	반복적 피크 역전압 GE	1200	V
I FN	구현된 집합기 Cu 임대료	720	A
I F	다이오드 연속 정방향 Cu 임대료	600	A
I Fm	다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms	1440	A

모듈

상징	설명	가치	UNIT
T vjmax	최대 분기 온도	175	O C
T vjop	작동 환절 온도 연속 주기 내 10초 동안 30초의 발생 최대 3000회 수명 동안 나	-40에서 +150 +150 ~ +175	O C
T STG	보관 온도 범위	-40에서 +125	O C
V iso	격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분	3000	V

IGBT 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
V CE (sat)	수집자로부터 발산자 포화전압	I C =600A,V GE =15V, T vj =25 O C		1.50		V
		I C =600A,V GE =15V, T vj =150 O C		1.80
		I C =600A,V GE =15V, T vj =175 O C		1.85
		I C =720A,V GE =15V, T vj =25 O C		1.60
		I C =720A,V GE =15V, T vj =175 O C		2.05
V GE (번째 )	게이트 발산자 문 전압	I C =15.6 mA ,V CE = V GE , T vj =25 O C		6.0		V
I CES	수집가 절단 -끄다 전류	V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 O C			1.0	mA
I GES	게이트 발사자 누출 전류	V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C			400	부적절함
R Gint	내부 게이트 저항			1.67		Ω
C ies	입력 용량	V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V		48.7		NF
C 소	출력 용량			1.55		NF
C res	역전환 용량			0.26		NF
Q g	게이트 요금	V CE =800V,I C =600A, V GE =-8...+15V		3.52		μC
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =800V,I C =600A, R Gon =3.0Ω, R 고프 =1.0Ω, L s =24nH, V GE =-8V/+15V T vj =25 O C		208		NS
T R	상승 시간			65		NS
T d(off)	그림 지연 시간			505		NS
T F	하강 시간			104		NS
이 에	켜 Switching 손실			77.7		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			62.2		mJ
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =800V,I C =600A, R Gon =3.0Ω, R 고프 =1.0Ω, L s =24nH, V GE =-8V/+15V T vj =150 O C		225		NS
T R	상승 시간			75		NS
T d(off)	그림 지연 시간			567		NS
T F	하강 시간			191		NS
이 에	켜 Switching 손실			110		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			83.4		mJ
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =800V,I C =600A, R Gon =3.0Ω, R 고프 =1.0Ω, L s =24nH, V GE =-8V/+15V T vj =175 O C		226		NS
T R	상승 시간			77		NS
T d(off)	그림 지연 시간			583		NS
T F	하강 시간			203		NS
이 에	켜 Switching 손실			118		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			85.9		mJ
I SC	SC 데이터	T 전 ≤4μs, V GE =15V, T vj =175 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V		2600		A

다이오드 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
V F	다이오드 앞 전압	I F =600A,V GE =0V,T vj =2 5O C		1.95		V
		I F =600A,V GE =0V,T vj =150 O C		1.95
		I F =600A,V GE =0V,T vj =175 O C		1.90
		I F =720A,V GE =0V,T vj =2 5O C		2.05
		I F =720A,V GE =0V,T vj =175 O C		2.05
Q R	회복 전하	V R =800V,I F =600A, -di/dt=8281A/μs, L s =24n H, V GE =-8V, T vj =25 O C		44.3		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			346		A
이 rec	역회복 에너지			16.2		mJ
Q R	회복 전하	V R =800V,I F =600A, -di/dt=6954A/μs, L s =24n H, V GE =-8V, T vj =150 O C		73.4		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			385		A
이 rec	역회복 에너지			27.8		mJ
Q R	회복 전하	V R =800V,I F =600A, -di/dt=6679A/μs, L s =24n H, V GE =-8V, T vj =175 O C		80.7		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			392		A
이 rec	역회복 에너지			30.7		mJ

NTC 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
R 25	등급 저항			5.0		kΩ
∆R/R	오차 of R 100	T C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
전 25	전력 소산				20.0	mW
B 25/50	B값	R 2=R 25경험치 [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		k
B 25/80	B값	R 2=R 25경험치 [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		k
B 25/100	B값	R 2=R 25경험치 [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		k

모듈 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
L CE	방랑 인덕턴스		8		nH
R CC+EE	모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로		0.75		mΩ
전	냉각회로에서 최대 압력 쿠잇 T 베이스플레이트 <40 O C T 베이스플레이트 >40 O C (상대 압력)			2.5 2.0	바
R thJF	교차점 -에 -냉각 유체 (perIGBT )접합-냉각 유체 (per Di 오드) △ V/ △ t=10.0 dm 3/분 ,T F =75 O C		0.072 0.104	0.083 0.120	K/W
m	단자 연결 토크, 스크루브 M5 장착 토크, 나사 M4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.M
g	무게 of 모듈		750		g