GD275MJS120L6S,IGBT 모듈,STARPOWER

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I CN

구현된 컬렉터 C 전류

275

A

I C

콜렉터 전류 @ T C =100 O C

110

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

450

A

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

V

I FN

구현된 전방 전류 엔트

275

A

I F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

300

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

450

A

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

V

I FN

구현된 전방 전류 엔트

275

A

I F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

225

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

450

A

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

V

I FN

구현된 전방 전류 엔트

275

A

I F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

300

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

450

A

상징

설명

가치

UNIT

T jmax

최대 분기 온도

175

O C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

O C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

O C

V iso

격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분

3200

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C =225A,V GE =15V, T j =25 O C

2.00

2.45

V

I C =225A,V GE =15V, T j =125 O C

2.70

I C =225A,V GE =15V, T j =150 O C

2.90

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =9.00 mA ,V CE = V GE , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 O C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항

1.7

Ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

38.1

NF

C res

역전환 용량

0.66

NF

Q g

게이트 요금

V GE =-15...+15V

2.52

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =225A, R g =2Ω,V GE =-8/+15V, L s =36 nH ,T j =25 O C

154

NS

T R

상승 시간

45

NS

T d(off)

그림 지연 시간

340

NS

T F

하강 시간

76

NS

이 에

켜 Switching 손실

13.4

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

8.08

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =225A, R g =2Ω,V GE =-8/+15V, L s =36 nH ,T j =125 O C

160

NS

T R

상승 시간

49

NS

T d(off)

그림 지연 시간

388

NS

T F

하강 시간

112

NS

이 에

켜 Switching 손실

17.6

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

11.2

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =225A, R g =2Ω,V GE =-8/+15V, L s =36 nH ,T j =150 O C

163

NS

T R

상승 시간

51

NS

T d(off)

그림 지연 시간

397

NS

T F

하강 시간

114

NS

이 에

켜 Switching 손실

18.7

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

12.0

mJ

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞 전압

I F = 300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.60

2.05

V

I F = 300A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.60

I F = 300A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.60

Q R

회복 충전

V R =600V,I F =225A,

-전류 변화율=5350A/μs,V GE =-8V L s =36 nH ,T j =25 O C

20.1

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

250

A

이 rec

역회복 에너지

6.84

mJ

Q R

회복 충전

V R =600V,I F =225A,

-전류 변화율=5080A/μs,V GE =-8V L s =36 nH ,T j =125 O C

32.5

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

277

A

이 rec

역회복 에너지

11.5

mJ

Q R

회복 충전

V R =600V,I F =225A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V L s =36 nH ,T j =150 O C

39.0

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

288

A

이 rec

역회복 에너지

14.0

mJ

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞 전압

I F =225A,V GE =0V,T j =25 O C

1.60

2.05

V

I F =225A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.60

I F =225A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.60

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞 전압

I F = 300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.60

2.05

V

I F = 300A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.60

I F = 300A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.60

Q R

회복 충전

V R =600V,I F =225A,

-전류 변화율=5050A/μs,V GE =-8V L s =30 nH ,T j =25 O C

18.6

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

189

A

이 rec

역회복 에너지

5.62

mJ

Q R

회복 충전

V R =600V,I F =225A,

-di/dt=4720A/μs,V GE =-8V L s =30 nH ,T j =125 O C

34.1

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

250

A

이 rec

역회복 에너지

11.4

mJ

Q R

회복 충전

V R =600V,I F =225A,

-di/dt=4720A/μs,V GE =-8V L s =30 nH ,T j =150 O C

38.9

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

265

A

이 rec

역회복 에너지

13.2

mJ

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

R 25

등급 저항

5.0

kΩ

∆R/R

오차 of R 100

T C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

전 25

전력 소산

20.0

mW

B 25/50

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

15

nH

R thJC

접합부-케이스 (T1 당 -T4 IGBT) 접합부-케이스 (D1/D4 당 요오드) 접합부-케이스 (D2/D3 당 요오드) 접합부-케이스 (D5/D6 당 요오드)

0.070 0.122 0.156 0.122

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (T 당 1-T4 IGBT) 케이스-히트싱크 (D1/D4 당 다이오드) 케이스-히트싱크 (D2/D3 당 다이오드) 케이스-히트싱크 (D5/D6 당 다이오드)

0.043 0.053 0.069 0.053

K/W

m

장착 토크, 스ikulu:M5

3.0

5.0

N.M

g

무게 of 모듈

250

g