GD600HFX120C2SAD_B20, IGBT 모듈, STARPOWER

소개

간략한 소개

IGBT 모듈 ,생산자 STARPOWER . 1200V 600A.

특징

낮은 VCE(sat) 트렌치 IGBT 기술
10μs 단회로 능력
양의 온도 계수와 함께하는 VCE(sat)
최대 접합 온도 175oC
낮은 인덕턴스 케이스
빠른 & 부드러운 역 회수 반 병렬 FWD
HPS DBC 기술을 사용한 격리된 구리 베이스 플레이트

전형적 응용

모터 드라이브용 인버터
AC 및 DC 서보 드라이브 앰프
비상 전원 공급 장치

절대 최대 등급 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

IGBT

상징	설명	가치	UNIT
V CES	컬렉터-이미터 전압	1200	V
V GES	게이트-이미터 전압 일시적인 게이트-에미터 전압	±20 ±30	V
I C	콜렉터 전류 @ T C =25 O C @ T C =100 O C	1096 600	A
I 센티미터	펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms	1200	A
전 D	최대 전력 분산 @ T vj =175 O C	3947	W

다이오드

상징	설명	가치	UNIT
V RRM	반복적 피크 역전압 연령	1200	V
I F	다이오드 연속 전방 전류 엔트	600	A
I Fm	다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms	1200	A

모듈

상징	설명	가치	UNIT
T vjmax	최대 분기 온도	175	O C
T vjop	작동점 온도	-40에서 +150	O C
T STG	보관 온도 범위	-40에서 +125	O C
V iso	격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분	4000	V

IGBT 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
V CE (sat)	수집자로부터 발산자 포화전압	I C =600A,V GE =15V, T vj =25 O C		1.70	2.15	V
		I C =600A,V GE =15V, T vj =125 O C		2.05
		I C =600A,V GE =15V, T vj =150 O C		2.15
V GE (번째 )	게이트 발산자 문 전압	I C =24.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I CES	수집가 절단 -끄다 전류	V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 O C			1.0	mA
I GES	게이트 발사자 누출 전류	V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C			400	부적절함
R Gint	내부 게이트 저항			1.25		Ω
C ies	입력 용량	V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V		64.7		NF
C res	역전환 용량	V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V		1.88		NF
Q g	게이트 요금	V GE =-15...+15V		5.38		μC
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =600V,I C =600A, R g =1.5Ω, L s =50 nH , V GE =±15V,T vj =25 O C		314		NS
T R	상승 시간			105		NS
T d(off)	그림 지연 시간			527		NS
T F	하강 시간			151		NS
이 에	켜 Switching 손실			63.7		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			53.3		mJ
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =600V,I C =600A, R g =1.5Ω, L s =50 nH , V GE =±15V,T vj =125 O C		350		NS
T R	상승 시간			117		NS
T d(off)	그림 지연 시간			591		NS
T F	하강 시간			315		NS
이 에	켜 Switching 손실			96.5		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			72.2		mJ
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =600V,I C =600A, R g =1.5Ω, L s =50 nH , V GE =±15V,T vj =150 O C		359		NS
T R	상승 시간			120		NS
T d(off)	그림 지연 시간			604		NS
T F	하강 시간			328		NS
이 에	켜 Switching 손실			105		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			75.6		mJ
I SC	SC 데이터	T 전 ≤10μs, V GE =15V, T vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V		2400		A

다이오드 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
V F	다이오드 앞 전압	I F =600A,V GE =0V,T vj =2 5O C		1.65	2.10	V
		I F =600A,V GE =0V,T vj =125 O C		1.65
		I F =600A,V GE =0V,T vj =150 O C		1.60
Q R	회복 전하	V R =600V,I F =600A, -di/dt=5130A/μs, L s =50nH, V GE =-15V,T vj =25 O C		38.6		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			313		A
이 rec	역회복 에너지			10.8		mJ
Q R	회복 전하	V R =600V,I F =600A, -di/dt=4440A/μs, L s =50nH, V GE =-15V,T vj =125 O C		76.1		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			368		A
이 rec	역회복 에너지			22.5		mJ
Q R	회복 전하	V R =600V,I F =600A, -di/dt=4240A/μs, L s =50nH, V GE =-15V,T vj =150 O C		88.9		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			387		A
이 rec	역회복 에너지			26.2		mJ

모듈 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
L CE	방랑 인덕턴스		20		nH
R CC+EE	모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지		0.42		mΩ
R thJC	교차점 -에 -사례 (perIGBT ) 부대와 부대 (D당) 요오드)			0.038 0.068	K/W
R thCH	케이스-히트싱크 (per IGBT) 케이스-온도 싱크장 (pe) r 다이오드) 케이스-열기 싱크장 (M당) 오두엘)		0.031 0.056 0.010		K/W
m	단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 나사 M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
g	무게 of 모듈		320		g