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IGBT 모듈 1200V

IGBT 모듈 1200V

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GD260HTX120P7H, IGBT 모듈, STARPOWER

IGBT 모듈, 1200V 260A, 패키지:P7

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD260HTX120P7H
  • 소개
  • 개요
  • 등가 회로 도식
소개

간략한 소개

IGBT 모듈 ,생산자 STARPOWER . 1200V 260A.

특징

  • 낮은 VCE(sat) 트렌치 IGBT 기술
  • 저변화 손실
  • 6μs 단회로 능력
  • 양의 온도 계수와 함께하는 VCE(sat)
  • 최대 접합 온도 175oC
  • 낮은 인덕턴스 케이스
  • 빠른 & 부드러운 역 회수 반 병렬 FWD
  • DBC 기술을 사용한 격리된 구리 핀핀 베이스플레이트

전형적 응용

  • 자동차용 애플리케이션
  • 하이브리드 및 전기차
  • 모터 드라이브용 인버터

절대 최대 등급 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

IGBT

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I CN

구현된 집합기 Cu 임대료

260

A

I C

콜렉터 전류 @ T F =100 O C

150

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t =1ms

520

A

D

최대 전력 소산 이온 @ T F =75 O C T j =175 O C

500

W

다이오드

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 GE

1200

V

I FN

구현된 집합기 Cu 임대료

260

A

I F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

150

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t =1ms

520

A

모듈

상징

설명

가치

UNIT

T jmax

최대 분기 온도

175

O C

T jop

작동 환절 온도 연속

주기 내 10초 동안 30초의 발생 최대 3000회 수명 동안

-40에서 +150 +150 ~ +175

O C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

O C

V iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1

2500

V

IGBT 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C =150A,V GE =15V, T j =25 O C

1.40

1.75

V

I C =150A,V GE =15V, T j =125 O C

1.60

I C =150A,V GE =15V, T j =150 O C

1.60

I C =260A,V GE =15V, T j =25 O C

1.70

I C =260A,V GE =15V, T j =150 O C

2.15

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =10.4 mA ,V CE = V GE , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 O C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항

3.6

Ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

22.4

NF

C

출력 용량

0.95

NF

C res

역전환 용량

0.55

NF

Q g

게이트 요금

V CE =600V,I C =150A, V GE =-8...+15V

1.32

μC

T D ()

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =150A,

R g =3.3Ω,

V GE =-8V/+15V

L s =35 nH ,T j =25 O C

181

NS

T R

상승 시간

44

NS

T d(off)

그림 지연 시간

541

NS

T F

하강 시간

217

NS

Switching 손실

12.1

mJ

끄다

그림 전환 손실

14.4

mJ

T D ()

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =150A,

R g =3.3Ω,

V GE =-8V/+15V

L s =35 nH ,T j =125 O C

193

NS

T R

상승 시간

52

NS

T d(off)

그림 지연 시간

609

NS

T F

하강 시간

319

NS

Switching 손실

17.3

mJ

끄다

그림 전환 손실

18.3

mJ

T D ()

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =150A,

R g =3.3Ω,

V GE =-8V/+15V

L s =35 nH ,T j =150 O C

199

NS

T R

상승 시간

54

NS

T d(off)

그림 지연 시간

628

NS

T F

하강 시간

333

NS

Switching 손실

19.3

mJ

끄다

그림 전환 손실

19.3

mJ

I SC

SC 데이터

T ≤6μs, V GE =15V,

T j =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

800

A

다이오드 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞 전압

I F =150A,V GE =0V,T j =25 O C

1.45

1.80

V

I F =150A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.40

I F =150A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.35

I F =260A,V GE =0V,T j =25 O C

1.65

I F =260A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.65

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=3400A/μs,V GE =-8V L s =35 nH ,T j =25 O C

6.55

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

115

A

rec

역회복 에너지

3.23

mJ

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=2950A/μs,V GE =-8V L s =35 nH ,T j =125 O C

14.3

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

125

A

rec

역회복 에너지

5.42

mJ

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=2780A/μs,V GE =-8V L s =35 nH ,T j =150 O C

16.6

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

130

A

rec

역회복 에너지

6.31

mJ

NTC 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

R 25

등급 저항

5.0

∆R/R

오차 of R 100

T C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

25

전력

소산

20.0

mW

B 25/50

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

모듈 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

냉각 회로 압력 강하 쿠잇

Δ V⁄Δt=10.0dm3⁄min;TF=2 5 O C;냉각 유체=50% 물/50% 에틸렌 글리콜

50

마바르

냉각회로에서 최대 압력 쿠잇

2.0

R thJF

교차점 --냉각 유체 (perIGBT )접합부-냉각 유체 (D당) 요오드)

0.200 0.274

K/W

m

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 스크루브 M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

g

무게 of 모듈

685

g

개요

등가 회로 도식

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