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간략한 소개
IGBT 모듈 , STARPOWER에서 생산됨. 1200V 300A.
특징
일반적 응용 프로그램
절대 최대 등급 T C =25 °C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 |
설명 |
GD300SGU120C2S |
유닛 |
VCES |
컬렉터-이미터 전압 |
1200 |
V |
VGES |
게이트-이미터 전압 |
±20 |
V |
IC |
콜렉터 전류 @ TC=25℃ @ TC=80°C |
440 300 |
A |
ICM |
펄스 콜렉터 전류 tp=1ms |
600 |
A |
IF |
다이오드 연속 전방 전류 @ TC=80℃ |
300 |
A |
IFM |
다이오드 최대 순방향 전류 tp=1ms |
600 |
A |
PD |
최대 전력 소산 @ Tj=150℃ |
2272 |
W |
Tjmax |
최대 분기 온도 |
150 |
°C |
TSTG |
보관 온도 범위 |
-40에서 +125 |
°C |
비소 |
격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1min |
4000 |
V |
장착 모터 |
신호 단말 스ikulu:M4 |
1.1에서 2.0 |
|
전원 터미널 나사:M6 |
2.5 ~ 5.0 |
N.M |
|
장착 나사:M6 |
3.0에서 5.0 |
|
전기적 특성 of IGBT T C =25 °C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
특징이 없네요
상징 |
매개변수 |
시험 조건 |
최소. |
전형적인. |
최대. |
유닛 |
V ((BR) CES |
수집자-출출자 피⌂크다운 전압 |
Tj=25°C |
1200 |
|
|
V |
ICES |
컬렉터 차단 전류 |
VCE=VCES,VGE=0V,Tj=25°C |
|
|
5.0 |
mA |
IGES |
게이트-에미터 누출 전류 |
VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25℃ |
|
|
400 |
부적절함 |
특징 에 관한 것
상징 |
매개변수 |
시험 조건 |
최소. |
전형적인. |
최대. |
유닛 |
VGE (th) |
포트-에미터 임계 전압 |
IC=3.0mA,VCE=VGE,Tj=25°C |
4.4 |
5.2 |
6.0 |
V |
VCE(sat) |
수집자로부터 발산자 포화전압 |
IC=300A,VGE=15V,Tj=25°C |
|
3.10 |
3.55 |
V |
IC=300A,VGE=15V,Tj=125°C |
|
3.45 |
|
변동 특성
상징 |
매개변수 |
시험 조건 |
최소. |
전형적인. |
최대. |
유닛 |
t d (에 ) |
턴온 지연 시간 |
V CC =600V,I C =300A, R G =3.3Ω, V GE =±15V, T j =25 °C |
|
662 |
|
nS |
t r |
상승 시간 |
|
142 |
|
nS |
|
t d (끄다 ) |
그림 지연 시간 |
|
633 |
|
nS |
|
t f |
하강 시간 |
|
117 |
|
nS |
|
이 에 |
켜 Switching 손실 |
|
19.7 |
|
mJ |
|
이 끄다 |
그림 전환 손실 |
|
22.4 |
|
mJ |
|
t d (에 ) |
턴온 지연 시간 |
V CC =600V,I C =300A, R G =3.3Ω, V GE =±15V, T j =125 °C |
|
660 |
|
nS |
t r |
상승 시간 |
|
143 |
|
nS |
|
t d (끄다 ) |
그림 지연 시간 |
|
665 |
|
nS |
|
t f |
하강 시간 |
|
137 |
|
nS |
|
이 에 |
켜 Switching 손실 |
|
24.9 |
|
mJ |
|
이 끄다 |
그림 전환 손실 |
|
28.4 |
|
mJ |
|
C ies |
입력 용량 |
V CE =30V,f=1MHz, V GE =0V |
|
25.3 |
|
nF |
C 소 |
출력 용량 |
|
2.25 |
|
nF |
|
C res |
역전환 용량 |
|
0.91 |
|
nF |
|
I SC |
SC 데이터 |
t 전 ≤ 10μs,V GE =15 V, T j =125 °C V CC =900V, V CEM ≤1200V |
|
2550 |
|
A |
L CE |
방랑 인덕턴스 |
|
|
|
20 |
nH |
R CC+EE |
모듈 리드 저항력 터미널에서 칩으로 |
|
|
0.18 |
|
mΩ |
전기적 특성 of 다이오드 T C =25 °C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 |
매개변수 |
시험 조건 |
최소. |
전형적인. |
최대. |
유닛 |
|
V F |
다이오드 앞 전압 |
I F =300A |
T j =25 °C |
|
1.82 |
2.25 |
V |
T j =125 °C |
|
1.95 |
|
||||
Q r |
회복 충전 |
I F =300A, V R =600V, R G =3.3Ω, V GE =-15V |
T j =25 °C |
|
29.5 |
|
μC |
T j =125 °C |
|
42.3 |
|
||||
I RM |
피크 역전 회복 전류 |
T j =25 °C |
|
210 |
|
A |
|
T j =125 °C |
|
272 |
|
||||
이 rec |
역회복 에너지 |
T j =25 °C |
|
16.4 |
|
mJ |
|
T j =125 °C |
|
22.7 |
|
열 특성 ics
상징 |
매개변수 |
전형적인. |
최대. |
유닛 |
R θ JC |
부문별 (IGB당) T) |
|
0.055 |
K/W |
R θ JC |
부대와 부대 (D당) 요오드) |
|
0.092 |
K/W |
R θ CS |
케이스-투-심크 (전도성 지방 응용) 거짓말) |
0.035 |
|
K/W |
무게 |
무게 모듈 |
300 |
|
g |
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