GD200HFY120C2S, IGBT 모듈, STARPOWER

소개

간략한 소개

IGBT 모듈 ,STARPOWER에서 제작. 1200V 200A.

특징

낮은 VCE(sat) 트렌치 IGBT 기술
10μs 단회로 능력
양의 온도 계수와 함께하는 VCE(sat)
최대 접합 온도 175oC
낮은 인덕턴스 케이스
빠른 & 부드러운 역 회수 반 병렬 FWD
DBC 기술을 이용한 고립된 구리 기판

전형적 응용

모터 드라이브용 인버터
AC 및 DC 서보 드라이브 앰프
비상 전원 공급 장치

절대 최대 등급 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

IGBT

상징	설명	값	UNIT
V CES	컬렉터-이미터 전압	1200	V
V GES	게이트-이미터 전압	±20	V
I C	콜렉터 전류 @ T C =25 O C @ T C = 100O C	309 200	A
I 센티미터	펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms	400	A
전 D	최대 전력 분산 @ T =175 O C	1006	W

다이오드

상징	설명	값	UNIT
V RRM	반복 피크 역전압	1200	V
I F	다이오드 연속 전면 커 임대료	200	A
I Fm	다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms	400	A

모듈

상징	설명	값	UNIT
T jmax	최대 분기 온도	175	O C
T jop	작동점 온도	-40에서 +150	O C
T STG	보관 온도 범위	-40에서 +125	O C
V iso	격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분	2500	V

IGBT 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
V CE (sat)	수집자로부터 발산자 포화전압	I C =200A,V GE =15V, T j =25 O C		1.70	2.15	V
		I C =200A,V GE =15V, T j =125 O C		1.95
		I C =200A,V GE =15V, T j =150 O C		2.00
V GE (번째 )	게이트 발산자 문 전압	I C =5.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 O C	5.2	6.0	6.8	V
I CES	수집가 절단 -끄다 전류	V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 O C			1.0	mA
I GES	게이트 발사자 누출 전류	V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C			400	부적절함
R Gint	내부 게이트 저항 ance			4.0		Ω
C ies	입력 용량	V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V		20.7		NF
C res	역전환 용량	V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V		0.58		NF
Q g	게이트 요금	V GE =- 15...+15V		1.55		μC
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =600V,I C =200A, R g = 1. 1Ω, V GE =±15V, T j =25 O C		150		NS
T R	상승 시간			32		NS
T D (끄다 )	그림 지연 시간			330		NS
T F	하강 시간			93		NS
이 에	켜 Switching 손실			11.2		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			11.3		mJ
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =600V,I C =200A, R g = 1. 1Ω, V GE =±15V, T j = 125O C		161		NS
T R	상승 시간			37		NS
T D (끄다 )	그림 지연 시간			412		NS
T F	하강 시간			165		NS
이 에	켜 Switching 손실			19.8		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			17.0		mJ
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =600V,I C =200A, R g = 1. 1Ω, V GE =±15V, T j = 150O C		161		NS
T R	상승 시간			43		NS
T D (끄다 )	그림 지연 시간			433		NS
T F	하강 시간			185		NS
이 에	켜 Switching 손실			21.9		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			19.1		mJ
I SC	SC 데이터	T 전 ≤ 10μs,V GE =15V, T j =150 O C,V CC =900V, V CEM ≤1200V		800		A

다이오드 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	유닛
V F	다이오드 앞 전압	I F =200A,V GE =0V,T j =25 O C		1.65	2.10	V
		I F =200A,V GE =0V,T j = 125O C		1.65
		I F =200A,V GE =0V,T j = 150O C		1.65
Q R	회복 전하	V R =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =25 O C		17.6		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			228		A
이 rec	역회복 에너지			7.7		mJ
Q R	회복 전하	V R =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =125 O C		31.8		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			238		A
이 rec	역회복 에너지			13.8		mJ
Q R	회복 전하	V R =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =150 O C		36.6		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			247		A
이 rec	역회복 에너지			15.2		mJ

모듈 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
L CE	방랑 인덕턴스			20	nH
R CC+EE	모듈 리드 레시스타 칩에 터미널		0.35		mΩ
R thJC	부문별 (IGB당) T) 커스 (D) 에 대한 연결 오드)			0.149 0.206	K/W
R thCH	케이스-히트싱크 (per IGBT) 케이스-히트싱크 (p er 다이오드) 케이스-히트싱크 (per 모듈)		0.034 0.048 0.010		K/W
m	단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 나사 M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
g	무게 of 모듈		300		g