IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულებები

ერთეული

vCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

v

vგენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

v

ic

კოლექტორის დენი @ Tc=90oc

900

a

icm

პულსირებული კოლექტორის დენი tპ=1ms

1800

a

პდ

მაქსიმალური სიმძლავრის გაფანტვა @ Tჯ=175oc

3409

w

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულებები

ერთეული

vRRM

მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვამოწოდება

1200

v

if

დიოდი უწყვეტი წინქირაობა

900

a

iFM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი tპ=1ms

1800

a

iFSM

მოწოდების წინასწარი მიმდინარე  tპ=10ms  @tჯ=25ocკალენდარი@ ტჯ=150oc

4100

3000

a

i2t

i2t-ღირებულება,tპ=10ms  @ Tჯ=25oc

@ ტჯ=150oc

84000

45000

a2s

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

tjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

oc

tჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

oc

tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

oc

vიზო

იზოლაციის ძაბვა  RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.

- ნვ.

vCE ((sat)

- ნვ.

- ნვ.

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

ic=900A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=25oc

- ნვ.

1.40

1.85

- ნვ.

- ნვ.

v

ic=900A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=125oc

- ნვ.

1.60

- ნვ.

ic=900A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=175oc

- ნვ.

1.65

- ნვ.

vგენერალური საწარმოები(თ)

ღობე-გამომცემის ზღვარი- ნვ.ძაბვა

ic=24.0mA,vc=vგენერალური საწარმოები,- ნვ.tჯ=25oc

5.5

6.3

7.0

v

iCES

კოლექციონერი- ნვ.გადაჭრილი- ნვ ჱნამ.გათიშული

მიმდინარე

vc=vCES,vგენერალური საწარმოები=0V,

tჯ=25oc

- ნვ.

- ნვ.

1.0

mA

iგენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი- ნვ.მიმდინარე

vგენერალური საწარმოები=vგენერალური საწვავის სისტემა,vc=0V,tჯ=25oc

- ნვ.

- ნვ.

400

nA

rგინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობათეატრალური

- ნვ.

- ნვ.

0.5

- ნვ.

Ω

cივ

შეყვანის სიმძლავრე

vc=25V,f=100kHz,- ნვ.vგენერალური საწარმოები=0V

- ნვ.

51.5

- ნვ.

NF

cres

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

- ნვ.

0.36

- ნვ.

NF

qg

კარიბჭის გადასახადი

vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15…+15V

- ნვ.

13.6

- ნვ.

μC

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=900A,  rg=0.51Ω, Ls=40nH,- ნვ.vგენერალური საწარმოები=-8V/+15V,

tჯ=25oc

- ნვ.

330

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

140

- ნვ.

n

td(off)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

842

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

84

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

144

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

87.8

- ნვ.

mJ

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=900A,  rg=0.51Ω, Ls=40nH,- ნვ.vგენერალური საწარმოები=-8V/+15V,

tჯ=125oc

- ნვ.

373

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

155

- ნვ.

n

td(off)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

915

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

135

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

186

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

104

- ნვ.

mJ

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=900A,  rg=0.51Ω, Ls=40nH,- ნვ.vგენერალური საწარმოები=-8V/+15V,

tჯ=175oc

- ნვ.

390

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

172

- ნვ.

n

td(off)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

950

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

162

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

209

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

114

- ნვ.

mJ

- ნვ.

- ნვ.

isc

- ნვ.

- ნვ.

ს.კ. მონაცემები

tპ≤8μs,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,

tჯ=150oC,VCC=800V,- ნვ.vCEM- ნვ.≤1200 ვოლტი

- ნვ.

- ნვ.

3200

- ნვ.

- ნვ.

a

tპ≤6μs,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,

tჯ=175oC,VCC=800V,- ნვ.vCEM- ნვ.≤1200 ვოლტი

- ნვ.

- ნვ.

3000

- ნვ.

- ნვ.

a

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

- ნვ.

vf

დიოდი წინ

ძაბვა

if=900A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=25oc

- ნვ.

1.55

2.00

- ნვ.

v

if=900A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=125oc

- ნვ.

1.65

- ნვ.

if=900A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=175oc

- ნვ.

1.55

- ნვ.

qr

აღდგენილი გადასახადი

- ნვ.

vr=600 ვოლტი,If=900A,

-di/dt=4930A/μs,Vგენერალური საწარმოები=-8V, ლs=40nH,tჯ=25oc

- ნვ.

91.0

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

441

- ნვ.

a

ერეკ

საპირისპირო აღდგენა- ნვ.ენერგია

- ნვ.

26.3

- ნვ.

mJ

qr

აღდგენილი გადასახადი

- ნვ.

vr=600 ვოლტი,If=900A,

-di/dt=4440A/μs,Vგენერალური საწარმოები=-8V, ლs=40nH,tჯ=125oc

- ნვ.

141

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

493

- ნვ.

a

ერეკ

საპირისპირო აღდგენა- ნვ.ენერგია

- ნვ.

42.5

- ნვ.

mJ

qr

აღდგენილი გადასახადი

- ნვ.

vr=600 ვოლტი,If=900A,

-di/dt=4160A/μs,Vგენერალური საწარმოები=-8V, ლs=40nH,tჯ=175oc

- ნვ.

174

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

536

- ნვ.

a

ერეკ

საპირისპირო აღდგენა- ნვ.ენერგია

- ნვ.

52.4

- ნვ.

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

r25

ნომინირებული წინააღმდეგობა

- ნვ.

- ნვ.

5.0

- ნვ.

kΩ

∆R/R

გადახრა- ნვ.თეთრი- ნვ.r100

tc=100- ნვ.oc,R100= 493.3Ω

-5

- ნვ.

5

%

პ25

სიმძლავრე

გამონაბოლქვი

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

20.0

მვ

ბ25/50

B-მასპინძელი

r2=R25exp[ბ]25/501/T2- ნვ ჱნამ.

1⁄298.15K))]

- ნვ.

3375

- ნვ.

k

ბ25/80

B-მასპინძელი

r2=R25exp[ბ]25/801/T2- ნვ ჱნამ.

1⁄298.15K))]

- ნვ.

3411

- ნვ.

k

ბ25/100

B-მასპინძელი

r2=R25exp[ბ]25/1001/T2- ნვ ჱნამ.

1⁄298.15K))]

- ნვ.

3433

- ნვ.

k

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.c

ცარიელი ინდუქტენტობა

- ნვ.

20

- ნვ.

nH

rCC+EE

მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

- ნვ.

0.80

- ნვ.

mΩ

rthJC

კვანძები (IGB-ის მიხედვით)ტ)

ჯუნქცია-კეისზე (თითო დიოდი)

- ნვ.

- ნვ.

0.044

0.076

კვ/ვ

- ნვ.

rthCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

კეისზე-თბოსინქზე (თითოდიოდის)

კეისზე-თბოსინქზე (თითომოდული)

- ნვ.

0.028

0.049

0.009

- ნვ.

კვ/ვ

m

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი,- ნვ.მუხრუჭი M6- ნვ.დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა,- ნვ.მუხრუჭი M5

3.0

3.0

- ნვ.

6.0

6.0

n.m

g

წონა- ნვ.თეთრი- ნვ.მოდული

- ნვ.

350

- ნვ.

g