GD400HTX120P4SA, IGBT 모듈, STARPOWER

소개

간략한 소개

IGBT 모듈 ,생산자 STARPOWER . 1200V 400A.

특징

낮은 VCE(sat) 트렌치 IGBT 기술
저변화 손실
10μs 단회로 능력
양의 온도 계수와 함께하는 VCE(sat)
최대 접합부 온도 175 °C
낮은 인덕턴스 케이스
빠른 & 부드러운 역 회수 반 병렬 FWD
DBC 기술을 사용한 격리된 구리 핀핀 베이스플레이트

전형적 응용

하이브리드 및 전기차
모터 드라이브용 인버터
비상 전원 공급 장치

절대 최대 등급 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

IGBT

상징	설명	가치	UNIT
V CES	컬렉터-이미터 전압	1200	V
V GES	게이트-이미터 전압	±20	V
I CN	구현된 집합기 Cu 임대료	400	A
I C	콜렉터 전류 @ T F =25 O C @ T F =75 O C	400 300	A
I 센티미터	펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms	800	A
전 D	최대 전력 분산 @ T j =175 O C	1500	W

다이오드

상징	설명	가치	UNIT
V RRM	반복적 피크 역전압 연령	1200	V
I FN	전방 Cu 구현 임대료	400	A
I F	다이오드 연속 정방향 Cu 임대료	300	A
I Fm	다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms	800	A

모듈

상징	설명	가치	UNIT
T jmax	최대 분기 온도	175	O C
T jop	작동점 온도	-40에서 +150	O C
T STG	보관 온도 범위	-40에서 +125	O C
V iso	격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분	2500	V

IGBT 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
V CE (sat)	수집자로부터 발산자 포화전압	I C = 300A,V GE =15V, T j =25 O C		1.50	1.95	V
		I C = 300A,V GE =15V, T j =125 O C		1.60
		I C = 300A,V GE =15V, T j =150 O C		1.65
V GE (번째 )	게이트 발산자 문 전압	I C =16.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 O C	5.3	5.8	6.3	V
I CES	수집가 절단 -끄다 전류	V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 O C			1.0	mA
I GES	게이트 발사자 누출 전류	V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C			400	부적절함
R Gint	내부 게이트 저항			0.5		Ω
C ies	입력 용량	V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V		41.4		NF
C res	역전환 용량	V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V		1.16		NF
Q g	게이트 요금	V GE =15V		3.11		μC
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =500V,I C =300A, R g =1.5Ω,V GE =±15V, LS =25 nH ,T j =25 O C		74		NS
T R	상승 시간			31		NS
T d(off)	그림 지연 시간			352		NS
T F	하강 시간			255		NS
이 에	켜 Switching 손실			4.01		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			22.9		mJ
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =500V,I C =300A, R g =1.5Ω,V GE =±15V, Ls=25nH,T j =125 O C		81		NS
T R	상승 시간			34		NS
T d(off)	그림 지연 시간			411		NS
T F	하강 시간			397		NS
이 에	켜 Switching 손실			7.40		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			32.2		mJ
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =500V,I C =300A, R g =1.5Ω,V GE =±15V, Ls=25nH,T j =150 O C		82		NS
T R	상승 시간			36		NS
T d(off)	그림 지연 시간			425		NS
T F	하강 시간			434		NS
이 에	켜 Switching 손실			8.90		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			35.2		mJ
I SC	SC 데이터	T 전 ≤ 10μs,V GE =15V, T j =150 O C,V CC =900V, V CEM ≤1200V		1600		A

다이오드 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
V F	다이오드 앞 전압	I F = 300A,V GE =0V,T j =25 O C		1.70	2.15	V
		I F = 300A,V GE =0V,T j =1 25O C		1.70
		I F = 300A,V GE =0V,T j =1 50O C		1.70
Q R	회복 전하	V R =500V,I F =300A, -di⁄dt=10600A⁄μs,V GE =-15V Ls=25nH,T j =25 O C		15.0		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			391		A
이 rec	역회복 에너지			9.40		mJ
Q R	회복 전하	V R =500V,I F =300A, -di⁄dt=9600A⁄μs,V GE =-15V Ls=25nH,T j =125 O C		24.0		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			457		A
이 rec	역회복 에너지			18.4		mJ
Q R	회복 전하	V R =500V,I F =300A, -di/dt=9500A/μs,V GE =-15V Ls=25nH,T j =150 O C		29.0		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			488		A
이 rec	역회복 에너지			23.2		mJ

NTC 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
R 25	등급 저항			5.0		kΩ
∆R/R	오차 of R 100	T C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
전 25	전력 소산				20.0	mW
B 25/50	B값	R 2=R 25경험치 [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		k
B 25/80	B값	R 2=R 25경험치 [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		k
B 25/100	B값	R 2=R 25경험치 [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		k

모듈 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
△ 전	냉각 회로 압력 강하 쿠잇 △ V/ △ t=10.0 dm 3/분 ;T F =25 O C ;냉각 유체=50% 물/50% 에틸렌 글리콜		100		마바르
전	냉각회로에서 최대 압력 쿠잇			2.5	바
L CE	방랑 인덕턴스		14		nH
R CC+EE	모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로		0.80		mΩ
R thJF	교차점 -에 -냉각 유체 (perIGBT ) 접합-냉각 유체 (per Di 오드)			0.100 0.125	K/W
m	단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 나사 M6	2.5 3.0		5.0 6.0	N.M
g	무게 of 모듈		1250		g