GD200HFU120C2S,IGBT 모듈,STARPOWER

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 o C

@ T C =65 o C

262

200

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

400

A

전 D

최대 전력 분산 @ T =150 o C

1315

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복 피크 역전압

1200

V

I F

다이오드 연속 전면 커 임대료

200

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

400

A

상징

설명

가치

UNIT

T jmax

최대 분기 온도

150

o C

T jop

작동점 온도

-40에서 +125

o C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

o C

V Iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분

2500

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

I C =200A,V GE =15V, T j =25 o C

3.00

3.45

V

I C =200A,V GE =15V, T j =125 o C

3.80

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =2.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

4.5

5.4

6.5

V

I CES

수집가 절단 -끄다

전류

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

5.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

1.3

ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

13.0

nF

C res

역전환

용량

0.85

nF

Q G

게이트 요금

V GE =- 15...+15V

2.10

μC

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =200A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, T j =25 o C

87

nS

t r

상승 시간

40

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

451

nS

t f

하강 시간

63

nS

이 에

켜 Switching

손실

6.8

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

11.9

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =200A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, T j = 125o C

88

nS

t r

상승 시간

44

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

483

nS

t f

하강 시간

78

nS

이 에

켜 Switching

손실

11.4

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

13.5

mJ

I SC

SC 데이터

t 전 ≤ 10μs,V GE =15V,

T j =125 o C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

1300

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞

전압

I F =200A,V GE =0V,T j =25 o C

1.95

2.40

V

I F =200A,V GE =0V,T j =125 o C

2.00

Q r

회복 전하

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C

13.3

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

236

A

이 rec

역회복 에너지

6.6

mJ

Q r

회복 전하

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V GE =- 15V T j =125 o C

23.0

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

269

A

이 rec

역회복 에너지

10.5

mJ

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

30

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로

0.35

mΩ

R thJC

부문별 (IGB당) T)

부대와 부대 (D당) 요오드)

0.095

0.202

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT)

케이스-히트싱크 (p er 다이오드)

케이스-히트싱크 (per 모듈)

0.029

0.063

0.010

K/W

M

단자 연결 토크, 스크루브 M5 장착 토크, 나사 M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

무게 of 모듈

300

g