GD200HFQ120C2SD,IGBT 모듈,STARPOWER

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 O C @ T C =100 O C

324

200

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

400

A

전 D

최대 전력 분산 @ T vj =175 O C

1181

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

V

I F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

200

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

400

A

상징

설명

가치

UNIT

T vjmax

최대 분기 온도

175

O C

T vjop

작동점 온도

-40에서 +150

O C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

O C

V iso

격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분

2500

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C =200A,V GE =15V, T vj =25 O C

1.85

2.30

V

I C =200A,V GE =15V, T vj =125 O C

2.25

I C =200A,V GE =15V, T vj =150 O C

2.35

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =8.00 mA ,V CE = V GE , T vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 O C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

3.8

Ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

21.6

NF

C res

역전환 용량

0.59

NF

Q g

게이트 요금

V GE =-15...+15V

1.68

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =200A, R g =4.7Ω, L s =45 nH , V GE =±15V,T vj =25 O C

100

NS

T R

상승 시간

72

NS

T d(off)

그림 지연 시간

303

NS

T F

하강 시간

71

NS

이 에

켜 Switching 손실

26.0

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

6.11

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =200A, R g =4.7Ω, L s =45 nH , V GE =±15V,T vj =125 O C

99

NS

T R

상승 시간

76

NS

T d(off)

그림 지연 시간

325

NS

T F

하강 시간

130

NS

이 에

켜 Switching 손실

33.5

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

8.58

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =200A, R g =4.7Ω, L s =45 nH , V GE =±15V,T vj =150 O C

98

NS

T R

상승 시간

80

NS

T d(off)

그림 지연 시간

345

NS

T F

하강 시간

121

NS

이 에

켜 Switching 손실

36.2

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

9.05

mJ

I SC

SC 데이터

T 전 ≤10μs, V GE =15V,

T vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

750

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V F

다이오드 앞 전압

I F =200A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.85

2.30

V

I F =200A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.90

I F =200A,V GE =0V,T vj =150 O C

1.95

Q R

회복 충전

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=1890A/μs,V GE =-15V, L s =45 nH ,T vj =25 O C

19.4

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

96

A

이 rec

역회복 에너지

5.66

mJ

Q R

회복 충전

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=1680A/μs,V GE =-15V, L s =45 nH ,T vj =125 O C

29.5

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

106

A

이 rec

역회복 에너지

8.56

mJ

Q R

회복 충전

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=1600A/μs,V GE =-15V, L s =45 nH ,T vj =150 O C

32.2

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

107

A

이 rec

역회복 에너지

9.24

mJ

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지

0.35

mΩ

R thJC

교차점 -에 -사례 (perIGBT ) 부대와 부대 (D당) 요오드)

0.127 0.163

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT) 케이스-온도 싱크장 (pe) r 다이오드) 케이스-열기 싱크장 (M당) 오두엘)

0.036 0.046 0.010

K/W

m

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 나사 M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

g

무게 of 모듈

300

g