GD150HFU120C2SD, IGBT 모듈, STARPOWER

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 O C @ T C =85 O C

241

150

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

300

A

전 D

최대 전력 분산 @ T vj =150 O C

1262

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

V

I F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

150

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

300

A

상징

설명

가치

UNIT

T vjmax

최대 분기 온도

150

O C

T vjop

작동점 온도

-40에서 +125

O C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

O C

V iso

격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분

2500

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C =150A,V GE =15V, T vj =25 O C

2.90

3.35

V

I C =150A,V GE =15V, T vj =125 O C

3.60

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =3.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 O C

5.0

6.1

7.0

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 O C

5.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

1.50

Ω

C ies

입력 용량

V CE =30V,f=1MHz, V GE =0V

19.2

NF

C res

역전환 용량

0.60

NF

Q g

게이트 요금

V GE =-15...+15V

1.83

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =150A, R g =6.8Ω,Ls=48nH, V GE =±15V,T vj =25 O C

74

NS

T R

상승 시간

92

NS

T d(off)

그림 지연 시간

401

NS

T F

하강 시간

31

NS

이 에

켜 Switching 손실

19.0

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

3.09

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =150A, R g =6.8Ω, Ls=48nH, V GE =±15V,T vj =125 O C

61

NS

T R

상승 시간

95

NS

T d(off)

그림 지연 시간

444

NS

T F

하강 시간

47

NS

이 에

켜 Switching 손실

22.5

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

3.99

mJ

I SC

SC 데이터

T 전 ≤10μs, V GE =15V,

T vj =125 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

975

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞 전압

I F =150A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.85

2.30

V

I F =150A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.90

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=1480A/μs,V GE =-15V, LS =48 nH ,T vj =25 O C

13.7

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

91

A

이 rec

역회복 에너지

4.01

mJ

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=1560A/μs,V GE =-15V, LS =48 nH ,T vj =125 O C

22.1

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

111

A

이 rec

역회복 에너지

6.65

mJ

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

30

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로

0.35

mΩ

R thJC

교차점 -에 -사례 (perIGBT ) 커스 (D) 에 대한 연결 오드)

0.099 0.259

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT) 케이스-온도 싱크장 (pe) r 다이오드) 케이스-열기 싱크장 (M당) 오두엘)

0.028 0.072 0.010

K/W

m

단자 연결 토크, 스크루브 M5 장착 토크, 나사 M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

g

무게 of 모듈

300

g