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IGBT 모듈, 1200V 300A, 패키지:C2
간략한 소개
IGBT 모듈 ,생산자 STARPOWER . 1200V 300A.
특징
전형적 응용
절대 최대 등급 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
IGBT
상징 |
설명 |
가치 |
UNIT |
V CES |
컬렉터-이미터 전압 |
1200 |
V |
V GES |
게이트-이미터 전압 |
±20 |
V |
I C |
콜렉터 전류 @ T C =25 O C @ T C =95 O C |
452 300 |
A |
I 센티미터 |
펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms |
600 |
A |
전 D |
최대 전력 분산 @ T vj =175 O C |
1724 |
W |
다이오드
상징 |
설명 |
가치 |
UNIT |
V RRM |
반복적 피크 역전압 연령 |
1200 |
V |
I F |
다이오드 연속 정방향 Cu 임대료 |
300 |
A |
I Fm |
다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms |
600 |
A |
모듈
상징 |
설명 |
가치 |
UNIT |
T vjmax |
최대 분기 온도 |
175 |
O C |
T vjop |
작동점 온도 |
-40에서 +150 |
O C |
T STG |
보관 온도 범위 |
-40에서 +125 |
O C |
V iso |
격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분 |
2500 |
V |
IGBT 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 |
매개변수 |
시험 조건 |
최소. |
전형적인. |
최대. |
UNIT |
V CE (sat) |
수집자로부터 발산자 포화전압 |
I C = 300A,V GE =15V, T vj =25 O C |
|
1.85 |
2.30 |
V |
I C = 300A,V GE =15V, T vj =125 O C |
|
2.25 |
|
|||
I C = 300A,V GE =15V, T vj =150 O C |
|
2.35 |
|
|||
V GE (번째 ) |
게이트 발산자 문 전압 |
I C =7.50 mA ,V CE = V GE , T vj =25 O C |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
I CES |
수집가 절단 -끄다 전류 |
V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 O C |
|
|
1.0 |
mA |
I GES |
게이트 발사자 누출 전류 |
V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C |
|
|
400 |
부적절함 |
R Gint |
내부 게이트 저항 ance |
|
|
2.5 |
|
Ω |
C ies |
입력 용량 |
V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V |
|
31.1 |
|
NF |
C res |
역전환 용량 |
|
0.87 |
|
NF |
|
Q g |
게이트 요금 |
V GE =-15...+15V |
|
2.33 |
|
μC |
T D (에 ) |
턴온 지연 시간 |
V CC =600V,I C =300A, R g =1.6Ω, Ls=45nH, V GE =±15V,T vj =25 O C |
|
200 |
|
NS |
T R |
상승 시간 |
|
47 |
|
NS |
|
T d(off) |
그림 지연 시간 |
|
245 |
|
NS |
|
T F |
하강 시간 |
|
65 |
|
NS |
|
이 에 |
켜 Switching 손실 |
|
20.8 |
|
mJ |
|
이 끄다 |
그림 전환 손실 |
|
9.15 |
|
mJ |
|
T D (에 ) |
턴온 지연 시간 |
V CC =600V,I C =300A, R g =1.6Ω, Ls=45nH, V GE =±15V,T vj =125 O C |
|
206 |
|
NS |
T R |
상승 시간 |
|
49 |
|
NS |
|
T d(off) |
그림 지연 시간 |
|
280 |
|
NS |
|
T F |
하강 시간 |
|
94 |
|
NS |
|
이 에 |
켜 Switching 손실 |
|
29.9 |
|
mJ |
|
이 끄다 |
그림 전환 손실 |
|
12.5 |
|
mJ |
|
T D (에 ) |
턴온 지연 시간 |
V CC =600V,I C =300A, R g =1.6Ω, Ls=45nH, V GE =±15V,T vj =150 O C |
|
209 |
|
NS |
T R |
상승 시간 |
|
51 |
|
NS |
|
T d(off) |
그림 지연 시간 |
|
295 |
|
NS |
|
T F |
하강 시간 |
|
105 |
|
NS |
|
이 에 |
켜 Switching 손실 |
|
35.1 |
|
mJ |
|
이 끄다 |
그림 전환 손실 |
|
13.6 |
|
mJ |
|
I SC |
SC 데이터 |
T 전 ≤10μs, V GE =15V, T vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V |
|
1200 |
|
A |
다이오드 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 |
매개변수 |
시험 조건 |
최소. |
전형적인. |
최대. |
유닛 |
V F |
다이오드 앞 전압 |
I F = 300A,V GE =0V,T vj =2 5O C |
|
1.85 |
2.30 |
V |
I F = 300A,V GE =0V,T vj =125 O C |
|
1.90 |
|
|||
I F = 300A,V GE =0V,T vj =150 O C |
|
1.95 |
|
|||
Q R |
회복 충전 |
V R =600V,I F =300A, -di/dt=5570A/μs, V GE =-15V, LS =45 nH ,T vj =25 O C |
|
28.2 |
|
μC |
I RM |
피크 역전 회복 전류 |
|
287 |
|
A |
|
이 rec |
역회복 에너지 |
|
8.81 |
|
mJ |
|
Q R |
회복 충전 |
V R =600V,I F =300A, -di/dt=4930A/μs,V GE =-15V, LS =45 nH ,T vj =125 O C |
|
44.3 |
|
μC |
I RM |
피크 역전 회복 전류 |
|
295 |
|
A |
|
이 rec |
역회복 에너지 |
|
14.3 |
|
mJ |
|
Q R |
회복 충전 |
V R =600V,I F =300A, -di/dt=4580A/μs,V GE =-15V, LS =45 nH ,T vj =150 O C |
|
50.2 |
|
μC |
I RM |
피크 역전 회복 전류 |
|
300 |
|
A |
|
이 rec |
역회복 에너지 |
|
16.0 |
|
mJ |
모듈 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 |
매개변수 |
최소. |
전형적인. |
최대. |
UNIT |
L CE |
방랑 인덕턴스 |
|
|
20 |
nH |
R CC+EE |
모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지 |
|
0.35 |
|
mΩ |
R thJC |
교차점 -에 -사례 (perIGBT ) 부대와 부대 (D당) 요오드) |
|
|
0.087 0.153 |
K/W |
R thCH |
케이스-히트싱크 (per IGBT) 케이스-온도 싱크장 (pe) r 다이오드) 케이스-열기 싱크장 (M당) 오두엘) |
|
0.031 0.055 0.010 |
|
K/W |
m |
단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 나사 M6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
N.M |
g |
무게 of 모듈 |
|
300 |
|
g |
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