GD600HTA120P6HT, IGBT 모듈, STARPOWER

소개

간략한 소개

IGBT 모듈 ,생산자 STARPOWER . 1200V 600A.

특징

낮은 VCE(sat) 트렌치 IGBT 기술
저변화 손실
6μs 단회로 능력
양의 온도 계수와 함께하는 VCE(sat)
최대 접합 온도 175oC
낮은 인덕턴스 케이스
빠른 & 부드러운 역 회수 반 병렬 FWD
Si3N4AMB 기술을 사용한 격리된 구리 핀핀 베이스플레이트

전형적 응용

자동차용 애플리케이션
하이브리드 및 전기차
모터 드라이브용 인버터

절대 최대 등급 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

IGBT

상징	설명	가치	UNIT
V CES	컬렉터-이미터 전압	1200	V
V GES	게이트-이미터 전압	±20	V
I CN	구현된 집합기 Cu 임대료	600	A
I C	콜렉터 전류 @ T F =90 O C	450	A
I 센티미터	펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms	1200	A
전 D	최대 전력 소산 이온 @ T F =75 O C T j =175 O C	1075	W

다이오드

상징	설명	가치	UNIT
V RRM	반복적 피크 역전압 GE	1200	V
I FN	구현된 집합기 Cu 임대료	600	A
I F	다이오드 연속 정방향 Cu 임대료	450	A
I Fm	다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms	1200	A

모듈

상징	설명	가치	UNIT
T jmax	최대 분기 온도	175	O C
T jop	작동 환절 온도 연속 주기 내 10초 동안 30초의 발생 최대 3000회 수명 동안 나	-40에서 +150 +150 ~ +175	O C
T STG	보관 온도 범위	-40에서 +125	O C
V iso	격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분	2500	V
D 크립	터미널에서 히트싱크로 터미널에서 터미널	9.0 9.0	mm
D 투명	터미널에서 히트싱크로 터미널에서 터미널	4.5 4.5	mm

IGBT 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
V CE (sat)	수집자로부터 발산자 포화전압	I C =450A,V GE =15V, T j =25 O C		1.40		V
		I C =450A,V GE =15V, T j =150 O C		1.65
		I C =450A,V GE =15V, T j =175 O C		1.70
		I C =600A,V GE =15V, T j =25 O C		1.60
		I C =600A,V GE =15V, T j =150 O C		1.90
		I C =600A,V GE =15V, T j =175 O C		2.00
V GE (번째 )	게이트 발산자 문 전압	I C =15.6 mA ,V CE = V GE , T j =25 O C		6.4		V
I CES	수집가 절단 -끄다 전류	V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 O C			1.0	mA
I GES	게이트 발사자 누출 전류	V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C			400	부적절함
R Gint	내부 게이트 저항			1.67		Ω
C ies	입력 용량	V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V		81.2		NF
C 소	출력 용량			1.56		NF
C res	역전환 용량			0.53		NF
Q g	게이트 요금	V CE =600V,I C =600A, V GE =-8...+15V		5.34		μC
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =600V,I C =600A, R Gon =1.0Ω, R 고프 =2.2Ω, L s =22nH, V GE =-8V/+15V T j =25 O C		290		NS
T R	상승 시간			81		NS
T d(off)	그림 지연 시간			895		NS
T F	하강 시간			87		NS
이 에	켜 Switching 손실			53.5		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			47.5		mJ
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =600V,I C =600A, R Gon =1.0Ω, R 고프 =2.2Ω, L s =22nH, V GE =-8V/+15V T j =150 O C		322		NS
T R	상승 시간			103		NS
T d(off)	그림 지연 시간			1017		NS
T F	하강 시간			171		NS
이 에	켜 Switching 손실			84.2		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			63.7		mJ
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =600V,I C =600A, R Gon =1.0Ω, R 고프 =2.2Ω, L s =22nH, V GE =-8V/+15V T j =175 O C		334		NS
T R	상승 시간			104		NS
T d(off)	그림 지연 시간			1048		NS
T F	하강 시간			187		NS
이 에	켜 Switching 손실			89.8		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			65.4		mJ
I SC	SC 데이터	T 전 ≤6μs, V GE =15V,		2000		A
		T j =175 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

다이오드 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
V F	다이오드 앞 전압	I F =450A,V GE =0V,T j =25 O C		1.80		V
		I F =450A,V GE =0V,T j =1 50O C		1.75
		I F =450A,V GE =0V,T j =1 75O C		1.70
		I F =600A,V GE =0V,T j =25 O C		1.95
		I F =600A,V GE =0V,T j =1 50O C		1.95
		I F =600A,V GE =0V,T j =1 75O C		1.90
Q R	회복 전하	V R =600V,I F =600A, -di/dt=7040A/μs,V GE =-8V L s =22 nH ,T j =25 O C		22.5		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			304		A
이 rec	역회복 에너지			10.8		mJ
Q R	회복 전하	V R =600V,I F =600A, -di/dt=5790A/μs,V GE =-8V L s =22 nH ,T j =150 O C		46.6		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			336		A
이 rec	역회복 에너지			18.2		mJ
Q R	회복 전하	V R =600V,I F =600A, -di/dt=5520A/μs,V GE =-8V L s =22 nH ,T j =175 O C		49.8		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			346		A
이 rec	역회복 에너지			19.8		mJ

NTC 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
R 25	등급 저항			5.0		kΩ
∆R/R	오차 of R 100	T C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
전 25	전력 소산				20.0	mW
B 25/50	B값	R 2=R 25경험치 [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		k
B 25/80	B값	R 2=R 25경험치 [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		k
B 25/100	B값	R 2=R 25경험치 [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		k

모듈 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
L CE	방랑 인덕턴스		8		nH
R CC+EE	모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로		0.75		mΩ
전	냉각 회로에서의 최대 압력 아뇨			2.5	바
R thJF	교차점 -에 -냉각 유체 (perIGBT )접합부-냉각 유체 (D당) 요오드) △ V/ △ t=10.0 dm 3/분 ,T F =75 O C		0.081 0.118	0.093 0.136	K/W
m	단자 연결 토크, 스크루브 M5 장착 토크, 나사 M4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.M
g	무게 of 모듈		750		g