GD3600SGX170C4S,IGBT 모듈,대전류 igbt 모듈,STARPOWER

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1700

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =100 O C

3600

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

7200

A

전 D

최대 전력 분산 @ T j =175 O C

21.4

KW

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1700

V

I F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

3600

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

7200

A

I FSM

돌파 전방 전류 V R =0V,T 전 =10ms, @T j =25 O C @T j =150 O C

23.22 19.95

kA

I 2T

I 2t값,V R =0V,T 전 =10m s,T j =25 O C I 2t값,V R =0V,T 전 =10ms ,t j =150 O C

2695

1990

kA 2s

상징

설명

가치

UNIT

T jmax

최대 분기 온도

175

O C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

O C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

O C

V iso

격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분

4000

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C =3600A,V GE =15V, T j =25 O C

1.85

2.30

V

I C =3600A,V GE =15V, T j =125 O C

2.25

I C =3600A,V GE =15V, T j =150 O C

2.30

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =144.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 O C

5.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항

0.7

Ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

427

NF

C res

역전환 용량

10.7

NF

Q g

게이트 요금

V GE =-15...+15V

35.3

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =3600A, R Gon =1.2Ω, R 고프 =0.9Ω, V GE =-9V/+15V,

L s =65 nH ,T j =25 O C

1161

NS

T R

상승 시간

413

NS

T d(off)

그림 지연 시간

4761

NS

T F

하강 시간

430

NS

이 에

켜 Switching 손실

1734

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

2580

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =3600A, R Gon =1.2Ω, R 고프 =0.9Ω, V GE =-9V/+15V,

L s =65 nH ,T j =125 O C

1370

NS

T R

상승 시간

547

NS

T d(off)

그림 지연 시간

5303

NS

T F

하강 시간

457

NS

이 에

켜 Switching 손실

2679

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

2881

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =3600A, R Gon =1.2Ω, R 고프 =0.9Ω, V GE =-9V/+15V,

L s =65 nH ,T j =150 O C

1413

NS

T R

상승 시간

585

NS

T d(off)

그림 지연 시간

5490

NS

T F

하강 시간

473

NS

이 에

켜 Switching 손실

2863

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

2960

mJ

I SC

SC 데이터

T 전 ≤10μs, V GE =15V,

T j =150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

14.0

kA

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞 전압

I F =3600A,V GE =0V,T j = 25O C

1.80

2.25

V

I F =3600A,V GE =0V,T j =125 O C

1.90

I F =3600A,V GE =0V,T j =150 O C

1.95

Q R

회복 전하

V R =900V,I F =3600A,

-di/dt=7000A/μs,V GE =-9V, L s =65 nH ,T j =25 O C

207

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

1030

A

이 rec

역회복 에너지

199

mJ

Q R

회복 전하

V R =900V,I F =3600A,

-di/dt=5700/μs,V GE =-9V, L s =65 nH ,T j =125 O C

288

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

1020

A

이 rec

역회복 에너지

339

mJ

Q R

회복 전하

V R =900V,I F =3600A,

-di/dt=5200A/μs,V GE =-9V, L s =65 nH ,T j =150 O C

391

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

996

A

이 rec

역회복 에너지

341

mJ

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

6.0

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로

0.085

mΩ

R thJC

교차점 -에 -사례 (perIGBT ) 커스 (D) 에 대한 연결 오드)

7.0 12.8

K/kW

R thCH

사례 -에 -열기 (perIGBT )케이스-온도 싱크장 (pe) r 다이오드) 케이스-열기 싱크장 (M당) 오두엘)

6.2 11.3 4.0

K/kW

D 크립

단자-히트싱크 간 단자-단자 간

32.2 32.2

mm

D 투명

단자-히트싱크 간 단자-단자 간

19.1 19.1

mm

m

단자 연결 토크, 나사 M4 단자 연결 토크, 스크루브 M8 장착 토크, 나사 M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

g

무게 of 모듈

2060

g