MK(H)x75 MK75 ,빠른 차단 사이리스터 모듈,공기 냉각

MK(H)x75 MK75 ,빠른 꺼짐 타이리스터 모듈,공기 냉각

750A,600V~1800V, 216F3B

Brand:

기술 세미나

Spu:

MK (H) x75 MK75

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간략한 소개

고속 차단 사이리스터 모듈 ,MK(H)x200 MK200, 200A, 공기 냉각 ,TECHSEM에서 생산됨.

MKx는 모든 유형의 MKC, MKA, MKK

특징 ：

전형적 응용 ：

상징	특징	시험 조건	Tj( 。C)	가치			UNIT
상징	특징	시험 조건	Tj( 。C)	분	유형	최대	UNIT
IT(AV)	평균 온 상태 전류	180。반 사인파 50Hz 단면 냉각,Tc=85 。C	125			75	A
IT(RMS)	RMS 온 상태 전류	180。반 사인파 50Hz 단면 냉각,Tc=85 。C	125			118	A
Idrm Irrm	반복 피크 전류	VDRM에서 VRRM에서	125			30	mA
I _TSM	서지 온 상태 전류	10ms 반 사인파 VR=60%VRRM	125			1.6	kA
I ²T	퓨징 조정을 위한 I2t	10ms 반 사인파 VR=60%VRRM	125			13	10³A ²s
V _에	임계 전압		125			1.50	V
르티	온 상태 기울기 저항		125			4.00	mΩ
V _TM	피크 온 상태 전압	ITM=225A	25			2.53	V
dv/dt	오프 상태 전압의 비판적 상승 속도	VDM=67%VDRM	125			800	V/μs
di/dt	정전 전류의 급격한 증가율	게이트 소스 1.5A tr ≤0.5μs 반복	125			200	A/μs
Tq	회로 전환 차단 시간	ITM=200A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs	125	20		40	μs
Tq	회로 전환 차단 시간	ITM=200A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs	25	6		16	μs
I _GT	게이트 트리거 전류	VA= 12V, IA= 1A	25	30		150	mA
V _GT	게이트 트리거 전압			0.8		2.5	V
I _H	유지 전류			20		200	mA
IL	래칭 전류					1000	mA
V _GD	비트리거 게이트 전압	VDM= 67%VDRM	125			0.2	V
Rth(j-c)	열 저항 접합부에서 케이스까지	칩당 단면 냉각				0.20	°C /W
Rth(c-h)	열 저항 케이스에서 방열판까지	칩당 단면 냉각				0.04	°C /W
비소	격리 전압	50Hz,R.M.S,t= 1분,Iiso:1mA(최대)		2500			V
Fm	단자 연결 토크(M6)			4.5		6.0	N·m
Fm	장착 토크(M6)			4.5		6.0	N·m
TVj	접점 온도			-40		125	°C
TSTG	저장 온도			-40		125	°C
Wt	무게				320		g
개요	216F3B