GD100PFX170C6SG, IGBT 모듈, STARPOWER

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1700

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 O C @ T C =100 O C

161

100

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

200

A

전 D

최대 전력 분산 @ T j =175 O C

592

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1700

V

I F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

100

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

200

A

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1800

V

I O

평균 출력 전류 5 0Hz/60Hz, 사인파

100

A

I FSM

서지 전류 t 전 =10ms @ T j = 25O C @ T j =150 O C

1600

1400

A

I 2T

I 2t값,t 전 =10ms @ T j =25 O C @ T j =150 O C

13000

9800

A 2s

상징

설명

가치

UNIT

T jmax

최대 접합부 온도(인버터) 최대 접합부 온도 (정류기)

175

150

O C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

O C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

O C

V iso

격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분

4000

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C =100A,V GE =15V, T j =25 O C

1.85

2.20

V

I C =100A,V GE =15V, T j =125 O C

2.25

I C =100A,V GE =15V, T j =150 O C

2.35

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =4.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 O C

5.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항

7.5

Ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

12.0

NF

C res

역전환 용량

0.29

NF

Q g

게이트 요금

V GE =-15 ...+15V

0.94

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =100A, R g =4.7Ω,V GE =±15V, L s =46 nH , T j =25 O C

257

NS

T R

상승 시간

47

NS

T d(off)

그림 지연 시간

377

NS

T F

하강 시간

382

NS

이 에

켜 Switching 손실

24.6

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

16.7

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =100A, R g =4.7Ω,V GE =±15V, L s =46nH, T j =125 O C

284

NS

T R

상승 시간

56

NS

T d(off)

그림 지연 시간

444

NS

T F

하강 시간

555

NS

이 에

켜 Switching 손실

34.9

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

23.1

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =100A, R g =4.7Ω,V GE =±15V, L s =46nH, T j =150 O C

286

NS

T R

상승 시간

60

NS

T d(off)

그림 지연 시간

465

NS

T F

하강 시간

636

NS

이 에

켜 Switching 손실

38.0

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

26.1

mJ

I SC

SC 데이터

T 전 ≤10μs, V GE =15V,

T j =150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

400

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞 전압

I F =100A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

I F =100A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.90

I F =100A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.95

Q R

회복 전하

V R =900V,I F =100A,

-di/dt=1590A/μs,V GE =-15V L s =46 nH , T j =25 O C

13.3

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

107

A

이 rec

역회복 에너지

8.79

mJ

Q R

회복 전하

V R =900V,I F =100A,

-di/dt=1300A/μs,V GE =-15V L s =46nH, T j =125 O C

25.0

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

111

A

이 rec

역회복 에너지

18.6

mJ

Q R

회복 전하

V R =900V,I F =100A,

-di/dt=1230A/μs,V GE =-15V L s =46nH, T j =150 O C

28.0

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

112

A

이 rec

역회복 에너지

20.4

mJ

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞 전압

I C =100A, T j =150 O C

0.85

V

I R

역방향 전류

T j =150 O C,V R =1800V

3.0

mA

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

R 25

등급 저항

5.0

kΩ

∆R/R

오차 of R 100

T C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

전 25

전력

소산

20.0

mW

B 25/50

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

R thJC

교차점 -에 -사례 (perIGBT -인버터 ) 접합부-외피 (다이오드-인버터당 ) 접합부-외각 (다이오드 당-정류기 )

0.253 0.424 0.289

K/W

R thCH

사례 -에 -열기 (perIGBT -인버터 )외각-히트싱크 (다이오드 당-인버터 ) 외각-히트싱크 (다이오드 당-정류기 ) 케이스-히트싱크 (per 모듈)

0.105 0.176 0.120 0.009

K/W

m

장착 토크, 스ikulu:M5

3.0

6.0

N.M

g

무게 of 모듈

300

g