GD100HFQ120C1SD, IGBT 모듈, STARPOWER

소개

간략한 소개

IGBT 모듈 ,생산자 STARPOWER . 1200V 100A.

특징

낮은 VCE(sat) 트렌치 IGBT 기술
10μs 단회로 능력
양의 온도 계수와 함께하는 VCE(sat)
최대 접합부 온도 175 °C
낮은 인덕턴스 케이스
빠른 & 부드러운 역 회수 반 병렬 FWD
DBC 기술을 이용한 고립된 구리 기판

전형적 응용

스위치 모드 전원 공급
인덕션 난방
전자 용접기

절대 최대 등급 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

IGBT

상징	설명	가치	UNIT
V CES	컬렉터-이미터 전압	1200	V
V GES	게이트-이미터 전압	±20	V
I C	콜렉터 전류 @ T C =25 O C @ T C =100 O C	162 100	A
I 센티미터	펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms	200	A
전 D	최대 전력 분산 @ T vj =175 O C	595	W

다이오드

상징	설명	가치	UNIT
V RRM	반복적 피크 역전압 연령	1200	V
I F	다이오드 연속 정방향 Cu 임대료	100	A
I Fm	다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms	200	A

모듈

상징	설명	가치	UNIT
T vjmax	최대 분기 온도	175	O C
T vjop	작동점 온도	-40에서 +150	O C
T STG	보관 온도 범위	-40에서 +125	O C
V iso	격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분	2500	V

IGBT 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
V CE (sat)	수집자로부터 발산자 포화전압	I C =100A,V GE =15V, T vj =25 O C		1.85	2.30	V
		I C =100A,V GE =15V, T vj =125 O C		2.25
		I C =100A,V GE =15V, T vj =150 O C		2.35
V GE (번째 )	게이트 발산자 문 전압	I C =4.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I CES	수집가 절단 -끄다 전류	V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 O C			1.0	mA
I GES	게이트 발사자 누출 전류	V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C			400	부적절함
R Gint	내부 게이트 저항 ance			7.5		Ω
C ies	입력 용량	V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V		10.8		NF
C res	역전환 용량	V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V		0.30		NF
Q g	게이트 요금	V GE =-15 ...+15V		0.84		μC
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =600V,I C =100A, R g =5.1Ω, V GE =±15V, L s =45 nH ,T vj =25 O C		59		NS
T R	상승 시간			38		NS
T d(off)	그림 지연 시간			209		NS
T F	하강 시간			71		NS
이 에	켜 Switching 손실			11.2		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			3.15		mJ
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =600V,I C =100A, R g =5.1Ω, V GE =±15V, L s =45 nH ,T vj =125 O C		68		NS
T R	상승 시간			44		NS
T d(off)	그림 지연 시간			243		NS
T F	하강 시간			104		NS
이 에	켜 Switching 손실			14.5		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			4.36		mJ
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =600V,I C =100A, R g =5.1Ω, V GE =±15V, L s =45 nH ,T vj =150 O C		71		NS
T R	상승 시간			46		NS
T d(off)	그림 지연 시간			251		NS
T F	하강 시간			105		NS
이 에	켜 Switching 손실			15.9		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			4.63		mJ
I SC	SC 데이터	T 전 ≤10μs, V GE =15V, T vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V		400		A

다이오드 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
V F	다이오드 앞 전압	I F =100A,V GE =0V,T vj =2 5O C		1.85	2.30	V
		I F =100A,V GE =0V,T vj =125 O C		1.90
		I F =100A,V GE =0V,T vj =150 O C		1.95
Q R	회복 전하	V R =600V,I F =100A, -di/dt=961A/μs,V GE =-15V L s =45 nH ,T vj =25 O C		7.92		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			46.4		A
이 rec	역회복 에너지			2.25		mJ
Q R	회복 전하	V R =600V,I F =100A, -di/dt=871A/μs,V GE =-15V L s =45 nH ,T vj =125 O C		15.0		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			54.5		A
이 rec	역회복 에너지			5.08		mJ
Q R	회복 전하	V R =600V,I F =100A, -di/dt=853A/μs,V GE =-15V L s =45 nH ,T vj =150 O C		18.8		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			58.9		A
이 rec	역회복 에너지			6.67		mJ

모듈 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
L CE	방랑 인덕턴스			30	nH
R CC+EE	모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로		0.75		mΩ
R thJC	교차점 -에 -사례 (perIGBT ) 커스 (D) 에 대한 연결 오드)			0.252 0.446	K/W
R thCH	사례 -에 -열기 (perIGBT )케이스-온도 싱크장 (pe) r 다이오드) 케이스-히트싱크 (per 모듈)		0.157 0.277 0.050		K/W
m	단자 연결 토크, 스크루브 M5 장착 토크, 나사 M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
g	무게 of 모듈		150		g