IGBT 모듈 1200V

상징

설명

값

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 O C

@ T C =100 O C

340

200

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

400

A

전 D

최대 전력 분산 @ T j =175 O C

1190

W

상징

설명

값

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

V

I F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

200

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

400

A

상징

설명

값

UNIT

T jmax

최대 분기 온도

175

O C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

O C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

O C

V iso

격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분

2500

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

I C =200A,V GE =15V, T j =25 O C

1.70

2.15

V

I C =200A,V GE =15V, T j =125 O C

1.95

I C =200A,V GE =15V, T j =150 O C

2.00

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =8.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

수집가 절단 -끄다

전류

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 O C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

3.75

Ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

20.7

NF

C res

역전환

용량

0.58

NF

Q g

게이트 요금

V GE =- 15...+15V

1.55

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =200A, R g =1. 1Ω, V GE =±15V, T j =25 O C

150

NS

T R

상승 시간

32

NS

T d(off)

그림 지연 시간

330

NS

T F

하강 시간

93

NS

이 에

켜 Switching

손실

9.7

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

11.3

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =200A, R g =1. 1Ω, V GE =±15V, T j =125 O C

161

NS

T R

상승 시간

37

NS

T d(off)

그림 지연 시간

412

NS

T F

하강 시간

165

NS

이 에

켜 Switching

손실

20.2

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

17.0

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =200A, R g =1. 1Ω, V GE =±15V, T j =150 O C

161

NS

T R

상승 시간

43

NS

T d(off)

그림 지연 시간

433

NS

T F

하강 시간

185

NS

이 에

켜 Switching

손실

22.4

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

19.1

mJ

I SC

SC 데이터

T 전 ≤10μs, V GE =15V,

T j =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

800

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V F

다이오드 앞

전압

I F =200A,V GE =0V,T j =25 O C

2.40

2.90

V

I F =200A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.95

I F =200A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.80

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V GE =- 15V T j =25 O C

20.3

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

160

A

이 rec

역회복 에너지

8.0

mJ

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V GE =- 15V T j =125 O C

38.4

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

201

A

이 rec

역회복 에너지

14.2

mJ

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V GE =- 15V T j =150 O C

44.2

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

212

A

이 rec

역회복 에너지

15.6

mJ

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지

0.35

mΩ

R thJC

부문별 (IGB당) T)

커스 (D) 에 대한 연결 오드)

0.126

0.211

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT)

케이스-온도 싱크장 (pe) r 다이오드)

케이스-열기 싱크장 (M당) 오두엘)

0.032

0.053

0.010

K/W

m

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 나사 M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

무게 of 모듈

300

g