GD400HTX120P6HLT, IGBT 모듈, STARPOWER

소개

간략한 소개

IGBT 모듈 ,생산자 STARPOWER . 1200V 400A.

특징

낮은 VCE(sat) 트렌치 IGBT 기술
저변화 손실
6μs 단회로 능력
양의 온도 계수와 함께하는 VCE(sat)
최대 접합부 온도 175 °C
낮은 인덕턴스 케이스
빠른 & 부드러운 역 회수 반 병렬 FWD
격리된 구리 핀핀 베이스플레이트 사용 Si ₃N ₄AMB 기술

전형적 응용

자동차용 애플리케이션
하이브리드 및 전기차
모터 드라이브용 인버터

절대 최대 등급 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

IGBT

상징	설명	가치	UNIT
V CES	컬렉터-이미터 전압	1200	V
V GES	게이트-이미터 전압	±20	V
I CN	구현된 집합기 Cu 임대료	400	A
I C	콜렉터 전류 @ T F =120 O C	250	A
I 센티미터	펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms	800	A
전 D	최대 전력 소산 이온 @ T F =75 O C T j =175 O C	1010	W

다이오드

상징	설명	가치	UNIT
V RRM	반복적 피크 역전압 GE	1200	V
I FN	구현된 집합기 Cu 임대료	400	A
I F	다이오드 연속 정방향 Cu 임대료	250	A
I Fm	다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms	800	A
I 2T	I 2t값,t 전 =10ms @ T j =125 O C @ T j =150 O C	17860 15664	A 2s

모듈

상징	설명	가치	UNIT
T jmax	최대 분기 온도	175	O C
T jop	작동 환절 온도 연속 주기 내 10초 동안 30초의 발생 최대 3000회 수명 동안 나	-40에서 +150 +150 ~ +175	O C
T STG	보관 온도 범위	-40에서 +125	O C
V iso	격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분	3000	V

IGBT 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
V CE (sat)	수집자로부터 발산자 포화전압	I C =250A,V GE =15V, T j =25 O C		1.45	1.80	V
		I C =250A,V GE =15V, T j =125 O C		1.65
		I C =250A,V GE =15V, T j =150 O C		1.70
		I C =380A,V GE =15V, T j =25 O C		1.70
		I C =380A,V GE =15V, T j =150 O C		2.15
V GE (번째 )	게이트 발산자 문 전압	I C =9.75 mA ,V CE = V GE , T j =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I CES	수집가 절단 -끄다 전류	V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 O C			1.0	mA
I GES	게이트 발사자 누출 전류	V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C			400	부적절함
R Gint	내부 게이트 저항			2.4		Ω
C ies	입력 용량	V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V		33.6		NF
C 소	출력 용량			1.43		NF
C res	역전환 용량			0.82		NF
Q g	게이트 요금	V CE =600V,I C =250A, V GE =-8...+15V		1.98		μC
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =600V,I C =250A, R g =2.2Ω, L s =24 nH ,V GE =-8V/+15V T j =25 O C		231		NS
T R	상승 시간			50		NS
T d(off)	그림 지연 시간			545		NS
T F	하강 시간			172		NS
이 에	켜 Switching 손실			19.6		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			23.2		mJ
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =600V,I C =250A, R g =2.2Ω, L s =24 nH ,V GE =-8V/+15V T j =125 O C		241		NS
T R	상승 시간			57		NS
T d(off)	그림 지연 시간			619		NS
T F	하강 시간			247		NS
이 에	켜 Switching 손실			26.6		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			28.7		mJ
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =600V,I C =250A, R g =2.2Ω, L s =24 nH ,V GE =-8V/+15V T j =150 O C		245		NS
T R	상승 시간			57		NS
T d(off)	그림 지연 시간			641		NS
T F	하강 시간			269		NS
이 에	켜 Switching 손실			30.1		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			30.9		mJ
I SC	SC 데이터	T 전 ≤6μs, V GE =15V, T j =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V		1200		A

다이오드 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
V F	다이오드 앞 전압	I F =250A,V GE =0V,T j =25 O C		1.50	1.90	V
		I F =250A,V GE =0V,T j =1 25O C		1.45
		I F =250A,V GE =0V,T j =1 50O C		1.40
		I F =380A,V GE =0V,T j =25 O C		1.65
		I F =380A,V GE =0V,T j =1 50O C		1.60
Q R	회복 전하	V R =600V,I F =250A, -di/dt=4860A/μs,V GE =-8V L s =24 nH ,T j =25 O C		9.10		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			160		A
이 rec	역회복 에너지			4.39		mJ
Q R	회복 전하	V R =600V,I F =250A, -di/dt=4300A/μs,V GE =-8V L s =24 nH ,T j =125 O C		21.4		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			192		A
이 rec	역회복 에너지			8.43		mJ
Q R	회복 전하	V R =600V,I F =250A, -di/dt=4120A/μs,V GE =-8V L s =24 nH ,T j =150 O C		25.7		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			203		A
이 rec	역회복 에너지			9.97		mJ

NTC 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
R 25	등급 저항			5.0		kΩ
∆R/R	오차 of R 100	T C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
전 25	전력 소산				20.0	mW
B 25/50	B값	R 2=R 25경험치 [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		k
B 25/80	B값	R 2=R 25경험치 [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		k
B 25/100	B값	R 2=R 25경험치 [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		k

모듈 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
L CE	방랑 인덕턴스		8		nH
R CC+EE	모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로		0.75		mΩ
△ 전	△ V/ △ t=10.0 dm 3/분 ,T F =75 O C		64		마바르
전	냉각회로에서 최대 압력 쿠잇			2.5	바
R thJF	교차점 -에 -냉각 유체 (perIGBT )접합부-냉각 유체 (D당) 요오드)			0.099 0.128	K/W
m	단자 연결 토크, 스크루브 M5 장착 토크, 나사 M4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.M
g	무게 of 모듈		750		g