GD150PFX170C6SG, IGBT 모듈, STARPOWER

소개

간략한 소개

IGBT 모듈 ,생산자 STARPOWER . 1700V 150A.

특징

낮은 VCE(sat) 트렌치 IGBT 기술
10μs 단회로 능력
양의 온도 계수와 함께하는 VCE(sat)
최대 접합 온도 175oC
낮은 인덕턴스 케이스
빠른 & 부드러운 역 회수 반 병렬 FWD
DBC 기술을 이용한 고립된 구리 기판

전형적 응용

모터 드라이브용 인버터
AC 및 DC 서보 드라이브 앰프
비상 전원 공급 장치

절대 최대 등급 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

IGBT 인버터

상징	설명	가치	UNIT
V CES	컬렉터-이미터 전압	1700	V
V GES	게이트-이미터 전압	±20	V
I C	콜렉터 전류 @ T C =25 O C @ T C =95 O C	232 150	A
I 센티미터	펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms	300	A
전 D	최대 전력 분산 @ T j =175 O C	828	W

다이오드 인버터

상징	설명	가치	UNIT
V RRM	반복적 피크 역전압 연령	1700	V
I F	다이오드 연속 정방향 Cu 임대료	150	A
I Fm	다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms	300	A

다이오드-정류기

상징	설명	가치	UNIT
V RRM	반복적 피크 역전압 연령	1800	V
I O	평균 출력 전류 5 0Hz/60Hz, 사인파	150	A
I FSM	서지 전류 t 전 =10ms @ T j = 25O C @ T j =150 O C	1600 1400	A
I 2T	I 2t값,t 전 =10ms @ T j =25 O C @ T j =150 O C	13000 9800	A 2s

모듈

상징	설명	가치	UNIT
T jmax	최대 접합부 온도(인버터) 최대 접합부 온도 (정류기)	175 150	O C
T jop	작동점 온도	-40에서 +150	O C
T STG	보관 온도 범위	-40에서 +125	O C
V iso	격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분	4000	V

IGBT -인버터 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
V CE (sat)	수집자로부터 발산자 포화전압	I C =150A,V GE =15V, T j =25 O C		1.85	2.20	V
		I C =150A,V GE =15V, T j =125 O C		2.25
		I C =150A,V GE =15V, T j =150 O C		2.35
V GE (번째 )	게이트 발산자 문 전압	I C =6.00 mA ,V CE = V GE , T j =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I CES	수집가 절단 -끄다 전류	V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 O C			5.0	mA
I GES	게이트 발사자 누출 전류	V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C			400	부적절함
R Gint	내부 게이트 저항 ance			4.3		Ω
C ies	입력 용량	V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V		18.1		NF
C res	역전환 용량	V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V		0.44		NF
Q g	게이트 요금	V GE =-15 ...+15V		1.41		μC
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =900V,I C =150A, R g =4.7Ω,V GE =±15V, L s =46 nH ,T j =25 O C		292		NS
T R	상승 시간			55		NS
T d(off)	그림 지연 시간			458		NS
T F	하강 시간			392		NS
이 에	켜 Switching 손실			33.6		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			26.3		mJ
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =900V,I C =150A, R g =4.7Ω,V GE =±15V, L s =46 nH ,T j =125 O C		342		NS
T R	상승 시간			67		NS
T d(off)	그림 지연 시간			520		NS
T F	하강 시간			568		NS
이 에	켜 Switching 손실			50.5		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			35.7		mJ
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =900V,I C =150A, R g =4.7Ω,V GE =±15V, L s =46 nH ,T j =150 O C		352		NS
T R	상승 시간			68		NS
T d(off)	그림 지연 시간			535		NS
T F	하강 시간			589		NS
이 에	켜 Switching 손실			53.3		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			36.3		mJ
I SC	SC 데이터	T 전 ≤10μs, V GE =15V, T j =150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V		600		A

다이오드 -인버터 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
V F	다이오드 앞 전압	I F =150A,V GE =0V,T j =25 O C		1.80	2.25	V
		I F =150A,V GE =0V,T j =1 25O C		1.90
		I F =150A,V GE =0V,T j =1 50O C		1.95
Q R	회복 전하	V R =900V,I F =150A, -di/dt=2340A/μs,V GE =-15V L s =46 nH ,T j =25 O C		21.3		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			183		A
이 rec	역회복 에너지			20.4		mJ
Q R	회복 전하	V R =900V,I F =150A, -di/dt=2000A/μs,V GE =-15V L s =46 nH ,T j =125 O C		36.2		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			196		A
이 rec	역회복 에너지			33.9		mJ
Q R	회복 전하	V R =900V,I F =150A, -di/dt=1830A/μs,V GE =-15V L s =46 nH ,T j =150 O C		41.2		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			199		A
이 rec	역회복 에너지			36.3		mJ

다이오드 -정류기 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
V F	다이오드 앞 전압	I C =150A, T j =150 O C		0.90		V
I R	역방향 전류	T j =150 O C,V R =1800V			3.0	mA

NTC 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
R 25	등급 저항			5.0		kΩ
∆R/R	오차 of R 100	T C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
전 25	전력 소산				20.0	mW
B 25/50	B값	R 2=R 25경험치 [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		k
B 25/80	B값	R 2=R 25경험치 [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		k
B 25/100	B값	R 2=R 25경험치 [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		k

모듈 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
R thJC	교차점 -에 -사례 (perIGBT -인버터 ) 접합부-외피 (다이오드-인버터당 ) 접합부-외각 (다이오드 당-정류기 )			0.181 0.300 0.289	K/W
R thCH	사례 -에 -열기 (perIGBT -인버터 )외각-히트싱크 (다이오드 당-인버터 ) 외각-히트싱크 (다이오드 당-정류기 ) 케이스-히트싱크 (per 모듈)		0.092 0.152 0.146 0.009		K/W
m	장착 토크, 스ikulu:M5	3.0		6.0	N.M
g	무게 of 모듈		300		g