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IGBT 디스크리트

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DG25X12T2,IGBT 디스크리트,STARPOWER

1200V,25A

Brand:
STARPOWER
  • 소개
소개

친절한 상기 :F 또는 그 이상 IGBT 디스크리트 , 이메일을 보내주세요.

특징

  • 낮은 VCE (위성) 트렌치 IGBT 기술
  • 10μs 단회로 능력
  • 저변 변속 손실
  • 최대 접합 온도 175oC
  • 낮은 인덕턴스 케이스
  • VCE(sat) 양성 온도 계수
  • 빠른 & 부드러운 역 회수 반 병렬 FWD
  • 납 없는 패키지

일반적 신청서

  • 모터 드라이브용 인버터
  • AC 및 DC 서보 드라이브 앰프
  • 비상 전원 공급 장치

절대 최대 등급 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

IGBT

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 O C

@ T C = 110O C

50

25

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t T에 제한되어 있습니다 jmax

100

A

D

최대 전력 분산 @ T j =175 O C

573

W

다이오드

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복 피크 역전압

1200

V

I F

다이오드 연속 순방향 전류 @ T C = 110O C

25

A

I Fm

다이오드 최대 앞으로 전류 T 제한된 에 의해 T jmax

100

A

사소한 것

상징

설명

UNIT

T jop

작동점 온도

-40에서 +175

O C

T STG

보관 온도 범위

-55에서 +150

O C

T s

용접 온도 1.6mm m 경우 10s

260

O C

m

장착 토크, 나사 M3

0.6

N.M

IGBT 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

I C =25A, V GE =15V,

T j =25 O C

1.70

2.15

V

I C =25A, V GE =15V,

T j =125 O C

1.95

I C =25A, V GE =15V,

T j =150 O C

2.00

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =0.63 mA ,V CE = V GE , T j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

수집가 절단 -끄다

전류

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 O C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

0

Ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

2.59

NF

C res

역전환

용량

0.07

NF

Q g

게이트 요금

V GE =-15...+15V

0.19

μC

T D ()

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =25A, R g =20Ω,V GE =±15V, T j =25 O C

28

NS

T R

상승 시간

17

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

196

NS

T F

하강 시간

185

NS

Switching

손실

1.71

mJ

끄다

그림 전환

손실

1.49

mJ

T D ()

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =25A, R g =20Ω,V GE =±15V, T j =125 O C

28

NS

T R

상승 시간

21

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

288

NS

T F

하강 시간

216

NS

Switching

손실

2.57

mJ

끄다

그림 전환

손실

2.21

mJ

T D ()

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =25A, R g =20Ω,V GE =±15V, T j =150 O C

28

NS

T R

상승 시간

22

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

309

NS

T F

하강 시간

227

NS

Switching

손실

2.78

mJ

끄다

그림 전환

손실

2.42

mJ

I SC

SC 데이터

T ≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150 O C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

100

A

다이오드 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞

전압

I F =25A,V GE =0V,T j =25 O C

2.20

2.65

V

I F =25A,V GE =0V,T j = 125O C

2.30

I F =25A,V GE =0V,T j = 150O C

2.25

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V GE =-15V T j =25 O C

1.43

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

34

A

rec

역회복 에너지

0.75

mJ

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V GE =-15V T j = 125O C

2.4

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

42

A

rec

역회복 에너지

1.61

mJ

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V GE =-15V T j = 150O C

2.6

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

44

A

rec

역회복 에너지

2.10

mJ

사소한 것 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

R thJC

부문별 (IGB당) T)

커스 (D) 에 대한 연결 오드)

0.262

0.495

K/W

R thJA

환경과의 연결

40

K/W

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