GD400CLX120C2S, IGBT 모듈, STARPOWER

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 O C @ T C =100 O C

636

400

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

800

A

전 D

최대 전력 분산 @ T vj =175 O C

2083

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

V

I F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

400

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

800

A

상징

설명

가치

UNIT

T vjmax

최대 분기 온도

175

O C

T vjop

작동점 온도

-40에서 +150

O C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

O C

V iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t= 1분

2500

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C =400A,V GE =15V, T vj =25 O C

1.75

2.20

V

I C =400A,V GE =15V, T vj =125 O C

2.00

I C =400A,V GE =15V, T vj =150 O C

2.05

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =14.4 mA ,V CE = V GE , T vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 O C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

0.5

Ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

37.3

NF

C res

역전환 용량

1.04

NF

Q g

게이트 요금

V GE =-15 ...+15V

2.80

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =400A, R g =2.0Ω, L s =50nH , V GE =±15V, T vj =25 O C

223

NS

T R

상승 시간

49

NS

T d(off)

그림 지연 시간

334

NS

T F

하강 시간

190

NS

이 에

켜 Switching 손실

17.9

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

28.7

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =400A, R g =2.0Ω, L s =50nH , V GE =±15V, T vj =125 O C

230

NS

T R

상승 시간

54

NS

T d(off)

그림 지연 시간

385

NS

T F

하강 시간

300

NS

이 에

켜 Switching 손실

29.4

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

41.2

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =400A, R g =2.0Ω, L s =50nH , V GE =±15V, T vj =150 O C

228

NS

T R

상승 시간

57

NS

T d(off)

그림 지연 시간

393

NS

T F

하강 시간

315

NS

이 에

켜 Switching 손실

32.3

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

42.9

mJ

I SC

SC 데이터

T 전 ≤10μs, V GE =15V,

T vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1600

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞 전압

I F =400A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.85

2.30

V

I F =400A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.90

I F =400A,V GE =0V,T vj =150 O C

1.95

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=8030A/μs, L s =50nH, V GE =-15V, T vj =25 O C

33.6

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

374

A

이 rec

역회복 에너지

13.6

mJ

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=7030A/μs, L s =50nH, V GE =-15V, T vj =125 O C

67.5

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

446

A

이 rec

역회복 에너지

28.2

mJ

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=6880A/μs, L s =50nH, V GE =-15V, T vj =150 O C

75.5

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

452

A

이 rec

역회복 에너지

31.4

mJ

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지

0.35

mΩ

R thJC

교차점 -에 -사례 (perIGBT ) 부대와 부대 (D당) 요오드)

0.072 0.113

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT) 케이스-온도 싱크장 (pe) r 다이오드) 케이스-열기 싱크장 (M당) 오두엘)

0.023 0.036 0.010

K/W

m

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 나사 M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

g

무게 of 모듈

300

g