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IGBT 모듈 750V

IGBT 모듈 750V

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GD1000HTA75P6HT

750V 1000A,

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD1000HTA75P6HT
Appurtenance:

제품 브로셔: 다운로드

  • 소개
  • 개요
  • 등가 회로 도식
소개

간략한 소개

IGBT 모듈 ,생산자 STARPOWER . 750V 1000A ,P6 .

특징

  • 낮은 VCE(sat) 트렌치 IGBT 기술
  • 저변화 손실
  • 6μs 단회로 능력
  • 양의 온도 계수와 함께하는 VCE(sat)
  • 최대 접합부 온도 175 °C
  • 낮은 인덕턴스 케이스
  • 빠른 & 부드러운 역 회수 반 병렬 FWD
  • Si3N4 AMB 기술을 사용한 격리된 구리 핀핀 베이스플레이트

전형적 응용

  • 자동차용 애플리케이션
  • 하이브리드 및 전기차
  • 모터 드라이브용 인버터

절대 최대 등급 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

IGBT

상징

설명

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

750

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I 중국

구현된 집합기 Cu 임대료

1000

A

I C

콜렉터 전류 @ T F =125 O C

450

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t =1ms

2000

A

D

최대 전력 소산 이온 @ T F =75 O C T vj =175 O C

1282

W

다이오드

상징

설명

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

750

V

I FN

구현된 집합기 Cu 임대료

1000

A

I F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

450

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t =1ms

2000

A

모듈

상징

설명

가치

UNIT

T vjmax

최대 분기 온도

175

O C

T vjop

작동 환절 온도 연속

10초 동안의 주기 내에서 30초 동안 발생 평생 최대 3000회

-40에서 +150 +150 ~ +175

O C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

O C

V iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1

2500

V

D 크립

터미널에서 히트싱크로 터미널에서 터미널

9.0 9.0

mm

D 투명

터미널에서 히트싱크로 터미널에서 터미널

4.5 4.5

mm

IGBT 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C =450A,V GE =15V, T vj =25 O C

1.10

1.35

V

I C =450A,V GE =15V, T vj =150 O C

1.10

I C =450A,V GE =15V, T vj =175 O C

1.10

I C =1000A,V GE =15V, T vj =25 O C

1.40

I C =1000A,V GE =15V, T vj =175 O C

1.60

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =12.9 mA ,V CE = V GE , T vj =25 O C

5.5

6.4

7.0

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 O C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항

1.2

Ω

C ies

입력 용량

V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V

66.7

NF

C

출력 용량

1.50

NF

C res

역전환 용량

0.35

NF

Q g

게이트 요금

V CE =400V, I C =450A, V GE =-15...+15V

4.74

μC

T D ()

턴온 지연 시간

V CC =400V, I C =450A,

R Gon =1.2Ω, R 고프 =1.0Ω, V GE =-8V/+15V

L s =24nH, T vj =25 O C

244

NS

T R

상승 시간

61

NS

T d(off)

그림 지연 시간

557

NS

T F

하강 시간

133

NS

Switching 손실

11.0

mJ

끄다

그림 전환 손실

22.8

mJ

T D ()

턴온 지연 시간

V CC =400V, I C =450A,

R Gon =1.2Ω, R 고프 =1.0Ω, V GE =-8V/+15V

L s =24nH, T vj =150 O C

260

NS

T R

상승 시간

68

NS

T d(off)

그림 지연 시간

636

NS

T F

하강 시간

226

NS

Switching 손실

16.9

mJ

끄다

그림 전환 손실

32.2

mJ

T D ()

턴온 지연 시간

V CC =400V, I C =450A,

R Gon =1.2Ω, R 고프 =1.0Ω, V GE =-8V/+15V

L s =24nH, T vj =175 O C

264

NS

T R

상승 시간

70

NS

T d(off)

그림 지연 시간

673

NS

T F

하강 시간

239

NS

Switching 손실

19.2

mJ

끄다

그림 전환 손실

33.6

mJ

I SC

SC 데이터

T ≤6μs, V GE =15V,

T vj =25 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V

4900

A

T ≤3μs, V GE =15V,

T vj =175 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

다이오드 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞 전압

I F =450A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.40

1.65

V

I F =450A,V GE =0V,T vj =150 O C

1.35

I F =450A,V GE =0V,T vj =175 O C

1.30

I F =1000A,V GE =0V,T vj =25 O C

1.80

I F =1000A,V GE =0V,T vj =175 O C

1.80

Q R

회복 전하

V R =400V, I F =450A,

-di⁄dt=7809A⁄μs,V GE =-8V L s =24 nH ,T vj =25 O C

18.5

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

303

A

rec

역회복 에너지

3.72

mJ

Q R

회복 전하

V R =400V, I F =450A,

-di⁄dt=6940A⁄μs,V GE =-8V L s =24 nH ,T vj =150 O C

36.1

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

376

A

rec

역회복 에너지

8.09

mJ

Q R

회복 전하

V R =400V, I F =450A,

-di⁄dt=6748A⁄μs,V GE =-8V L s =24 nH ,T vj =175 O C

40.1

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

383

A

rec

역회복 에너지

9.01

mJ

NTC 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

R 25

등급 저항

5.0

∆R/R

오차 of R 100

T C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

25

전력

소산

20.0

mW

B 25/50

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

모듈 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

8

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지

0.75

냉각회로에서 최대 압력 쿠잇

T 베이스플레이트 <40 O C

T 베이스플레이트 >40 O C

(상대 압력)

2.5 2.0

R thJF

교차점 --냉각 유체 (perIGBT )접합부-냉각 유체 (D당) 요오드) V/ t=10.0 dm 3/,T F =75 O C

0.068 0.105

0.078 0.120

K/W

m

단자 연결 토크, 스크루브 M5 장착 토크, 나사 M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

g

무게 of 모듈

750

g

개요

등가 회로 도식

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