IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

GD1200SGT120A3S

ერთეულები

vCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

v

vგენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

v

ic

კოლექტორი მიმდინარე @tc=25°C

@ ტc=80°C

2100

1200

a

icm

პულსირებული კოლექტორის დენი tპ=1Ms

2400

a

if

დიოდი უწყვეტი წინქირაობა

1200

a

iFM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი tპ=1ms

2400

a

პდ

მაქსიმალური სიმძლავრის გაფანტვა @ Tჯ=175°C

7.61

კვ

tjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

°C

tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურადიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

°C

vიზო

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1მნ

2500

v

დამონტაჟება- ნვ.ბრუნვის მომენტი

სიგნალის ტერმინალის შრიალი:M4

1.8 დან- ნვ.2.1

- ნვ.

ენერგიის ტერმინალის ხრახნი:M8

8.0 დან- ნვ.10

n.m

დამონტაჟების შრიფტი:M6

4.25 დან 5.75

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

v(BR)CES

კოლექტორი-გამომავალი

გამორთვის ძაბვა

tჯ=25°C

1200

- ნვ.

- ნვ.

v

iCES

კოლექციონერი- ნვ.გადაჭრილი- ნვ ჱნამ.გათიშული

მიმდინარე

vc=vCES,vგენერალური საწარმოები=0V,tჯ=25°C

- ნვ.

- ნვ.

5.0

mA

iგენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი- ნვ.მიმდინარე

vგენერალური საწარმოები=vგენერალური საწვავის სისტემა,vc=0V,- ნვ.tჯ=25°C

- ნვ.

- ნვ.

400

nA

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

vგენერალური საწარმოები(თ)

ღობე-გამომცემის ზღვარი- ნვ.ძაბვა

ic=48mA,vc=vგენერალური საწარმოები,- ნვ.tჯ=25°C

5.0

5.8

6.5

v

- ნვ.

vCE ((sat)

- ნვ.

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

ic=- ნვ.1200A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=25°C

- ნვ.

1.70

2.15

- ნვ.

v

ic=- ნვ.1200A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=125°C

- ნვ.

2.00

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=1200A,

rგონ=1.8Ω,rგოფ=0.62Ω,vგენერალური საწარმოები=±15V,Tჯ=25°C

- ნვ.

550

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

230

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

830

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

160

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა- ნვ.დაკარგვა

- ნვ.

/

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა- ნვ.დაკარგვა

- ნვ.

/

- ნვ.

mJ

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=- ნვ.1200A,კალენდარი

rგონ=- ნვ.1.8Ω,Rგოფ=0.62Ω,vგენერალური საწარმოები=±15V,Tჯ=125°C

- ნვ.

650

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

240

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

970

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

190

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა- ნვ.დაკარგვა

- ნვ.

246

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა- ნვ.დაკარგვა

- ნვ.

189

- ნვ.

mJ

cივ

შეყვანის სიმძლავრე

vc=25V,f=1MHz,

vგენერალური საწარმოები=0V

- ნვ.

85.5

- ნვ.

NF

coes

გამოსავალი გამტარუნარიანობა

- ნვ.

4.48

- ნვ.

NF

cres

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

- ნვ.

3.87

- ნვ.

NF

- ნვ.

isc

- ნვ.

ს.კ. მონაცემები

tპ≤ 10μs,Vგენერალური საწარმოები=15- ნვ.v,

tჯ=125°C,

vCC=900 ვოლტი,- ნვ.vCEM≤1200V

- ნვ.

- ნვ.

4800

- ნვ.

- ნვ.

a

rგინტი

შიდა კარიბჭე

წინააღმდეგობა

- ნვ.

- ნვ.

1.9

- ნვ.

Ω

- ნვ.c

ცარიელი ინდუქტენტობა

- ნვ.

- ნვ.

15

- ნვ.

nH

- ნვ.

rCC+EE

მოდული Lead

ოპერაციული წინააღმდეგობა,

ტერმინალი ჩიპზე

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

0.10

- ნვ.

- ნვ.

mΩ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

vf

დიოდი წინ

ძაბვა

if=- ნვ.1200A

tჯ=25°C

- ნვ.

1.65

2.05

v

tჯ=125°C

- ნვ.

1.65

- ნვ.

qr

აღდგენილი

დატვირთვა

if=- ნვ.1200A,

vr=600V,

rგონ=0.6Ω,

vგენერალური საწარმოები=-15 ვოლტი

tჯ=25°C

- ნვ.

112

- ნვ.

μC

tჯ=125°C

- ნვ.

224

- ნვ.

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

tჯ=25°C

- ნვ.

850

- ნვ.

a

tჯ=125°C

- ნვ.

1070

- ნვ.

ერეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

tჯ=25°C

- ნვ.

48.0

- ნვ.

mJ

tჯ=125°C

- ნვ.

96.0

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

თპ.

მაქს.

ერთეულები

rθჟ.კ.

კვანძები (IGB-ის მიხედვით)ტ)

- ნვ.

19.7

K/kW

rθჟ.კ.

კვანძები (D-ზე)იოდი)

- ნვ.

31.3

K/kW

rθCS

კასე-დან-სანკამდე (მატარებელი ცხიმის აპლიკაცია)ტყუილი)

8

- ნვ.

K/kW

წონა

წონაკალენდარიმოდული

1050

- ნვ.

g