GD100HHU120C6SD, IGBT 모듈, STARPOWER

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 O C @ T C =75 O C

146

100

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

200

A

전 D

최대 전력 분산 @ T vj =150 O C

771

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

V

I F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

100

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

200

A

상징

설명

가치

UNIT

T vjmax

최대 분기 온도

150

O C

T vjop

작동점 온도

-40에서 +125

O C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

O C

V iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t= 1분

2500

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C =100A,V GE =15V, T vj =25 O C

3.00

3.45

V

I C =100A,V GE =15V, T vj =125 O C

3.80

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =4.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 O C

4.5

5.5

6.5

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 O C

5.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

1.0

Ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

6.50

NF

C res

역전환 용량

0.42

NF

Q g

게이트 요금

V GE =-15...+15V

1.10

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =100A, R g =9.1Ω,V GE =±15V, LS =48 nH ,T vj =25 O C

38

NS

T R

상승 시간

50

NS

T d(off)

그림 지연 시간

330

NS

T F

하강 시간

27

NS

이 에

켜 Switching 손실

8.92

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

2.06

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =100A, R g =9.1Ω,V GE =±15V, LS =48 nH ,T vj =125 O C

37

NS

T R

상승 시간

50

NS

T d(off)

그림 지연 시간

362

NS

T F

하강 시간

43

NS

이 에

켜 Switching 손실

10.7

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

3.69

mJ

I SC

SC 데이터

T 전 ≤10μs, V GE =15V,

T vj =125 O C ,V CC =900V, V CEM ≤1200V

650

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞 전압

I F =100A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.85

2.30

V

I F =100A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.90

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=2245A/μs,V GE =-15V LS =48 nH ,T vj =25 O C

11.5

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

101

A

이 rec

역회복 에너지

4.08

mJ

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=2352A/μs,V GE =-15V LS =48 nH ,T vj =125 O C

19.0

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

120

A

이 rec

역회복 에너지

7.47

mJ

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

R 25

등급 저항

5.0

kΩ

∆R/R

오차 of R 100

T vj =100 O C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

전 25

전력

소산

20.0

mW

B 25/50

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

21

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로

2.60

mΩ

R thJC

교차점 -에 -사례 (perIGBT ) 커스 (D) 에 대한 연결 오드)

0.162 0.401

K/W

R thCH

사례 -에 -싱크대 (perIGBT )

케이스-싱크 (다이오드당)

케이스-열기 싱크장 (M당) 오두엘)

0.051 0.125 0.009

K/W

m

장착 토크, 나사 M6

3.0

6.0

N.M

g

무게 of 모듈

300

g