IGBT მოდული 4500V

პარამეტრი

სიმბოლო

პირობები

ღირებულება

ერთეული

- ნვ.კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

vCES

vგენერალური საწარმოები=0V,tvj=25°c

4500

v

- ნვ.DC კოლექტორი- ნვ.Cuბინა

ic

tc=100°C,Tvj=125°c

2000

a

პიკის კოლექტორის მიმდინარე

icm

tპ=1ms

4000

a

გეით- ნვ ჱნამ.გამომცემელი- ნვ.ძაბვა

vგენერალური საწვავის სისტემა

- ნვ.

±20

v

საერთო- ნვ.სიმძლავრე- ნვ.გამონაბოლქვი

პtot

tc=25°C,Tvj=125°c

20800

w

dc- ნვ.წინასწარი Cuბინა

if

- ნვ.

2000

a

პიკი- ნვ.წინასწარი Curქირაობა

iFRM

tპ=1ms

4000

a

სიძლიერის დენი

iFSM

vr=0V,Tvj=125°C,

tპ=10ms, ნახევარი-წერტილი

14000

a

IGBT მოკლე ციკლის SOA

tpsc

vCC=3400V,vCEM- ნვ.ჩიპი≤4500V- ნვ.vგენერალური საწარმოები≤15V,Tvj≤125°c

10

μs

მაქსიმალური ჯუნქცია ტემპერატურა

tvj(მაქს)

- ნვ.

125

°C

გადასასვლელი- ნვ.მუშაობის ტემპერატურა

tvj(op)

- ნვ.

-40~125

°C

კორპუსის ტემპერატურა

tc

- ნვ.

-40~125

°C

შენახვის ტემპერატურა

tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

- ნვ.

-40~70

°C

მონტაჟის ძალა

fm

- ნვ.

60~75

კნ

პარამეტრი

 სიმბოლო

პირობები

ღირებულება

ერთეული

მინ.

თპ.

მაქს.

კოლექტორი-Emitter გაწყვეტის ძაბვა

V(BR)CES

VGE=0V, IC=10mA, Tvj=25℃

4500

- ნვ.

- ნვ.

v

კოლექტორ-გამომცემის გაჯერების ძაბვა

VCE (სატ)

IC=2000A, VGE=15V

Tvj=25℃

- ნვ.

2.70

3.05

v

Tvj=125℃

- ნვ.

3.35

3.85

v

კოლექტორი-Emitter გაწყვეტის მიმდინარე

ICES

VCE=4500V, VGE=0V

Tvj=25℃

- ნვ.

- ნვ.

1

mA

Tvj=125℃

- ნვ.

15

100

mA

გეიტ-ემიტერის გაჟონვის მიმდინარე

IGES

VCE=0V, VGE=±20V, Tvj=125℃

-500

- ნვ.

500

nA

ღობე-გამშვები ღობეების საზღვრის ძაბვა

VGE ((თ)

IC=320mA, VCE=VGE, Tvj=25℃

6.7

- ნვ.

7.7

v

კარიბჭის გადასახადი

სათაო ოფისი

IC=2000A, VCE=2800V, VGE=-15V~+15V

- ნვ.

10

- ნვ.

μC

შეყვანის სიმძლავრე

კაი

- ნვ.

- ნვ.

VCE=25V, VGE=0V, f=500kHz, Tvj=25℃

- ნვ.

213

- ნვ.

NF

გამოსავალი გამტარუნარიანობა

Coes

- ნვ.

15.3

- ნვ.

NF

საპირისპირო გადაცემის სიმძლავრე

კრეს

- ნვ.

4.7

- ნვ.

NF

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

RGint

- ნვ.

- ნვ.

0

- ნვ.

Ω

ჩართვის შეფერხების დრო

თსს

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

IC=2000A,

VCE=2800V,

VGE=±15V,

RGon=1.8Ω,

RGoff=8.2Ω,

CGE=330nF,

LS=140nH,

ინდუქტიური დატვირთვა

Tvj=25℃

- ნვ.

1100

- ნვ.

n

Tvj=125℃

- ნვ.

900

- ნვ.

n

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

ტრ

Tvj=25℃

- ნვ.

400

- ნვ.

n

Tvj=125℃

- ნვ.

450

- ნვ.

n

გამორთვის დაგვიანების დრო

ტდ (((გამოხურული)

Tvj=25℃

- ნვ.

3800

- ნვ.

n

Tvj=125℃

- ნვ.

4100

- ნვ.

n

შემოდგომის დრო

ტფ

Tvj=25℃

- ნვ.

1200

- ნვ.

n

Tvj=125℃

- ნვ.

1400

- ნვ.

n

ჩართვის ენერგია

ეონ

Tvj=25℃

- ნვ.

14240

- ნვ.

mJ

Tvj=125℃

- ნვ.

15730

- ნვ.

mJ

გამორთვის ენერგია

ეოფ

Tvj=25℃

- ნვ.

6960

- ნვ.

mJ

Tvj=125℃

- ნვ.

8180

- ნვ.

mJ

მოკლემეტრაჟიანი დენი

- ნვ.

ISC

VGE≤15V, tpsc≤10µs, VCC=3400V, Tvj=125℃

VCEM CHIP≤4500V

- ნვ.

- ნვ.

8400

- ნვ.

- ნვ.

a

პარამეტრი

 სიმბოლო

პირობები

ღირებულება

ერთეული

მინ.

თპ.

მაქს.

წინამავალი ძაბვა

VF

IF=2000A

Tvj=25℃

- ნვ.

2.60

- ნვ.

v

Tvj=125℃

- ნვ.

2.85

- ნვ.

v

უკუღმართი აღდგენის მიმდინარე

ირ

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

IF=2000A,   VR=2800V, VGE=15V,    RGon=1.8Ω, LS=140nH,

ინდუქტიური დატვირთვა

Tvj=25℃

- ნვ.

1620

- ნვ.

a

Tvj=125℃

- ნვ.

1970

- ნვ.

a

უკუღმართი აღდგენის დატვირთვა

კრრ

Tvj=25℃

- ნვ.

1750

- ნვ.

uC

Tvj=125℃

- ნვ.

2700

- ნვ.

uC

უკუღმართი აღდგენის დრო

trr

Tvj=25℃

- ნვ.

4.0

- ნვ.

ჩვენ

Tvj=125℃

- ნვ.

5.1

- ნვ.

ჩვენ

უკუღმართი აღდგენის ენერგიის დაკარგვა

ერეკი

Tvj=25℃

- ნვ.

2350

- ნვ.

mJ

Tvj=125℃

- ნვ.

3860

- ნვ.

mJ