GD2400SGX170C4S,IGBT 모듈,대전류 igbt 모듈,STARPOWER

소개

간략한 소개

IGBT 모듈 ,STARPOWER에서 제작. 1 700V 1200A ,A3 .

특징

낮은 VCE(sat) 트렌치 IGBT 기술
10μs 단회로 능력
양의 온도 계수와 함께하는 VCE(sat)
최대 접합 온도 175oC
낮은 인덕턴스 케이스
빠른 & 부드러운 역 회수 반 병렬 FWD
DBC 기술을 이용한 고립된 구리 기판

전형적 응용

고전력 변환기
모터 드라이브
풍력 터빈

절대 최대 등급 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

IGBT

상징	설명	가치	UNIT
V CES	컬렉터-이미터 전압	1700	V
V GES	게이트-이미터 전압	±20	V
I C	콜렉터 전류 @ T C =25 O C @ T C =100 O C	1965 1200	A
I 센티미터	펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms	2400	A
전 D	최대 전력 분산 @ T vj =175 O C	6.55	KW

다이오드

상징	설명	가치	UNIT
V RRM	반복적 피크 역전압 연령	1700	V
I F	다이오드 연속 정방향 Cu 임대료	1200	A
I Fm	다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms	2400	A

모듈

상징	설명	가치	UNIT
T vjmax	최대 분기 온도	175	O C
T vjop	작동점 온도	-40에서 +150	O C
T STG	보관 온도 범위	-40에서 +125	O C
V iso	격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분	4000	V

IGBT 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
V CE (sat)	수집자로부터 발산자 포화전압	I C =1200A,V GE =15V, T vj =25 O C		1.85	2.30	V
		I C =1200A,V GE =15V, T vj =125 O C		2.25
		I C =1200A,V GE =15V, T vj =150 O C		2.35
V GE (번째 )	게이트 발산자 문 전압	I C =48.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I CES	수집가 절단 -끄다 전류	V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 O C			5.0	mA
I GES	게이트 발사자 누출 전류	V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C			400	부적절함
R Gint	내부 게이트 저항 ance			1.6		Ω
C ies	입력 용량	V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V		142		NF
C res	역전환 용량	V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V		3.57		NF
Q g	게이트 요금	V GE =-15 ...+15V		11.8		μC
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =900V,I C =1200A, R Gon =1.5Ω, R 고프 =3.3Ω, V GE =-10/+/15V, L s =110nH,T vj =25 O C		700		NS
T R	상승 시간			420		NS
T d(off)	그림 지연 시간			1620		NS
T F	하강 시간			231		NS
이 에	켜 Switching 손실			616		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			419		mJ
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =900V,I C =1200A, R Gon =1.5Ω, R 고프 =3.3Ω, V GE =-10/+/15V, L s =110nH,T vj =125 O C		869		NS
T R	상승 시간			495		NS
T d(off)	그림 지연 시간			1976		NS
T F	하강 시간			298		NS
이 에	켜 Switching 손실			898		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			530		mJ
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =900V,I C =1200A, R Gon =1.5Ω, R 고프 =3.3Ω, V GE =-10/+/15V, L s =110nH,T vj =150 O C		941		NS
T R	상승 시간			508		NS
T d(off)	그림 지연 시간			2128		NS
T F	하강 시간			321		NS
이 에	켜 Switching 손실			981		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			557		mJ
I SC	SC 데이터	T 전 ≤10μs, V GE =15V, T vj =150 O C ,V CC =1000V, V CEM ≤1700V		4800		A

다이오드 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
V F	다이오드 앞 전압	I F =1200A,V GE =0V,T vj =25 O C		1.80	2.25	V
		I F =1200A,V GE =0V,T vj =125 O C		1.90
		I F =1200A,V GE =0V,T vj =150 O C		1.95
Q R	회복 전하	V R =900V,I F =1200A, -di/dt=2430A/μs,V GE =-10V, L s =110nH,T vj =25 O C		217		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			490		A
이 rec	역회복 에너지			108		mJ
Q R	회복 전하	V R =900V,I F =1200A, -di/dt=2070A/μs,V GE =-10V, L s =110nH,T vj =125 O C		359		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			550		A
이 rec	역회복 에너지			165		mJ
Q R	회복 전하	V R =900V,I F =1200A, -di/dt=1970A/μs,V GE =-10V, L s =110nH,T vj =150 O C		423		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			570		A
이 rec	역회복 에너지			200		mJ

모듈 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
L CE	방랑 인덕턴스		20		nH
R CC+EE	모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로		0.37		mΩ
R thJC	교차점 -에 -사례 (perIGBT ) 커스 (D) 에 대한 연결 오드)			22.9 44.2	K/kW
R thCH	케이스-히트싱크 (per IGBT) 케이스-온도 싱크장 (pe) r 다이오드) 케이스-열기 싱크장 (M당) 오두엘)		18.2 35.2 6.0		K/kW
m	단자 연결 토크, 나사 M4 단자 연결 토크, 스크루브 M8 장착 토크, 나사 M6	1.8 8.0 4.25		2.1 10 5.75	N.M
g	무게 of 모듈		1500		g