GD1000HFA75N5HT

소개

간략한 소개

IGBT 모듈 ,생산자 STARPOWER . 1000V 750A.

특징

낮은 VCE(sat) 트렌치 IGBT 기술
저변화 손실
6μs 단회로 능력
양의 온도 계수와 함께하는 VCE(sat)
최대 접합부 온도 175 °C
낮은 인덕턴스 케이스
빠른 & 부드러운 역 회수 반 병렬 FWD
격리된 구리 핀핀 베이스플레이트 사용 Si ₃N ₄AMB 기술

전형적 응용

자동차용 애플리케이션
하이브리드 및 전기차
모터 드라이브용 인버터

절대 최대 등급 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

IGBT

상징	설명	가치	UNIT
V CES	컬렉터-이미터 전압	750	V
V GES	게이트-이미터 전압	±20	V
I CN	구현된 집합기 Cu 임대료	1000	A
I C	수집가 전류 T vj =175 O C	680	A
I 센티미터	펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms	1360	A
전 D	최대 전력 소산 이온 @ T F =75 O C T vj =175 O C	1086	W

다이오드

상징	설명	가치	UNIT
V RRM	반복적 피크 역전압 연령	750	V
I FN	구현된 집합기 Cu 임대료	1000	A
I F	다이오드 연속 정방향 Cu 임대료	680	A
I Fm	다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms	1360	A

모듈

상징	설명	가치	UNIT
T vjmax	최대 분기 온도	175	O C
T vjop	작동 환절 온도 연속	-40에서 +150	O C
T STG	보관 온도 범위	-40에서 +125	O C
V iso	격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분	2500	V

IGBT 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
V CE (sat)	수집자로부터 발산자 포화전압	I C =680A,V GE =15V, T vj =25 O C		1.25	1.50	V
		I C =680A,V GE =15V, T vj =150 O C		1.35
		I C =680A,V GE =15V, T vj =175 O C		1.40
		I C =1000A,V GE =15V, T vj =25 O C		1.45
		I C =1000A,V GE =15V, T vj =175 O C		1.70
V GE (번째 )	게이트 발산자 문 전압	I C =9.60 mA ,V CE = V GE , T vj =25 O C	5.5	6.5	7.0	V
V GE (번째 )	게이트 발산자 문 전압	I C =9.60 mA ,V CE = V GE , T vj =175 O C		3.5		V
I CES	수집가 절단 -끄다 전류	V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 O C			1.0	mA
I GES	게이트 발사자 누출 전류	V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C			400	부적절함
R Gint	내부 게이트 저항			1.0		Ω
C ies	입력 용량	V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V		72.3		NF
C 소	출력 용량			1.51		NF
C res	역전환 용량			0.32		NF
Q g	게이트 요금	V CE =400V, I C =680A, V GE =-10…+15V		4.10		μC
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =400V, I C =680A, R g =0.22Ω, L s =16 nH , V GE =-10V/+15V, T vj =25 O C		196		NS
T R	상승 시간			50		NS
T d(off)	그림 지연 시간			407		NS
T F	하강 시간			125		NS
이 에	켜 Switching 손실			11.1		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			29.1		mJ
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =400V, I C =680A, R g =0.22Ω, L s =16 nH , V GE =-10V/+15V, T vj =150 O C		222		NS
T R	상승 시간			63		NS
T d(off)	그림 지연 시간			471		NS
T F	하강 시간			178		NS
이 에	켜 Switching 손실			19.7		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			37.4		mJ
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =400V, I C =680A, R g =0.22Ω, L s =16 nH , V GE =-10V/+15V, T vj =175 O C		224		NS
T R	상승 시간			68		NS
T d(off)	그림 지연 시간			490		NS
T F	하강 시간			194		NS
이 에	켜 Switching 손실			21.7		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			39.5		mJ
I SC	SC 데이터	T 전 ≤6μs,V GE =15V,		4000		A
		T vj =25 O C,V CC =450V, V CEM ≤750V
		T 전 ≤3μs,V GE =15V, T vj =175 O C,V CC =450V, V CEM ≤750V		3300

다이오드 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
V F	다이오드 앞 전압	I F =680A,V GE =0V,T vj =2 5O C		1.60	2.05	V
		I F =680A,V GE =0V,T vj =150 O C		1.60
		I F =680A,V GE =0V,T vj =175 O C		1.55
		I F =1000A,V GE =0V,T vj =25 O C		1.80
		I F =1000A,V GE =0V,T vj =175 O C		1.75
Q R	회복 전하	V R =400V, I F =680A, -di/dt=15030A/μs,V GE =-10V, L s =16 nH ,T vj =25 O C		19.9		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			458		A
이 rec	역회복 에너지			6.10		mJ
Q R	회복 전하	V R =400V, I F =680A, -di/dt=12360A/μs,V GE =-10V, L s =16 nH ,T vj =150 O C		29.7		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			504		A
이 rec	역회복 에너지			9.70		mJ
Q R	회복 전하	V R =400V, I F =680A, -di/dt=11740A/μs,V GE =- 10V, L s =16 nH ,T vj =175 O C		34.5		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			526		A
이 rec	역회복 에너지			11.0		mJ

PTC 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
R	공칭 저항	T C =0 O C T C =150 O C		1000 1573		Ω Ω
T cr	온도 계수 nt			0.38		%/K
T SH	자기 가열	T C =0 O C I m =0.1...0.3mA		0.4		K/mW

모듈 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
L CE	방랑 인덕턴스		5		nH
전	냉각회로에서 최대 압력 쿠잇			2.5	바
R thJF	교차점 -에 -냉각 유체 (perIGBT )접합부-냉각 유체 (D당) 요오드) △ V/ △ t=8.0 dm 3/분 ,T F =65 O C		0.080 0.115		K/W
m	단자 연결 토크, 스크루브 M5 장착 토크, 스크루브 M5	5.4 5.4		6.6 6.6	N.M
g	무게 of 모듈		220		g