GD150HFX170C1S, IGBT 모듈, STARPOWER

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1700

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 O C @ T C =95 O C

229

150

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

300

A

전 D

최대 전력 분산 @ T j =175 O C

815

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1700

V

I F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

150

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

300

A

상징

설명

가치

UNIT

T jmax

최대 분기 온도

175

O C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

O C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

O C

V iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t= 1분

4000

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C =150A,V GE =15V, T j =25 O C

1.85

2.30

V

I C =150A,V GE =15V, T j =125 O C

2.25

I C =150A,V GE =15V, T j =150 O C

2.35

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =6.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 O C

5.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항

5.0

Ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

18.1

NF

C res

역전환 용량

0.44

NF

Q g

게이트 요금

V GE =-15 ...+15V

1.41

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =150A, R g =3.3Ω,V GE =±15V, L s =70 nH , T j =25 O C

303

NS

T R

상승 시간

75

NS

T d(off)

그림 지연 시간

417

NS

T F

하강 시간

352

NS

이 에

켜 Switching 손실

42.3

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

25.3

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =150A, R g =3.3Ω,V GE =±15V, L s =70 nH ,T j =125 O C

323

NS

T R

상승 시간

88

NS

T d(off)

그림 지연 시간

479

NS

T F

하강 시간

509

NS

이 에

켜 Switching 손실

58.9

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

34.9

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =150A, R g =3.3Ω,V GE =±15V, L s =70 nH ,T j =150 O C

327

NS

T R

상승 시간

90

NS

T d(off)

그림 지연 시간

498

NS

T F

하강 시간

608

NS

이 에

켜 Switching 손실

65.6

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

40.2

mJ

I SC

SC 데이터

T 전 ≤10μs, V GE =15V,

T j =150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

600

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞 전압

I F =150A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

I F =150A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.90

I F =150A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.95

Q R

회복 전하

V R =900V,I F =150A,

-di/dt=1510A/μs,V GE =-15V L s =70 nH , T j =25 O C

26.2

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

131

A

이 rec

역회복 에너지

21.6

mJ

Q R

회복 전하

V R =900V,I F =150A,

-di/dt=1280A/μs,V GE =-15V L s =70nH, T j =125 O C

48.0

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

140

A

이 rec

역회복 에너지

40.1

mJ

Q R

회복 전하

V R =900V,I F =150A,

-di/dt=1240A/μs,V GE =-15V L s =70nH, T j =150 O C

52.3

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

142

A

이 rec

역회복 에너지

42.5

mJ

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

30

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로

0.65

mΩ

R thJC

교차점 -에 -사례 (perIGBT ) 커스 (D) 에 대한 연결 오드)

0.184 0.368

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT) 케이스-온도 싱크장 (pe) r 다이오드) 케이스-열기 싱크장 (M당) 오두엘)

0.150 0.300 0.050

K/W

m

단자 연결 토크, 스크루브 M5 장착 토크, 나사 M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

g

무게 of 모듈

150

g