IGBT 모듈 1700V

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1700

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 O C @ T C = 100O C

493

300

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

600

A

전 D

최대 전력 분산 @ T =175 O C

1829

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복 피크 역전압

1700

V

I F

다이오드 연속 전면 커 임대료

300

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

600

A

상징

설명

가치

UNIT

T jmax

최대 분기 온도

175

O C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

O C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

O C

V iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분

4000

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C = 300A,V GE =15V, T j =25 O C

1.85

2.20

V

I C = 300A,V GE =15V, T j =125 O C

2.25

I C = 300A,V GE =15V, T j =150 O C

2.35

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C = 12.0mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 O C

5.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

2.5

Ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

36.1

NF

C res

역전환 용량

0.88

NF

Q g

게이트 요금

V GE =-15 ...+15V

2.83

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =300A, R Gon =3.3Ω,

R 고프 =4.7Ω, V GE =±15V,

T j =25 O C

213

NS

T R

상승 시간

83

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

621

NS

T F

하강 시간

350

NS

이 에

켜 Switching 손실

79.2

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

70.2

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =300A, R Gon =3.3Ω,

R 고프 =4.7Ω, V GE =±15V,

T j = 125O C

240

NS

T R

상승 시간

92

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

726

NS

T F

하강 시간

649

NS

이 에

켜 Switching 손실

104

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

108

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =300A, R Gon =3.3Ω, R 고프 =4.7Ω,

V GE =±15V, T j = 150O C

248

NS

T R

상승 시간

95

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

736

NS

T F

하강 시간

720

NS

이 에

켜 Switching 손실

115

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

116

mJ

I SC

SC 데이터

T 전 ≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150 O C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

1200

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V F

다이오드 앞 전압

I F = 300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

I F = 300A,V GE =0V,T j = 125O C

1.90

I F = 300A,V GE =0V,T j = 150O C

1.95

Q R

회복 전하

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE =-15V T j =25 O C

82.5

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

407

A

이 rec

역회복 에너지

46.6

mJ

Q R

회복 전하

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE =-15V T j =125 O C

138

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

462

A

이 rec

역회복 에너지

92.2

mJ

Q R

회복 전하

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE =-15V T j =150 O C

154

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

460

A

이 rec

역회복 에너지

109

mJ

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

R 25

등급 저항

5.0

kΩ

ΔR/R

오차 of R 100

T C = 100 O C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

전 25

전력

소산

20.0

mW

B 25/50

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로

1.10

mΩ

R thJC

부문별 (IGB당) T) 부대와 부대 (D당) 요오드)

0.082 0.129

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT) 케이스-히트싱크 (p er 다이오드) 케이스-히트싱크 (per 모듈)

0.029 0.046 0.009

K/W

m

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 스크루브 M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

g

무게 of 모듈

350

g