IGBT 모듈 1200V

상징

설명

값

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

339

200

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 = 1밀리초

400

A

전 D

최대 전력 분산 @ T j =175 O C

1456

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복 피크 역전압

1200

V

I F

다이오드 연속 전면 커 임대료

75

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 = 1밀리초

150

A

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

650

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 O C

@ T C =95 O C

158

100

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 = 1밀리초

200

A

전 D

최대 전력 분산 @ T j =175 O C

441

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복 피크 역전압

650

V

I F

다이오드 연속 전면 커 임대료

100

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 = 1밀리초

200

A

상징

설명

가치

UNIT

T jmax

최대 분기 온도

175

O C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

O C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

O C

V iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분

2500

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

I C = 100A,V GE = 15V, T j =25 O C

1.40

1.85

V

I C = 100A,V GE = 15V, T j =125 O C

1.65

I C = 100A,V GE = 15V, T j =150 O C

1.70

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =5.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

수집가 절단 -끄다

전류

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 O C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

3.8

Ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

20.7

NF

C res

역전환

용량

0.58

NF

Q g

게이트 요금

V GE =- 15...+15V

1.56

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =400V, I C = 100A R g = 1. 1Ω, V GE =±15V, T j =25 O C

142

NS

T R

상승 시간

25

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

352

NS

T F

하강 시간

33

NS

이 에

켜 Switching

손실

1.21

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

3.90

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =400V, I C = 100A R g = 1. 1Ω, V GE =±15V, T j = 125O C

155

NS

T R

상승 시간

29

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

440

NS

T F

하강 시간

61

NS

이 에

켜 Switching

손실

2.02

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

5.83

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =400V, I C = 100A R g = 1. 1Ω, V GE =±15V, T j = 150O C

161

NS

T R

상승 시간

30

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

462

NS

T F

하강 시간

66

NS

이 에

켜 Switching

손실

2.24

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

6.49

mJ

I SC

SC 데이터

T 전 ≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

800

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞

전압

I F =75A,V GE =0V,T j =25 O C

1.70

2.15

V

I F =75A,V GE =0V,T j = 125O C

1.65

I F =75A,V GE =0V,T j = 150O C

1.65

Q R

회복 전하

V R =400V, I F =75A,

-di/dt=3500A/μs, V GE =- 15V T j =25 O C

8.7

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

122

A

이 rec

역회복 에너지

2.91

mJ

Q R

회복 전하

V R =400V, I F =75A,

-di/dt=3500A/μs, V GE =- 15V T j = 125O C

17.2

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

143

A

이 rec

역회복 에너지

5.72

mJ

Q R

회복 전하

V R =400V, I F =75A,

-di/dt=3500A/μs, V GE =- 15V T j = 150O C

19.4

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

152

A

이 rec

역회복 에너지

6.30

mJ

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

I C = 100A,V GE = 15V, T j =25 O C

1.45

1.90

V

I C = 100A,V GE = 15V, T j =125 O C

1.60

I C = 100A,V GE = 15V, T j =150 O C

1.70

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C = 1.60mA, V CE =V GE , T j =25 O C

5.0

5.8

6.5

V

I CES

수집가 절단 -끄다

전류

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 O C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

2.0

Ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

11.6

NF

C res

역전환

용량

0.23

NF

Q g

게이트 요금

V GE =- 15...+15V

0.69

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =400V, I C = 100A R g =3.3Ω,V GE =±15V, T j =25 O C

44

NS

T R

상승 시간

20

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

200

NS

T F

하강 시간

28

NS

이 에

켜 Switching

손실

1.48

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

2.48

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =400V, I C = 100A R g =3.3Ω,V GE =±15V, T j = 125O C

48

NS

T R

상승 시간

24

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

216

NS

T F

하강 시간

40

NS

이 에

켜 Switching

손실

2.24

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

3.28

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =400V, I C = 100A R g =3.3Ω,V GE =±15V, T j = 150O C

52

NS

T R

상승 시간

24

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

224

NS

T F

하강 시간

48

NS

이 에

켜 Switching

손실

2.64

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

3.68

mJ

I SC

SC 데이터

T 전 ≤6μs,V GE = 15V,

T j =150 O C,V CC =360V, V CEM ≤650V

500

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞

전압

I F = 100A,V GE =0V,T j =25 O C

1.55

2.00

V

I F = 100A,V GE =0V,T j = 125O C

1.50

I F = 100A,V GE =0V,T j = 150O C

1.45

Q R

회복 전하

V R =400V, I F = 100A

-di/dt=4070A/μs, V GE =- 15V T j =25 O C

3.57

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

99

A

이 rec

역회복 에너지

1.04

mJ

Q R

회복 전하

V R =400V, I F = 100A

-di/dt=4070A/μs, V GE =- 15V T j = 125O C

6.49

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

110

A

이 rec

역회복 에너지

1.70

mJ

Q R

회복 전하

V R =400V, I F = 100A

-di/dt=4070A/μs, V GE =- 15V T j = 150O C

7.04

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

110

A

이 rec

역회복 에너지

1.81

mJ

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

R 25

등급 저항

5.0

kΩ

ΔR/R

오차 of R 100

T C = 100 O C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

전 25

전력

소산

20.0

mW

B 25/50

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/50 1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/80 1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/100 1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

k

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

R thJC

커스 (T1당) T4 IGBT)

접합부-케이스 (D1, D4 디오드당) de)

접합부-케이스 (T2 당) T3 IGBT)

접합부-외각 (D2,D3 다이당) de)

0.094

0.405

0.309

0.544

0.103

0.446

0.340

0.598

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per T1,T4 IGBT)

외각-열전도판 (D1,D4 당) 다이오드)

케이스-히트싱크 (per T2,T3 IGBT)

외각-열전도판 (D2,D3 당) 다이오드)

케이스-히트싱크 (per 모듈)

0.126

0.547

0.417

0.733

0.037

K/W

F

클램프당 설치력

40

80

N

g

무게 of 모듈

39

g