GD400CLU120C2SD, IGBT 모듈, STARPOWER

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 O C @ T C =60 O C

519

400

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

800

A

전 D

최대 전력 분산 @ T vj =150 O C

2450

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

V

I F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

400

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

800

A

상징

설명

가치

UNIT

T vjmax

최대 분기 온도

150

O C

T vjop

작동점 온도

-40에서 +125

O C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

O C

V iso

격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분

2500

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C =400A,V GE =15V, T vj =25 O C

2.90

3.35

V

I C =400A,V GE =15V, T vj =125 O C

3.60

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =16.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 O C

4.5

5.5

6.5

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 O C

5.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

0.6

Ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

26.0

NF

C res

역전환 용량

1.70

NF

Q g

게이트 요금

V GE =-15...+15V

4.2

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =400A, R g =2.2Ω, L s =30 nH , V GE =±15V,T vj =25 O C

252

NS

T R

상승 시간

63

NS

T d(off)

그림 지연 시간

427

NS

T F

하강 시간

44

NS

이 에

켜 Switching 손실

24.7

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

16.5

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =400A, R g =2.2Ω, L s =30 nH , V GE =±15V,T vj =125 O C

258

NS

T R

상승 시간

65

NS

T d(off)

그림 지연 시간

465

NS

T F

하강 시간

57

NS

이 에

켜 Switching 손실

35.2

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

22.6

mJ

I SC

SC 데이터

T 전 ≤10μs, V GE =15V,

T vj =125 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1600

A

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

30

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로

0.35

mΩ

R thJC

교차점 -에 -사례 (perIGBT ) 커스 (D) 에 대한 연결 오드)

0.051 0.114

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT) 케이스-온도 싱크장 (pe) r 다이오드) 케이스-열기 싱크장 (M당) 오두엘)

0.019 0.042 0.010

K/W

m

단자 연결 토크, 스크루브 M5 장착 토크, 나사 M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

g

무게 of 모듈

300

g