GD100HCX170C6SA ,IGBT 모듈,STARPOWER

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1700

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 O C @ T C =100 O C

196

100

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

200

A

전 D

최대 전력 분산 @ T vj =175 O C

815

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1700

V

I F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

100

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

200

A

상징

설명

가치

UNIT

T vjmax

최대 분기 온도

175

O C

T vjop

작동점 온도

-40에서 +150

O C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

O C

V iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t= 1분

4000

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C =100A,V GE =15V, T vj =25 O C

1.85

2.20

V

I C =100A,V GE =15V, T vj =125 O C

2.25

I C =100A,V GE =15V, T vj =150 O C

2.35

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =4.00 mA ,V CE = V GE , T vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 O C

5.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항

7.5

Ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

12.0

NF

C res

역전환 용량

0.29

NF

Q g

게이트 요금

V GE =-15 ...+15V

0.94

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =100A, R g =1.0Ω,V GE =±15V, LS =52 nH ,T vj =25 O C

196

NS

T R

상승 시간

44

NS

T d(off)

그림 지연 시간

298

NS

T F

하강 시간

367

NS

이 에

켜 Switching 손실

26.4

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

14.7

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =100A, R g =1.0Ω,V GE =±15V, LS =52 nH ,T vj =125 O C

217

NS

T R

상승 시간

53

NS

T d(off)

그림 지연 시간

361

NS

T F

하강 시간

516

NS

이 에

켜 Switching 손실

36.0

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

21.0

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =100A, R g =1.0Ω,V GE =±15V, LS =52 nH ,T vj =150 O C

223

NS

T R

상승 시간

56

NS

T d(off)

그림 지연 시간

374

NS

T F

하강 시간

551

NS

이 에

켜 Switching 손실

39.1

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

22.4

mJ

I SC

SC 데이터

T 전 ≤10μs, V GE =15V,

T vj =150 O C,V CC =1000V,

V CEM ≤1700V

400

A

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로

1.10

mΩ

R thJC

교차점 -에 -사례 (perIGBT ) 커스 (D) 에 대한 연결 오드)

0.184 0.274

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT) 케이스-온도 싱크장 (pe) r 다이오드) 케이스-열기 싱크장 (M당) 오두엘)

0.060 0.090 0.009

K/W

m

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 스크루브 M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

g

무게 of 모듈

350

g