GD300HFU120C2SD, IGBT 모듈, STARPOWER

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 O C @ T C =100 O C

320

300

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

600

A

전 D

최대 전력 분산 @ T j =175 O C

1063

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

V

I F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

300

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

600

A

상징

설명

가치

UNIT

T jmax

최대 분기 온도

175

O C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

O C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

O C

V iso

격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분

2500

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C = 300A,V GE =15V, T j =25 O C

1.40

1.85

V

I C = 300A,V GE =15V, T j =125 O C

1.60

I C = 300A,V GE =15V, T j =175 O C

1.60

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C 8 mA ,V CE = V GE , T j =25 O C

5.5

6.3

7.0

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 O C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

1.5

Ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

51.5

NF

C res

역전환 용량

0.36

NF

Q g

게이트 요금

V GE =-15 ...+15V

4.50

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =300A, R g =1.5Ω,Ls=32nH, V GE =±15V,

T j =25 O C

405

NS

T R

상승 시간

83

NS

T d(off)

그림 지연 시간

586

NS

T F

하강 시간

129

NS

이 에

켜 Switching 손실

34.3

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

19.3

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =300A, R g =1.5Ω,Ls=32nH, V GE =±15V,

T j =125 O C

461

NS

T R

상승 시간

107

NS

T d(off)

그림 지연 시간

676

NS

T F

하강 시간

214

NS

이 에

켜 Switching 손실

48.0

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

26.6

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =300A, R g =1.5Ω,Ls=32nH, V GE =±15V,

T j =175 O C

518

NS

T R

상승 시간

124

NS

T d(off)

그림 지연 시간

738

NS

T F

하강 시간

264

NS

이 에

켜 Switching 손실

58.1

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

31.7

mJ

I SC

SC 데이터

T 전 ≤7μs, V GE =15V,

T j =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1150

A

T 전 ≤6μs, V GE =15V,

T j =175 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1110

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V F

다이오드 앞 전압

I F = 300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.60

2.00

V

I F = 300A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.60

I F = 300A,V GE =0V,T j =1 75O C

1.50

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =300A,

-di/dt=3135A/μs,V GE =-15V, Ls=32nH,T j =25 O C

19.1

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

140

A

이 rec

역회복 에너지

4.92

mJ

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =300A,

-di/dt=2516A/μs,V GE =-15V Ls=32nH,T j =125 O C

33.7

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

159

A

이 rec

역회복 에너지

9.35

mJ

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =300A,

-di/dt=2204A/μs,V GE =-15V Ls=32nH,T j =175 O C

46.8

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

171

A

이 rec

역회복 에너지

13.7

mJ

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

21

nH

R CC+EE

모듈 리드 레시스타 nce,단자에서 칩까지

1.80

mΩ

R thJC

교차점 -에 -사례 (perIGBT ) 커스 (D) 에 대한 연결 오드)

0.141 0.243

K/W

R thCH

사례 -에 -열기 (perIGBT )케이스-온도 싱크장 (pe) r 다이오드) 케이스-히트싱크 (per 모듈)

0.085 0.147 0.009

K/W

m

장착 나사:M6

3.0

6.0

N.M

g

무게 of 모듈

300

g