GD200HFX120C8SN, IGBT 모듈, STARPOWER

소개

간략한 소개

IGBT 모듈 ,생산자 STARPOWER . 1200V 200A.

특징

낮은 VCE(sat) 트렌치 IGBT 기술
10μs 단회로 능력
양의 온도 계수와 함께하는 VCE(sat)
최대 접합부 온도 175 °C
낮은 인덕턴스 케이스
빠른 & 부드러운 역 회수 반 병렬 FWD
DBC 기술을 이용한 고립된 구리 기판

전형적 응용

모터 드라이브용 인버터
AC 및 DC 서보 드라이브 앰프
비상 전원 공급 장치

절대 최대 등급 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

IGBT

상징	설명	가치	UNIT
V CES	컬렉터-이미터 전압	1200	V
V GES	게이트-이미터 전압	±20	V
I C	콜렉터 전류 @ T C =25 O C @ T C =100 O C	363 200	A
I CRM	반복적 최고 수집가 전류 tp 제한된 에 의해 T vjop	400	A
전 D	최대 전력 분산 @ T vj =175 O C	1293	W

다이오드

상징	설명	가치	UNIT
V RRM	반복적 피크 역전압 연령	1200	V
I F	다이오드 연속 정방향 Cu 임대료	200	A
I FRM	반복적 최고 앞으로 전류 tp 제한된 에 의해 T vjop	400	A

모듈

상징	설명	가치	UNIT
T vjmax	최대 분기 온도	175	O C
T vjop	작동점 온도	-40에서 +150	O C
T STG	보관 온도 범위	-40에서 +125	O C
V iso	격리 전압 RMS,f=50Hz,t= 1분	2500	V

IGBT 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
V CE (sat)	수집자로부터 발산자 포화전압	I C =200A,V GE =15V, T vj =25 O C		1.75	2.20	V
		I C =200A,V GE =15V, T vj =125 O C		2.00
		I C =200A,V GE =15V, T vj =150 O C		2.05
V GE (번째 )	게이트 발산자 문 전압	I C =8.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I CES	수집가 절단 -끄다 전류	V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 O C			1.0	mA
I GES	게이트 발사자 누출 전류	V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C			400	부적절함
R Gint	내부 게이트 저항 ance			1.0		Ω
C ies	입력 용량	V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V		18.6		NF
C res	역전환 용량	V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V		0.52		NF
Q g	게이트 요금	V GE =-15 ...+15V		1.40		μC
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =600V,I C =200A, R g =2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj =25 O C		140		NS
T R	상승 시간			31		NS
T d(off)	그림 지연 시간			239		NS
T F	하강 시간			188		NS
이 에	켜 Switching 손실			11.2		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			13.4		mJ
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =600V,I C =200A, R g =2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj =125 O C		146		NS
T R	상승 시간			36		NS
T d(off)	그림 지연 시간			284		NS
T F	하강 시간			284		NS
이 에	켜 Switching 손실			19.4		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			18.9		mJ
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =600V,I C =200A, R g =2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj =150 O C		148		NS
T R	상승 시간			37		NS
T d(off)	그림 지연 시간			294		NS
T F	하강 시간			303		NS
이 에	켜 Switching 손실			21.7		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			19.8		mJ
I SC	SC 데이터	T 전 ≤10μs, V GE =15V, T vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V		800		A

다이오드 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	유닛
V F	다이오드 앞 전압	I F =200A,V GE =0V,T vj =2 5O C		1.85	2.30	V
		I F =200A,V GE =0V,T vj =125 O C		1.90
		I F =200A,V GE =0V,T vj =150 O C		1.95
Q R	회복 전하	V R =600V,I F =200A, -di⁄dt=5710A⁄μs, Ls=50nH, V GE =-15V, T vj =25 O C		20.0		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			220		A
이 rec	역회복 에너지			7.5		mJ
Q R	회복 전하	V R =600V,I F =200A, -di⁄dt=4740A⁄μs, Ls=50nH, V GE =-15V, T vj =125 O C		34.3		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			209		A
이 rec	역회복 에너지			12.9		mJ
Q R	회복 전하	V R =600V,I F =200A, -di⁄dt=4400A⁄μs, Ls=50nH, V GE =-15V, T vj =150 O C		38.7		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			204		A
이 rec	역회복 에너지			14.6		mJ

모듈 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
R thJC	교차점 -에 -사례 (perIGBT ) 커스 (D) 에 대한 연결 오드)			0.116 0.185	K/W
R thCH	케이스-히트싱크 (per IGBT) 케이스-온도 싱크장 (pe) r 다이오드) 케이스-열기 싱크장 (M당) 오두엘)		0.150 0.239 0.046		K/W
m	단자 연결 토크, 스크루브 M5 장착 토크, 스크루브 M5	2.5 2.5		3.5 3.5	N.M
g	무게 of 모듈		200		g