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위상 제어 사이리스터

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H76KPU, 위상 제어 사이리스터

부품 번호 H76KPU-KT60dT

Brand:
기술 세미나
Spu:
H76KPU-KT60dT
Appurtenance:

제품 브로셔: 다운로드

  • 소개
  • 개요:
소개

IT(AV)

1000A

VDRM, VRRM 

8000V

8500V

특징

  • 중앙 증폭 게이트
  • 세라믹 절연체가 있는 금속 케이스
  • 낮은 온 상태 및 스위칭 손실

전형적 응용

  • AC 컨트롤러
  • DC 및 AC 모터 제어
  • 제어 정류기

 

상징

 

특징

 

시험 조건

Tj(℃)

가치

 

UNIT

유형

최대

 

IT(AV)

평균 온 상태 전류

180°반 사인파 50Hz 양면 냉각

 

TC=70°C

 

115

 

 

 

1000

 

A

Idrm Irrm

반복 피크 전류

VDRM에서 tp= 10ms VRRM에서 tp= 10ms

115

 

 

600

mA

ITSM

서지 온 상태 전류

10ms 반 사인파 VR=0.6VRRM

 

115

 

 

10.5

kA

I2t

퓨징 조정을 위한 I2t

 

 

551

103A2s

VTO

임계 전압

 

 

115

 

 

1.38

V

르티

온 상태 기울기 저항

 

 

0.90

VTM

피크 온 상태 전압

ITM= 1500A, F=32kN

25

 

 

2.80

V

dv/dt

오프 상태 전압의 비판적 상승 속도

VDM=0.67VDRM

115

 

 

2000

V/μs

di/dt

정전 전류의 급격한 증가율

VDM=67%VDRM

게이트 펄스 tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

115

 

 

200

A/μs

Qrr

회복 전하

ITM=2000A,tp=4000μs, di/dt=-5A/μs, VR=50V

115

 

3800

 

μC

IGT

게이트 트리거 전류

 

VA= 12V, IA= 1A

 

25

40

 

300

mA

Vgt

게이트 트리거 전압

0.8

 

3.0

V

IH

유지 전류

25

 

200

mA

VGD

비트리거 게이트 전압

VDM=67%VDRM

115

 

 

0.3

V

Rth(j-c)

열 저항 접합부에서 케이스까지

이중 측면 냉각 클램핑 힘 32kN

 

 

 

0.011

 

°C/W

Rth(c-h)

열 저항 케이스에서 방열판까지

 

 

 

0.003

Fm

장착 힘

 

 

27

32

34

KN

TVj

접점 온도

 

 

-40

 

115

°C

TSTG

저장 온도

 

 

-40

 

140

°C

Wt

무게

 

 

 

1140

 

g

개요

KT60dT

 

개요:

H76KPU-2.png

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