GD300HFX170C6SA, IGBT 모듈, STARPOWER

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1700

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 O C @ T C =100 O C

493

300

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

600

A

전 D

최대 전력 분산 @ T j =175 O C

1829

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1700

V

I F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

300

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

600

A

상징

설명

가치

UNIT

T jmax

최대 분기 온도

175

O C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

O C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

O C

V iso

격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분

4000

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C = 300A,V GE =15V, T j =25 O C

1.85

2.20

V

I C = 300A,V GE =15V, T j =125 O C

2.25

I C = 300A,V GE =15V, T j =150 O C

2.35

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =12.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 O C

5.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

2.5

Ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

36.1

NF

C res

역전환 용량

0.88

NF

Q g

게이트 요금

V GE =-15 ...+15V

2.83

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =300A,

R Gon =3.3Ω, R 고프 =4.7Ω, L s =66nH,V GE =±15V, T j =25 O C

265

NS

T R

상승 시간

94

NS

T d(off)

그림 지연 시간

565

NS

T F

하강 시간

326

NS

이 에

켜 Switching 손실

77.6

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

52.8

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =300A,

R Gon =3.3Ω, R 고프 =4.7Ω, L s =66nH,V GE =±15V, T j =125 O C

302

NS

T R

상승 시간

104

NS

T d(off)

그림 지연 시간

631

NS

T F

하강 시간

521

NS

이 에

켜 Switching 손실

108

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

72.8

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =300A,

R Gon =3.3Ω, R 고프 =4.7Ω, L s =66nH,V GE =±15V, T j =150 O C

313

NS

T R

상승 시간

108

NS

T d(off)

그림 지연 시간

645

NS

T F

하강 시간

545

NS

이 에

켜 Switching 손실

119

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

78.4

mJ

I SC

SC 데이터

T 전 ≤10μs, V GE =15V,

T j =150 O C ,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

1200

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V F

다이오드 앞 전압

I F = 300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

I F = 300A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.95

I F = 300A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.90

Q R

회복 전하

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=2650A/μs,V GE =-15V L s =66 nH ,T j =25 O C

56.3

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

228

A

이 rec

역회복 에너지

38.4

mJ

Q R

회복 전하

V R =900V,I F =300A,

-di⁄dt=2300A⁄μs,V GE =-15V L s =66 nH ,T j =125 O C

89.6

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

262

A

이 rec

역회복 에너지

60.2

mJ

Q R

회복 전하

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=2250A/μs,V GE =-15V L s =66 nH ,T j =150 O C

102

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

272

A

이 rec

역회복 에너지

69.6

mJ

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

R 25

등급 저항

5.0

kΩ

∆R/R

오차 of R 100

T C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

전 25

전력

소산

20.0

mW

B 25/50

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로

1.10

mΩ

R thJC

교차점 -에 -사례 (perIGBT ) 부대와 부대 (D당) 요오드)

0.082 0.121

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT) 케이스-온도 싱크장 (pe) r 다이오드) 케이스-열기 싱크장 (M당) 오두엘)

0.030 0.045 0.009

K/W

m

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 스크루브 M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

g

무게 of 모듈

350

g