МТx500 МФx500 МТ500, Тиристор/диод модульдері, Сумен салқындату

сумен салқындату

MTx500 MFx500 MT500, Тиристор/Диод модулдері, Су жасыту

500А,600В~1800В,406F3

Brand:

ТЕХСЕМ

Spu:

MTx500 МФx500 MT500

Appurtenance:

өнімнің кітапшасы:жүктеу

кіріспе
сызба
Эквивалентті схемалық схема

кіріспе

қысқаша кіріспе

Тиристор/Диод модулі, МТx500 МФx500 мт500，500a),сумен салқындату，TECHSEM компаниясымен өндірілген.

600в

800V

1000В

1200В

1400V

1600V

1800V

MT3 (айырма)

MTx500-16-406F3

MT3 (айырма)

MT500-18-406F3G

MFx500-06-406F3

MFx500-08-406F3

MFx500-10-406F3

MFx500-12-406F3

MFx500-14-406F3

MFx500-16-406F3

MFx500-18-406F3

MTx - кез келгенМТК, МТҚ, MTK

MFx - кез келген түрдіңМФК, Сыртқы істер министрлігі, МФК

ерекшеліктері

Изоляцияланған монтаж базасы 3000V~
Қысым контакті технологиясы
Күшейтілген қуат циклдау мүмкіндігі
Кеңістік пен салмақты үнемдеу

типтік қолданбалар

АЖ/ЖЖ қозғалтқыштар
Әртүрлі түзеткіштер
PWM инверті үшін DC қоректендіру

Символ	сипаттама	Сынақ шарттары	Tj(°C)	құн			бірлік
Символ	сипаттама	Сынақ шарттары	Tj(°C)	минут	түрі	ең көп	бірлік
IT(AV)	Орташа қосу күйіндегі ток	180°жартылай синусоидалық 50Hz Бір жақты салқындатылған, THS=55°C	125			500	a)
IT(RMS)	RMS қосу күйіндегі ток		125			785	a)
Ірррр	Қайталау шыңы ағым	VDRM және VRRM кезінде	125			35	ана
ITSM	Пик қосу күйіндегі ток	VR=60%VRRM,t=10ms жартылай синус,	125			14.5	ка
I2t	Фузия координациясы үшін I2t	VR=60%VRRM,t=10ms жартылай синус,	125			1051	10³a)²s
VTO	Төменгі кернеу		125			0.80	v
rT	Қосу күйіндегі көлбеу кедергі		125			0.64	mΩ
VTM	Пик қосу күйіндегі кернеу	ITM=1500A	25			1.90	v
dv/dt	Өшіру күйіндегі кернеудің критикалық өсу жылдамдығы	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	Ағымдағы ағымның жоғарылауының критикалық жылдамдығы	Қақпа көзі 1.5A tr ≤0.5μs Қайталау	125			200	А/μс
IGT	Қақпа триггерлік тока	VA=12V, IA=1A	25	30		200	ана
Vgt	Қақпа триггерлік кернеу			0.8		3.0	v
IH	Ұстап тұратын ток			10		200	ана
i)	Латчинг ток					1000	ана
VGD	Триггерленбеген қақпа кернеуі	VDM=67%VDRM	125			0.20	v
Rth(j-c)	Термиялық кедергі Джункиядан корпусқа	Әр чип үшін бір жақты салқындатылған				0.085	。C/W
Rth(c-h)	Жылу кедергісі корпусқа дейін радиатор	Әр чип үшін бір жақты салқындатылған				0.040	。C/W
VISO	Изоляция кернеуі	50Гц,R.M.S,t=1мин,Iiso:1мА(макс)		3000			v
м-ге	Терминал қосылысының қозғалтқышы ((M12)			12		14	Н·м
м-ге	Монтаж моменті (M6)			4.5		6	Н·м
TVj	Байланыс температурасы			-40		125	。c
ТСТГ	Сақталған температура			-40		125	。c
Wt	салмағы				1580		g
сызба	406F3