GD300MPX120C6SA, IGBT 모듈, STARPOWER

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 O C @ T C =100 O C

468

300

A

I CRM

반복적 최고 수집가 전류 tp 제한된 에 의해 T vjop

600

A

전 D

최대 전력 분산 @ T vj =175 O C

1530

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

V

I F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

300

A

I FRM

반복적 최고 앞으로 전류 tp 제한된 에 의해 T vjop

600

A

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

V

I F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

300

A

I FRM

반복적 최고 앞으로 전류 tp 제한된 에 의해 T vjop

600

A

상징

설명

가치

UNIT

T vjmax

최대 분기 온도

175

O C

T vjop

작동점 온도

-40에서 +150

O C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

O C

V iso

격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분

2500

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C = 300A,V GE =15V, T vj =25 O C

1.70

2.15

V

I C = 300A,V GE =15V, T vj =125 O C

1.95

I C = 300A,V GE =15V, T vj =150 O C

2.00

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =12.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 O C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

2.5

Ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

31.1

NF

C res

역전환 용량

0.87

NF

Q g

게이트 요금

V GE =-15 ...+15V

2.33

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =300A, R g =2.4Ω,Ls=35nH, V GE =±15V,T vj =25 O C

215

NS

T R

상승 시간

53

NS

T d(off)

그림 지연 시간

334

NS

T F

하강 시간

205

NS

이 에

켜 Switching 손실

21.5

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

20.7

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =300A, R g =2.4Ω,Ls=35nH, V GE =±15V,T vj =125 O C

231

NS

T R

상승 시간

59

NS

T d(off)

그림 지연 시간

361

NS

T F

하강 시간

296

NS

이 에

켜 Switching 손실

30.1

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

28.1

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =300A, R g =2.4Ω,Ls=35nH, V GE =±15V,T vj =150 O C

240

NS

T R

상승 시간

62

NS

T d(off)

그림 지연 시간

376

NS

T F

하강 시간

311

NS

이 에

켜 Switching 손실

32.9

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

29.9

mJ

I SC

SC 데이터

T 전 ≤10μs, V GE =15V,

T vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1200

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V F

다이오드 앞 전압

I F = 300A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.85

2.30

V

I F = 300A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.90

I F = 300A,V GE =0V,T vj =150 O C

1.95

Q R

회복 전하

V CC =600V,I F =300A,

-di⁄dt=2937A⁄μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T vj =25 O C

36.3

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

235

A

이 rec

역회복 에너지

15.7

mJ

Q R

회복 전하

V CC =600V,I F =300A,

-di⁄dt=2720A⁄μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T vj =125 O C

61.3

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

257

A

이 rec

역회복 에너지

27.5

mJ

Q R

회복 전하

V CC =600V,I F =300A,

-di⁄dt=2616A⁄μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T vj =150 O C

68.8

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

262

A

이 rec

역회복 에너지

30.8

mJ

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V F

다이오드 앞 전압

I F = 300A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.85

2.30

V

I F = 300A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.90

I F = 300A,V GE =0V,T vj =150 O C

1.95

Q R

회복 전하

V CC =600V,I F =300A,

-di⁄dt=5683A⁄μs,Ls=35nH, V GE =-15V,T vj =25 O C

36.2

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

290

A

이 rec

역회복 에너지

13.4

mJ

Q R

회복 전하

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=4958A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V,T vj =125 O C

56.6

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

301

A

이 rec

역회복 에너지

22.2

mJ

Q R

회복 전하

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=4673A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V,T vj =150 O C

65.9

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

306

A

이 rec

역회복 에너지

26.3

mJ

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

R 25

등급 저항

5.0

kΩ

∆R/R

오차 of R 100

T C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

전 25

전력

소산

20.0

mW

B 25/50

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

35

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로

1.45

mΩ

R thJC

교차점 -에 -사례 (perIGBT -인버터 ) 접합부-케이스 (다이오드당-인버터 ) 접합부-케이스 (다이오드당-3레벨 )

0.098 0.176 0.176

K/W

R thCH

케이스-싱크 (IGBT당-인버터 ) 케이스-싱크 (다이오드당- ) 케이스-싱크 (다이오드당-3- 레벨) 케이스-히트싱크 (per 모듈)

0.033 0.059 0.059 0.009

K/W

m

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 스크루브 M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

g

무게 of 모듈

350

g