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IGBT 모듈 1200V

IGBT 모듈 1200V

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GD300HFX120C2SA, IGBT 모듈, STARPOWER

IGBT 모듈, 1200V 300A, 패키지:C2

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300HFX120C2SA
  • 소개
  • 개요
  • 등가 회로 도식
소개

간략한 소개

IGBT 모듈 ,생산자 STARPOWER . 1200V 300A.

특징

  • 낮은 V CE (sat) 트렌치 IGB T 기술
  • 10μs 단회로 능력
  • V CE (위성 ) 양성 온도 계수
  • 최대 접점 온도 175O C
  • 낮은 인덕턴스 케이스
  • 빠른 & 부드러운 역 회수 반평행 FWD
  • 절연 구리 베이스플레이트 DBC 기술 사용

전형적 응용

  • 모터 드라이브용 인버터
  • AC 및 DC 서보 드라이브 앰프
  • 비상 전원 공급 장치

절대 최대 등급 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

IGBT

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 O C @ T C =100 O C

477

300

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t =1ms

600

A

D

최대 전력 분산 @ T vj =175 O C

1578

W

다이오드

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

V

I F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

300

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t =1ms

600

A

모듈

상징

설명

가치

UNIT

T vjmax

최대 분기 온도

175

O C

T vjop

작동점 온도

-40에서 +150

O C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

O C

V iso

격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분

2500

V

IGBT 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C = 300A,V GE =15V, T vj =25 O C

1.70

2.15

V

I C = 300A,V GE =15V, T vj =125 O C

1.95

I C = 300A,V GE =15V, T vj =150 O C

2.00

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =12.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 O C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

1.0

Ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

31.1

NF

C res

역전환 용량

0.87

NF

Q g

게이트 요금

V GE =-15 ...+15V

2.33

μC

T D ()

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =300A, R g =1.3Ω, Ls=43nH, V GE =±15V,T vj =25 O C

181

NS

T R

상승 시간

39

NS

T d(off)

그림 지연 시간

305

NS

T F

하강 시간

199

NS

Switching 손실

22.7

mJ

끄다

그림 전환 손실

21.0

mJ

T D ()

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =300A, R g =1.3Ω, Ls=43nH, V GE =±15V,T vj =125 O C

191

NS

T R

상승 시간

45

NS

T d(off)

그림 지연 시간

357

NS

T F

하강 시간

313

NS

Switching 손실

39.8

mJ

끄다

그림 전환 손실

30.7

mJ

T D ()

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =300A, R g =1.3Ω, Ls=43nH, V GE =±15V,T vj =150 O C

193

NS

T R

상승 시간

47

NS

T d(off)

그림 지연 시간

368

NS

T F

하강 시간

336

NS

Switching 손실

44.2

mJ

끄다

그림 전환 손실

32.3

mJ

I SC

SC 데이터

T ≤10μs, V GE =15V,

T vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1200

A

다이오드 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V F

다이오드 앞 전압

I F = 300A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.85

2.30

V

I F = 300A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.90

I F = 300A,V GE =0V,T vj =150 O C

1.95

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =300A,

-di⁄dt=7400A⁄μs, Ls=43nH, V GE =-15V,T vj =25 O C

59.7

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

397

A

rec

역회복 에너지

24.9

mJ

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =300A,

-di⁄dt=6300A⁄μs, Ls=43nH, V GE =-15V,T vj =125 O C

91.8

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

383

A

rec

역회복 에너지

36.5

mJ

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =300A,

-di⁄dt=6100A⁄μs, Ls=43nH, V GE =-15V,T vj =150 O C

99.6

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

380

A

rec

역회복 에너지

39.1

mJ

모듈 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지

0.35

R thJC

교차점 --사례 (perIGBT ) 부대와 부대 (D당) 요오드)

0.095 0.163

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT) 케이스-온도 싱크장 (pe) r 다이오드) 케이스-열기 싱크장 (M당) 오두엘)

0.032 0.054 0.010

K/W

m

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 나사 M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

g

무게 of 모듈

300

g

개요

image(c3756b8d25).png

등가 회로 도식

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