홈페이지 / 제품 / IGBT 모듈 / IGBT 모듈 750V
간략한 소개
IGBT 모듈 ,생산자 STARPOWER . 750V 1000A ,P6 .
특징
전형적 응용
절대 최대 등급 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
IGBT
상징 | 설명 | 값 | UNIT |
V CES | 컬렉터-이미터 전압 | 750 | V |
V GES | 게이트-이미터 전압 | ±20 | V |
I 중국 | 구현된 집합기 Cu 임대료 | 1000 | A |
I C | 콜렉터 전류 @ T F =125 O C | 450 | A |
I 센티미터 | 펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms | 2000 | A |
전 D | 최대 전력 소산 이온 @ T F =75 O C T vj =175 O C | 1282 | W |
다이오드
상징 | 설명 | 값 | UNIT |
V RRM | 반복적 피크 역전압 연령 | 750 | V |
I FN | 구현된 집합기 Cu 임대료 | 1000 | A |
I F | 다이오드 연속 정방향 Cu 임대료 | 450 | A |
I Fm | 다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms | 2000 | A |
모듈
상징 | 설명 | 가치 | UNIT |
T vjmax | 최대 분기 온도 | 175 | O C |
T vjop | 작동 환절 온도 연속 10초 동안의 주기 내에서 30초 동안 발생 평생 최대 3000회 | -40에서 +150 +150 ~ +175 | O C |
T STG | 보관 온도 범위 | -40에서 +125 | O C |
V iso | 격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분 | 2500 | V |
D 크립 | 터미널에서 히트싱크로 터미널에서 터미널 | 9.0 9.0 | mm |
D 투명 | 터미널에서 히트싱크로 터미널에서 터미널 | 4.5 4.5 | mm |
IGBT 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 | 매개변수 | 시험 조건 | 최소. | 전형적인. | 최대. | UNIT | ||||||||
V CE (sat) |
수집자로부터 발산자 포화전압 | I C =450A,V GE =15V, T vj =25 O C |
| 1.10 | 1.35 |
V | ||||||||
I C =450A,V GE =15V, T vj =150 O C |
| 1.10 |
| |||||||||||
I C =450A,V GE =15V, T vj =175 O C |
| 1.10 |
| |||||||||||
I C =1000A,V GE =15V, T vj =25 O C |
| 1.40 |
| |||||||||||
I C =1000A,V GE =15V, T vj =175 O C |
| 1.60 |
| |||||||||||
V GE (번째 ) | 게이트 발산자 문 전압 | I C =12.9 mA ,V CE = V GE , T vj =25 O C | 5.5 | 6.4 | 7.0 | V | ||||||||
I CES | 수집가 절단 -끄다 전류 | V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 O C |
|
| 1.0 | mA | ||||||||
I GES | 게이트 발사자 누출 전류 | V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C |
|
| 400 | 부적절함 | ||||||||
R Gint | 내부 게이트 저항 |
|
| 1.2 |
| Ω | ||||||||
C ies | 입력 용량 |
V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V |
| 66.7 |
| NF | ||||||||
C 소 | 출력 용량 |
| 1.50 |
| NF | |||||||||
C res | 역전환 용량 |
| 0.35 |
| NF | |||||||||
Q g | 게이트 요금 | V CE =400V, I C =450A, V GE =-15...+15V |
| 4.74 |
| μC | ||||||||
T D (에 ) | 턴온 지연 시간 |
V CC =400V, I C =450A, R Gon =1.2Ω, R 고프 =1.0Ω, V GE =-8V/+15V L s =24nH, T vj =25 O C |
| 244 |
| NS | ||||||||
T R | 상승 시간 |
| 61 |
| NS | |||||||||
T d(off) | 그림 지연 시간 |
| 557 |
| NS | |||||||||
T F | 하강 시간 |
| 133 |
| NS | |||||||||
이 에 | 켜 Switching 손실 |
| 11.0 |
| mJ | |||||||||
이 끄다 | 그림 전환 손실 |
| 22.8 |
| mJ | |||||||||
T D (에 ) | 턴온 지연 시간 |
V CC =400V, I C =450A, R Gon =1.2Ω, R 고프 =1.0Ω, V GE =-8V/+15V L s =24nH, T vj =150 O C |
| 260 |
| NS | ||||||||
T R | 상승 시간 |
| 68 |
| NS | |||||||||
T d(off) | 그림 지연 시간 |
| 636 |
| NS | |||||||||
T F | 하강 시간 |
| 226 |
| NS | |||||||||
이 에 | 켜 Switching 손실 |
| 16.9 |
| mJ | |||||||||
이 끄다 | 그림 전환 손실 |
| 32.2 |
| mJ | |||||||||
T D (에 ) | 턴온 지연 시간 |
V CC =400V, I C =450A, R Gon =1.2Ω, R 고프 =1.0Ω, V GE =-8V/+15V L s =24nH, T vj =175 O C |
| 264 |
| NS | ||||||||
T R | 상승 시간 |
| 70 |
| NS | |||||||||
T d(off) | 그림 지연 시간 |
| 673 |
| NS | |||||||||
T F | 하강 시간 |
| 239 |
| NS | |||||||||
이 에 | 켜 Switching 손실 |
| 19.2 |
| mJ | |||||||||
이 끄다 | 그림 전환 손실 |
| 33.6 |
| mJ | |||||||||
I SC | SC 데이터 | T 전 ≤6μs, V GE =15V, T vj =25 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V |
| 4900 |
| A | ||||||||
|
| T 전 ≤3μs, V GE =15V, T vj =175 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V |
|
3800 |
|
|
다이오드 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 | 매개변수 | 시험 조건 | 최소. | 전형적인. | 최대. | UNIT |
V F |
다이오드 앞 전압 | I F =450A,V GE =0V,T vj =2 5O C |
| 1.40 | 1.65 |
V |
I F =450A,V GE =0V,T vj =150 O C |
| 1.35 |
| |||
I F =450A,V GE =0V,T vj =175 O C |
| 1.30 |
| |||
I F =1000A,V GE =0V,T vj =25 O C |
| 1.80 |
| |||
I F =1000A,V GE =0V,T vj =175 O C |
| 1.80 |
| |||
Q R | 회복 전하 |
V R =400V, I F =450A, -di⁄dt=7809A⁄μs,V GE =-8V L s =24 nH ,T vj =25 O C |
| 18.5 |
| μC |
I RM | 피크 역전 회복 전류 |
| 303 |
| A | |
이 rec | 역회복 에너지 |
| 3.72 |
| mJ | |
Q R | 회복 전하 |
V R =400V, I F =450A, -di⁄dt=6940A⁄μs,V GE =-8V L s =24 nH ,T vj =150 O C |
| 36.1 |
| μC |
I RM | 피크 역전 회복 전류 |
| 376 |
| A | |
이 rec | 역회복 에너지 |
| 8.09 |
| mJ | |
Q R | 회복 전하 |
V R =400V, I F =450A, -di⁄dt=6748A⁄μs,V GE =-8V L s =24 nH ,T vj =175 O C |
| 40.1 |
| μC |
I RM | 피크 역전 회복 전류 |
| 383 |
| A | |
이 rec | 역회복 에너지 |
| 9.01 |
| mJ |
NTC 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 | 매개변수 | 시험 조건 | 최소. | 전형적인. | 최대. | UNIT |
R 25 | 등급 저항 |
|
| 5.0 |
| kΩ |
∆R/R | 오차 of R 100 | T C =100 O C ,R 100=493.3Ω | -5 |
| 5 | % |
전 25 | 전력 소산 |
|
|
| 20.0 | mW |
B 25/50 | B값 | R 2=R 25경험치 [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))] |
| 3375 |
| k |
B 25/80 | B값 | R 2=R 25경험치 [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))] |
| 3411 |
| k |
B 25/100 | B값 | R 2=R 25경험치 [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))] |
| 3433 |
| k |
모듈 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 | 매개변수 | 최소. | 전형적인. | 최대. | UNIT |
L CE | 방랑 인덕턴스 |
| 8 |
| nH |
R CC+EE | 모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지 |
| 0.75 |
| mΩ |
전 | 냉각회로에서 최대 압력 쿠잇 T 베이스플레이트 <40 O C T 베이스플레이트 >40 O C (상대 압력) |
|
| 2.5 2.0 |
바 |
R thJF | 교차점 -에 -냉각 유체 (perIGBT )접합부-냉각 유체 (D당) 요오드) △ V/ △ t=10.0 dm 3/분 ,T F =75 O C |
| 0.068 0.105 | 0.078 0.120 | K/W |
m | 단자 연결 토크, 스크루브 M5 장착 토크, 나사 M4 | 3.6 1.8 |
| 4.4 2.2 | N.M |
g | 무게 of 모듈 |
| 750 |
| g |
우리의 전문 판매팀은 당신의 상담을 기다리고 있습니다.
제품 목록을 따라가면 관심 있는 질문을 할 수 있습니다.