GD600HFX120C2SA , IGBT 모듈, STARPOWER

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

일시적인 게이트-에미터 전압

±20 ±30

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 O C @ T C =100 O C

925

600

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

1200

A

전 D

최대 전력 분산 @ T j =175 O C

3000

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

V

I F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

600

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

1200

A

상징

설명

가치

UNIT

T jmax

최대 분기 온도

175

O C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

O C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

O C

V iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t= 1분

4000

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C =600A,V GE =15V, T j =25 O C

1.65

2.00

V

I C =600A,V GE =15V, T j =125 O C

1.95

I C =600A,V GE =15V, T j =150 O C

2.00

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =24.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 O C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항

1.25

Ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

60.8

NF

C res

역전환 용량

1.84

NF

Q g

게이트 요금

V GE =-15...+15V

4.64

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =600A, R g =1.2Ω, L s =34 nH , V GE =±15V,T j =25 O C

339

NS

T R

상승 시간

95

NS

T d(off)

그림 지연 시간

468

NS

T F

하강 시간

168

NS

이 에

켜 Switching 손실

63.7

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

56.4

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =600A, R g =1.2Ω, L s =34 nH , V GE =±15V,T j =125 O C

418

NS

T R

상승 시간

135

NS

T d(off)

그림 지연 시간

567

NS

T F

하강 시간

269

NS

이 에

켜 Switching 손실

108

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

72.3

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =600A, R g =1.2Ω, L s =34 nH , V GE =±15V,T j =150 O C

446

NS

T R

상승 시간

151

NS

T d(off)

그림 지연 시간

602

NS

T F

하강 시간

281

NS

이 에

켜 Switching 손실

123

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

78.2

mJ

I SC

SC 데이터

T 전 ≤10μs, V GE =15V,

T j =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞 전압

I F =600A,V GE =0V,T j =25 O C

1.85

2.30

V

I F =600A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.90

I F =600A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.95

Q R

회복 전하

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=5210A/μs,V GE =-15V, L s =34 nH ,T j =25 O C

49.3

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

300

A

이 rec

역회복 에너지

24.1

mJ

Q R

회복 전하

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=3490A/μs,V GE =-15V, L s =34 nH ,T j =125 O C

85.2

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

314

A

이 rec

역회복 에너지

33.8

mJ

Q R

회복 전하

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=3080A/μs,V GE =-15V, L s =34 nH ,T j =150 O C

102

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

318

A

이 rec

역회복 에너지

36.8

mJ

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지

0.35

mΩ

R thJC

교차점 -에 -사례 (perIGBT ) 부대와 부대 (D당) 요오드)

0.050 0.080

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT) 케이스-온도 싱크장 (pe) r 다이오드) 케이스-열기 싱크장 (M당) 오두엘)

0.033 0.052 0.010

K/W

m

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 나사 M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

g

무게 of 모듈

300

g