GD50PIX170C6SA,IGBT 모듈,STARPOWER

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1700

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 O C @ T C =100 O C

100

50

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

100

A

전 D

최대 전력 분산 @ T j =175 O C

384

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1700

V

I F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

50

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

100

A

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1600

V

I O

평균 출력 전류 5 0Hz/60Hz, 사인파

50

A

I FSM

돌파 전방 전류 V R =0V,T 전 =10ms,T j =45 O C

850

A

I 2T

I 2t값,V R =0V,T 전 =10m s,T j =45 O C

3610

A 2s

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1700

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 O C @ T C =100 O C

100

50

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

100

A

전 D

최대 전력 분산 @ T j =175 O C

384

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1700

V

I F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

50

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

100

A

상징

설명

가치

UNIT

T jmax

최대 접합부 온도(인버터, 브레이크) 최대 접합부 온도 (정류기)

175

150

O C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

O C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

O C

V iso

격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분

4000

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C =50A,V GE =15V, T j =25 O C

1.85

2.20

V

I C =50A,V GE =15V, T j =125 O C

2.25

I C =50A,V GE =15V, T j =150 O C

2.35

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =2.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 O C

5.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 저항

9.5

Ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

6.02

NF

C res

역전환 용량

0.15

NF

Q g

게이트 요금

V GE =-15 ...+15V

0.47

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =50A, R g =9.6Ω,V GE =±15V, T j =25 O C

163

NS

T R

상승 시간

44

NS

T d(off)

그림 지연 시간

290

NS

T F

하강 시간

347

NS

이 에

켜 Switching 손실

12.7

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

7.28

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =50A, R g =9.6Ω,V GE =±15V, T j =125 O C

186

NS

T R

상승 시간

51

NS

T d(off)

그림 지연 시간

361

NS

T F

하강 시간

535

NS

이 에

켜 Switching 손실

17.9

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

11.1

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =50A, R g =9.6Ω,V GE =±15V, T j =150 O C

192

NS

T R

상승 시간

52

NS

T d(off)

그림 지연 시간

374

NS

T F

하강 시간

566

NS

이 에

켜 Switching 손실

20.0

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

12.0

mJ

I SC

SC 데이터

T 전 ≤10μs, V GE =15V,

T j =150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

200

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞 전압

I F =50A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

I F =50A,V GE =0V,T j =125 O C

1.95

I F =50A,V GE =0V,T j =150 O C

1.90

Q R

회복 전하

V R =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15V T j =25 O C

11.8

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

48

A

이 rec

역회복 에너지

6.08

mJ

Q R

회복 전하

V R =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15V T j =125 O C

20.7

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

52

A

이 rec

역회복 에너지

11.4

mJ

Q R

회복 전하

V R =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15V T j =150 O C

23.7

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

54

A

이 rec

역회복 에너지

13.1

mJ

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞 전압

I F =50A, V GE =0V, T j =150 O C

1.14

V

I R

역방향 전류

T j =150 O C,V R =1600V

3.0

mA

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C =50A,V GE =15V, T j =25 O C

1.85

2.20

V

I C =50A,V GE =15V, T j =125 O C

2.25

I C =50A,V GE =15V, T j =150 O C

2.35

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =2.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 O C

5.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항

9.5

Ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

6.02

NF

C res

역전환 용량

0.15

NF

Q g

게이트 요금

V GE =-15 ...+15V

0.47

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =50A, R g =9.6Ω,V GE =±15V, T j =25 O C

163

NS

T R

상승 시간

44

NS

T d(off)

그림 지연 시간

290

NS

T F

하강 시간

347

NS

이 에

켜 Switching 손실

12.7

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

7.28

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =50A, R g =9.6Ω,V GE =±15V, T j =125 O C

186

NS

T R

상승 시간

51

NS

T d(off)

그림 지연 시간

361

NS

T F

하강 시간

535

NS

이 에

켜 Switching 손실

17.9

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

11.1

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =50A, R g =9.6Ω,V GE =±15V, T j =150 O C

192

NS

T R

상승 시간

52

NS

T d(off)

그림 지연 시간

374

NS

T F

하강 시간

566

NS

이 에

켜 Switching 손실

20.0

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

12.0

mJ

I SC

SC 데이터

T 전 ≤10μs, V GE =15V,

T j =150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

200

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞 전압

I F =50A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

I F =50A,V GE =0V,T j =125 O C

1.95

I F =50A,V GE =0V,T j =150 O C

1.90

Q R

회복 전하

V R =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15V T j =25 O C

11.8

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

48

A

이 rec

역회복 에너지

6.08

mJ

Q R

회복 전하

V R =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15V T j =125 O C

20.7

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

52

A

이 rec

역회복 에너지

11.4

mJ

Q R

회복 전하

V R =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15V T j =150 O C

23.7

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

54

A

이 rec

역회복 에너지

13.1

mJ

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

R 25

등급 저항

5.0

kΩ

∆R/R

오차 of R 100

T C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

전 25

전력

소산

20.0

mW

B 25/50

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

60

nH

R CC+EE R AA + CC ’

모듈 리드 레시스타 nce,단자에서 칩까지

4.00 2.00

mΩ

R thJC

교차점 -에 -사례 (perIGBT -인버터 ) 접합부-외피 (다이오드-인버터당 ) 접합부-외각 (다이오드 당-정류기 ) 교차점 -에 -사례 (perIGBT -브레이크 )

접합부-외피 (다이오드 당-브레이크) 어)

0.390 0.554 0.565 0.390 0.554

K/W

R thCH

사례 -에 -열기 (perIGBT -인버터 )외각-히트싱크 (다이오드 당-인버터 ) 외각-히트싱크 (다이오드 당-정류기 ) 사례 -에 -열기 (perIGBT -브레이크 )

케이스-히트싱크 (다이오 데-브레이크) 케이스-히트싱크 (per 모듈)

0.145 0.205 0.210 0.145 0.205 0.009

K/W

m

장착 토크, 스ikulu:M5

3.0

6.0

N.M

g

무게 of 모듈

300

g