IGBT მოდული,1700V 650A
მახასიათებლები
- ნვ.
ტიპიური- ნვ.განაცხადები
აბსოლუტური- ნვ.მაქსიმალური- ნვ.რეიტინგები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.შენიშვნა
IGBT
სიმბოლო | აღწერა | ღირებულება | ერთეული |
vCES | კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა | 1700 | v |
vგენერალური საწვავის სისტემა | ღობე-გამომცემის ძაბვა | ±20 | v |
ic | კოლექტორის დენი @ Tc=25oc @ ტc=- ნვ.100oc | 1073 650 | a |
icm | პულსირებული კოლექტორის დენი tპ=1ms | 1300 | a |
პდ | მაქსიმალური სიმძლავრის გაფანტვა @ Tჯ=175oc | 4.2 | კვ |
- ნვ.
დიოდი
- ნვ.
სიმბოლო | აღწერა | ღირებულება | ერთეული |
vRRM | განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა | 1700 | v |
if | დიოდი უწყვეტი წინქირაობა | 650 | a |
iFM | დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი tპ=1ms | 1300 | a |
მოდული
სიმბოლო | აღწერა | ღირებულება | ერთეული |
tjmax | მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა | 175 | oc |
tჯოპი | მუშაობის კვანძის ტემპერატურა | -40-დან +150-მდე | oc |
tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო | შენახვის ტემპერატურადიაპაზონი | -40-დან +150-მდე | oc |
vიზო | იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1წთ | 4000 | v |
IGBT- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა
სიმბოლო | პარამეტრი | გამოცდის პირობები | მინ. | თპ. | მაქს. | ერთეული |
- ნვ. - ნვ. vCE ((sat) | - ნვ. - ნვ. შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა | ic=650A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=25oc | - ნვ. | 1.90 | 2.35 | - ნვ. - ნვ. v |
ic=650A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=125oc | - ნვ. | 2.35 | - ნვ. | |||
ic=650A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=150oc | - ნვ. | 2.45 | - ნვ. | |||
vგენერალური საწარმოები(თ) | ღობე-გამომცემის ზღვარი- ნვ.ძაბვა | ic=24.0mA,vc=vგენერალური საწარმოები,- ნვ.tჯ=25oc | 5.6 | 6.2 | 6.8 | v |
iCES | კოლექციონერი- ნვ.გადაჭრილი- ნვ ჱნამ.გათიშული მიმდინარე | vc=vCES,vგენერალური საწარმოები=0V, tჯ=25oc | - ნვ. | - ნვ. | 5.0 | mA |
iგენერალური საწვავის სისტემა | კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი- ნვ.მიმდინარე | vგენერალური საწარმოები=vგენერალური საწვავის სისტემა,vc=0V,tჯ=25oc | - ნვ. | - ნვ. | 400 | nA |
rგინტი | შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობათეატრალური | - ნვ. | - ნვ. | 2.3 | - ნვ. | Ω |
cივ | შეყვანის სიმძლავრე | vc=25V,f=1MHz, vგენერალური საწარმოები=0V | - ნვ. | 72.3 | - ნვ. | NF |
cres | საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა | - ნვ. | 1.75 | - ნვ. | NF | |
qg | კარიბჭის გადასახადი | vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15…+15V | - ნვ. | 5.66 | - ნვ. | μC |
tდ(თეთრი) | ჩართვის შეფერხების დრო | - ნვ. - ნვ. vCC=900V,Ic=650A,კალენდარიrგონ=- ნვ.1.8Ω,Rგოფ=2.7Ω,vგენერალური საწარმოები=±15V,Tჯ=25oc | - ნვ. | 468 | - ნვ. | n |
tr | ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ | - ნვ. | 86 | - ნვ. | n | |
tდ(გათიშული) | გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო | - ნვ. | 850 | - ნვ. | n | |
tf | შემოდგომის დრო | - ნვ. | 363 | - ნვ. | n | |
ეთეთრი | ჩართვა- ნვ.გადასვლა დაკარგვა | - ნვ. | 226 | - ნვ. | mJ | |
ეგათიშული | გამორთვის გადართვა დაკარგვა | - ნვ. | 161 | - ნვ. | mJ | |
tდ(თეთრი) | ჩართვის შეფერხების დრო | - ნვ. - ნვ. vCC=900V,Ic=650A,კალენდარიrგონ=- ნვ.1.8Ω,Rგოფ=2.7Ω,vგენერალური საწარმოები=±15V,Tჯ=- ნვ.125oc | - ნვ. | 480 | - ნვ. | n |
tr | ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ | - ნვ. | 110 | - ნვ. | n | |
tდ(გათიშული) | გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო | - ნვ. | 1031 | - ნვ. | n | |
tf | შემოდგომის დრო | - ნვ. | 600 | - ნვ. | n | |
ეთეთრი | ჩართვა- ნვ.გადასვლა დაკარგვა | - ნვ. | 338 | - ნვ. | mJ | |
ეგათიშული | გამორთვის გადართვა დაკარგვა | - ნვ. | 226 | - ნვ. | mJ | |
tდ(თეთრი) | ჩართვის შეფერხების დრო | - ნვ. - ნვ. vCC=900V,Ic=650A,კალენდარიrგონ=- ნვ.1.8Ω,Rგოფ=2.7Ω,vგენერალური საწარმოები=±15V,Tჯ=- ნვ.150oc | - ნვ. | 480 | - ნვ. | n |
tr | ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ | - ნვ. | 120 | - ნვ. | n | |
tდ(გათიშული) | გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო | - ნვ. | 1040 | - ნვ. | n | |
tf | შემოდგომის დრო | - ნვ. | 684 | - ნვ. | n | |
ეთეთრი | ჩართვა- ნვ.გადასვლა დაკარგვა | - ნვ. | 368 | - ნვ. | mJ | |
ეგათიშული | გამორთვის გადართვა დაკარგვა | - ნვ. | 242 | - ნვ. | mJ | |
- ნვ. isc | - ნვ. ს.კ. მონაცემები | tპ≤ 10μs,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი, tჯ=150oC,VCC=- ნვ.1000V, VCEM≤1700V | - ნვ. | - ნვ. 2600 | - ნვ. | - ნვ. a |
დიოდი- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა
სიმბოლო | პარამეტრი | გამოცდის პირობები | მინ. | თპ. | მაქს. | ერთეული |
- ნვ. vf | დიოდი წინ ძაბვა | if=650A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=25oc | - ნვ. | 1.85 | 2.30 | - ნვ. v |
if=650A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=- ნვ.125oc | - ნვ. | 1.98 | - ნვ. | |||
if=650A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=- ნვ.150oc | - ნვ. | 2.02 | - ნვ. | |||
qr | აღდგენილი გადასახადი | vr=900V,If=650A, -di/dt=5980A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15 ვოლტიtჯ=25oc | - ნვ. | 176 | - ნვ. | μC |
iRM | პიკის საპირისპირო აღდგენის დენი | - ნვ. | 765 | - ნვ. | a | |
ერეკ | საპირისპირო აღდგენაენერგია | - ნვ. | 87.4 | - ნვ. | mJ | |
qr | აღდგენილი გადასახადი | vr=900V,If=650A, -di/dt=5980A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15 ვოლტი- ნვ.tჯ=- ნვ.125oc | - ნვ. | 292 | - ნვ. | μC |
iRM | პიკის საპირისპირო აღდგენის დენი | - ნვ. | 798 | - ნვ. | a | |
ერეკ | საპირისპირო აღდგენაენერგია | - ნვ. | 159 | - ნვ. | mJ | |
qr | აღდგენილი გადასახადი | vr=900V,If=650A, -di/dt=5980A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15 ვოლტი- ნვ.tჯ=- ნვ.150oc | - ნვ. | 341 | - ნვ. | μC |
iRM | პიკის საპირისპირო აღდგენის დენი | - ნვ. | 805 | - ნვ. | a | |
ერეკ | საპირისპირო აღდგენაენერგია | - ნვ. | 192 | - ნვ. | mJ |
NTC- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა
სიმბოლო | პარამეტრი | გამოცდის პირობები | მინ. | თპ. | მაქს. | ერთეული |
r25 | ნომინირებული წინააღმდეგობა | - ნვ. | - ნვ. | 5.0 | - ნვ. | kΩ |
ΔR/R | გადახრა- ნვ.თეთრი- ნვ.r100 | tc=- ნვ.100- ნვ.oC,R100= 493.3Ω | -5 | - ნვ. | 5 | % |
პ25 | სიმძლავრე გამონაბოლქვი | - ნვ. | - ნვ. | - ნვ. | 20.0 | მვ |
ბ25/50 | B-მასპინძელი | r2=R25exp[ბ]25/501/T2- ნვ ჱნამ. 1⁄298.15K))] | - ნვ. | 3375 | - ნვ. | k |
ბ25/80 | B-მასპინძელი | r2=R25exp[ბ]25/801/T2- ნვ ჱნამ. 1⁄298.15K))] | - ნვ. | 3411 | - ნვ. | k |
ბ25/100 | B-მასპინძელი | r2=R25exp[ბ]25/1001/T2- ნვ ჱნამ. 1⁄298.15K))] | - ნვ. | 3433 | - ნვ. | k |
მოდული- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა
სიმბოლო | პარამეტრი | მინ. | თპ. | მაქს. | ერთეული |
- ნვ.c | ცარიელი ინდუქტენტობა | - ნვ. | 18 | - ნვ. | nH |
rCC+EE | მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა,ტერმინალი ჩიპს | - ნვ. | 0.30 | - ნვ. | mΩ |
rthJC | კვანძები (IGB-ის მიხედვით)ტ) კვანძები (D-ზე)იოდი) | - ნვ. | - ნვ. | 35.8 71.3 | K/kW |
- ნვ. rthCH | კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) ქეის-დან-ჰეითსინკ (p)er დიოდი) კეისზე-თბოსინქზე (თითომოდული) | - ნვ. | 13.5 26.9 4.5 | - ნვ. | K/kW |
- ნვ. m | ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი,- ნვ.მ4- ნვ.ტერმინალის კავშირიბრუნვის ძაბვა,- ნვ.მუხრუჭი M8- ნვ.დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა,- ნვ.მუხრუჭი M5 | 1.8 8.0 3.0 | - ნვ. | 2.1 10.0 6.0 | - ნვ. n.m |
g | წონა- ნვ.თეთრი- ნვ.მოდული | - ნვ. | 810 | - ნვ. | g |
- ნვ.
ნაქთრვ პვფჲნალთწ ჟჲპკარა ჟლვეარ ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.
EN
