GD1200SGX170A3S,IGBT 모듈,대전류 igbt 모듈,STARPOWER

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1700

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 O C @ T C =100 O C

2206

1200

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

2400

A

전 D

최대 전력 분산 @ T j =175 O C

8.77

KW

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1700

V

I F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

1200

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

2400

A

상징

설명

가치

UNIT

T jmax

최대 분기 온도

175

O C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

O C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

O C

V iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t= 1분

4000

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C =1200A,V GE =15V, T j =25 O C

1.85

2.20

V

I C =1200A,V GE =15V, T j =125 O C

2.25

I C =1200A,V GE =15V, T j =150 O C

2.35

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =48.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 O C

5.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항

1.0

Ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

145

NF

C res

역전환 용량

3.51

NF

Q g

게이트 요금

V GE =-15 ...+15V

11.3

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =1200A, R g =1.0Ω,

V GE =-9/+15V,

L s =65 nH ,T j =25 O C

440

NS

T R

상승 시간

112

NS

T d(off)

그림 지연 시간

1200

NS

T F

하강 시간

317

NS

이 에

켜 Switching 손실

271

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

295

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =1200A, R g =1.0Ω,

V GE =-9/+15V,

L s =65 nH ,T j =125 O C

542

NS

T R

상승 시간

153

NS

T d(off)

그림 지연 시간

1657

NS

T F

하강 시간

385

NS

이 에

켜 Switching 손실

513

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

347

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =1200A, R g =1.0Ω,

V GE =-9/+15V,

L s =65 nH ,T j =150 O C

547

NS

T R

상승 시간

165

NS

T d(off)

그림 지연 시간

1695

NS

T F

하강 시간

407

NS

이 에

켜 Switching 손실

573

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

389

mJ

I SC

SC 데이터

T 전 ≤10μs, V GE =15V,

T j =150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

4800

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞 전압

I F =1200A,V GE =0V, t j =25℃

1.80

2.25

V

I F =1200A,V GE =0V, t j =125℃

1.90

I F =1200A,V GE =0V, t j =150℃

1.95

Q R

회복 전하

V CC =900V,I F =1200A,

-di/dt=10500A/μs,V GE =-9V, L s =65nH,T j =25℃

190

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

844

A

이 rec

역회복 에너지

192

mJ

Q R

회복 전하

V CC =900V,I F =1200A,

-di/dt=7050A/μs,V GE =-9V, L s =65nH,T j =125℃

327

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

1094

A

이 rec

역회복 에너지

263

mJ

Q R

회복 전하

V CC =900V,I F =1200A,

-di/dt=6330A/μs,V GE =-9V, L s =65nH,T j =150℃

368

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

1111

A

이 rec

역회복 에너지

275

mJ

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

12

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지

0.19

mΩ

R thJC

교차점 -에 -사례 (perIGBT ) 부대와 부대 (D당) 요오드)

17.1 26.2

K/kW

R thCH

사례 -에 -열기 (perIGBT )케이스-히트싱크 (p er 다이오드) 케이스-히트싱크 (per 모듈)

9.9 15.2 6.0

K/kW

m

전원 단자 나사:M4 전원 단자 나사:M8 장착 나사:M6

1.8 8.0 4.25

2.1 10.0 5.75

N.M

g

무게 of 모듈

1050

g