GD200HFY120C2S,IGBT 모듈,STARPOWER

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

309

200

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

400

A

전 D

최대 전력 분산 @ T =175 o C

1006

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복 피크 역전압

1200

V

I F

다이오드 연속 전면 커 임대료

200

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

400

A

상징

설명

가치

UNIT

T jmax

최대 분기 온도

175

o C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

o C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

o C

V Iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분

2500

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

I C =200A,V GE =15V, T j =25 o C

1.70

2.15

V

I C =200A,V GE =15V, T j =125 o C

1.95

I C =200A,V GE =15V, T j =150 o C

2.00

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =5.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

수집가 절단 -끄다

전류

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

4.0

ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

20.7

nF

C res

역전환

용량

0.58

nF

Q G

게이트 요금

V GE =- 15...+15V

1.55

μC

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω, V GE =±15V, T j =25 o C

150

nS

t r

상승 시간

32

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

330

nS

t f

하강 시간

93

nS

이 에

켜 Switching

손실

11.2

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

11.3

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω, V GE =±15V, T j = 125o C

161

nS

t r

상승 시간

37

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

412

nS

t f

하강 시간

165

nS

이 에

켜 Switching

손실

19.8

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

17.0

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω, V GE =±15V, T j = 150o C

161

nS

t r

상승 시간

43

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

433

nS

t f

하강 시간

185

nS

이 에

켜 Switching

손실

21.9

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

19.1

mJ

I SC

SC 데이터

t 전 ≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150 o C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

800

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V F

다이오드 앞

전압

I F =200A,V GE =0V,T j =25 o C

1.65

2.10

V

I F =200A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

I F =200A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

Q r

회복 전하

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C

17.6

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

228

A

이 rec

역회복 에너지

7.7

mJ

Q r

회복 전하

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =125 o C

31.8

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

238

A

이 rec

역회복 에너지

13.8

mJ

Q r

회복 전하

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =150 o C

36.6

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

247

A

이 rec

역회복 에너지

15.2

mJ

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC+EE

모듈 리드 레시스타 칩에 터미널

0.35

mΩ

R thJC

부문별 (IGB당) T)

커스 (D) 에 대한 연결 오드)

0.149

0.206

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT)

케이스-히트싱크 (p er 다이오드)

케이스-히트싱크 (per 모듈)

0.034

0.048

0.010

K/W

M

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 나사 M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

무게 of 모듈

300

g