GD1000HTA75P6HT

소개

간략한 소개

IGBT 모듈 ,생산자 STARPOWER . 750V 1000A ,P6 .

특징

낮은 VCE(sat) 트렌치 IGBT 기술
저변화 손실
6μs 단회로 능력
양의 온도 계수와 함께하는 VCE(sat)
최대 접합부 온도 175 °C
낮은 인덕턴스 케이스
빠른 & 부드러운 역 회수 반 병렬 FWD
Si3N4 AMB 기술을 사용한 격리된 구리 핀핀 베이스플레이트

전형적 응용

자동차용 애플리케이션
하이브리드 및 전기차
모터 드라이브용 인버터

절대 최대 등급 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

IGBT

상징	설명	값	UNIT
V CES	컬렉터-이미터 전압	750	V
V GES	게이트-이미터 전압	±20	V
I 중국	구현된 집합기 Cu 임대료	1000	A
I C	콜렉터 전류 @ T F =125 O C	450	A
I 센티미터	펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms	2000	A
전 D	최대 전력 소산 이온 @ T F =75 O C T vj =175 O C	1282	W

다이오드

상징	설명	값	UNIT
V RRM	반복적 피크 역전압 연령	750	V
I FN	구현된 집합기 Cu 임대료	1000	A
I F	다이오드 연속 정방향 Cu 임대료	450	A
I Fm	다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms	2000	A

모듈

상징	설명	가치	UNIT
T vjmax	최대 분기 온도	175	O C
T vjop	작동 환절 온도 연속 10초 동안의 주기 내에서 30초 동안 발생 평생 최대 3000회	-40에서 +150 +150 ~ +175	O C
T STG	보관 온도 범위	-40에서 +125	O C
V iso	격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분	2500	V
D 크립	터미널에서 히트싱크로 터미널에서 터미널	9.0 9.0	mm
D 투명	터미널에서 히트싱크로 터미널에서 터미널	4.5 4.5	mm

IGBT 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C =450A,V GE =15V, T vj =25 O C

1.10

1.35

V

I C =450A,V GE =15V, T vj =150 O C

1.10

I C =450A,V GE =15V, T vj =175 O C

1.10

I C =1000A,V GE =15V, T vj =25 O C

1.40

I C =1000A,V GE =15V, T vj =175 O C

1.60

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =12.9 mA ,V CE = V GE , T vj =25 O C

5.5

6.4

7.0

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 O C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항

1.2

Ω

C ies

입력 용량

V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V

66.7

NF

C 소

출력 용량

1.50

NF

C res

역전환 용량

0.35

NF

Q g

게이트 요금

V CE =400V, I C =450A, V GE =-15...+15V

4.74

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =400V, I C =450A,

R Gon =1.2Ω, R 고프 =1.0Ω, V GE =-8V/+15V

L s =24nH, T vj =25 O C

244

NS

T R

상승 시간

61

NS

T d(off)

그림 지연 시간

557

NS

T F

하강 시간

133

NS

이 에

켜 Switching 손실

11.0

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

22.8

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =400V, I C =450A,

R Gon =1.2Ω, R 고프 =1.0Ω, V GE =-8V/+15V

L s =24nH, T vj =150 O C

260

NS

T R

상승 시간

68

NS

T d(off)

그림 지연 시간

636

NS

T F

하강 시간

226

NS

이 에

켜 Switching 손실

16.9

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

32.2

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =400V, I C =450A,

R Gon =1.2Ω, R 고프 =1.0Ω, V GE =-8V/+15V

L s =24nH, T vj =175 O C

264

NS

T R

상승 시간

70

NS

T d(off)

그림 지연 시간

673

NS

T F

하강 시간

239

NS

이 에

켜 Switching 손실

19.2

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

33.6

mJ

I SC

SC 데이터

T 전 ≤6μs, V GE =15V,

T vj =25 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V

4900

A

T 전 ≤3μs, V GE =15V,

T vj =175 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

다이오드 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
V F	다이오드 앞 전압	I F =450A,V GE =0V,T vj =2 5O C		1.40	1.65	V
		I F =450A,V GE =0V,T vj =150 O C		1.35
		I F =450A,V GE =0V,T vj =175 O C		1.30
		I F =1000A,V GE =0V,T vj =25 O C		1.80
		I F =1000A,V GE =0V,T vj =175 O C		1.80
Q R	회복 전하	V R =400V, I F =450A, -di⁄dt=7809A⁄μs,V GE =-8V L s =24 nH ,T vj =25 O C		18.5		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			303		A
이 rec	역회복 에너지			3.72		mJ
Q R	회복 전하	V R =400V, I F =450A, -di⁄dt=6940A⁄μs,V GE =-8V L s =24 nH ,T vj =150 O C		36.1		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			376		A
이 rec	역회복 에너지			8.09		mJ
Q R	회복 전하	V R =400V, I F =450A, -di⁄dt=6748A⁄μs,V GE =-8V L s =24 nH ,T vj =175 O C		40.1		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			383		A
이 rec	역회복 에너지			9.01		mJ

NTC 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
R 25	등급 저항			5.0		kΩ
∆R/R	오차 of R 100	T C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
전 25	전력 소산				20.0	mW
B 25/50	B값	R 2=R 25경험치 [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		k
B 25/80	B값	R 2=R 25경험치 [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		k
B 25/100	B값	R 2=R 25경험치 [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		k

모듈 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
L CE	방랑 인덕턴스		8		nH
R CC+EE	모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지		0.75		mΩ
전	냉각회로에서 최대 압력 쿠잇 T 베이스플레이트 <40 O C T 베이스플레이트 >40 O C (상대 압력)			2.5 2.0	바
R thJF	교차점 -에 -냉각 유체 (perIGBT )접합부-냉각 유체 (D당) 요오드) △ V/ △ t=10.0 dm 3/분 ,T F =75 O C		0.068 0.105	0.078 0.120	K/W
m	단자 연결 토크, 스크루브 M5 장착 토크, 나사 M4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.M
g	무게 of 모듈		750		g