ауа салқындату

VRRM,VDRM

Түрі & Сызба

600в

MT3 (айырма)

MFx1000-06-412F3

800V

MT3 (айырма)

MFx1000-08-412F3

1000В

MT3 (айырма)

MFx1000-10-412F3

1200В

MT3 (айырма)

MFx1000-12-412F3

1400V

MT3 (айырма)

MFx1000-14-412F3

1600V

MTx1000-16-412F3

MFx1000-16-412F3

1800V

MT3 (айырма)

MFx1000-18-412F3

1800V

MT1 - 1 - 2 - 3

Символ

сипаттама

Сынақ шарттары

Tj(°C)

құн

бірлік

минут

түрі

ең көп

IT(AV)

Орташа қосу күйіндегі ток

180°жартылай синусоидалық 50Hz

Бір жақты салқындатылған, TC=65°C

125

1000

a)

IT(RMS)

RMS қосу күйіндегі ток

1570

a)

Ірррр

Қайталау шыңы ағым

VDRM және VRRM кезінде

125

55

ана

ITSM

Пик қосу күйіндегі ток

VR=60%VRRM, t=10ms жартылай синус,

125

26.0

ка

i²t

Фузия координациясы үшін I2t

125

3380

10³a)²s

VTO

Төменгі кернеу

125

0.80

v

rT

Қосу күйіндегі көлбеу кедергі

0.18

mΩ

VTM

Пик қосу күйіндегі кернеу

ITM=3000A

25

1.86

v

dv/dt

Өшіру күйіндегі кернеудің критикалық өсу жылдамдығы

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Ағымдағы ағымның жоғарылауының критикалық жылдамдығы

Қақпа көзі 1.5A

tr ≤0.5μs Қайталау

125

200

А/μс

IGT

Қақпа триггерлік тока

VA=12V, IA=1A

25

30

200

ана

Vgt

Қақпа триггерлік кернеу

0.8

3.0

v

IH

Ұстап тұратын ток

10

200

ана

i)

Латчинг ток

1500

ана

VGD

Триггерленбеген қақпа кернеуі

VDM=67%VDRM

125

0.20

v

Rth(j-c)

Термиялық кедергі Джункиядан корпусқа

Әр чип үшін бір жақты салқындатылған

0.048

°C/W

Rth(c-h)

Жылу кедергісі корпусқа дейін радиатор

Әр чип үшін бір жақты салқындатылған

0.020

°C/W

VISO

Изоляция кернеуі

50Гц,R.M.S,t=1мин,Iiso:1мА(макс)

3000

v

м-ге

Терминал қосылысының қозғалтқышы ((M12)

12.0

16.0

Н·м

Қондырғының қозғалыс моменті ((M8)

10.0

12.0

Н·м

TVj

Байланыс температурасы

-40

125

°C

ТСТГ

Сақталған температура

-40

125

°C

Wt

салмағы

3660

g

сызба

412F3