IGBT მოდული 3300V

პარამეტრი

სიმბოლო

პირობები

მნ

მაქს

ერთეული

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

VCES

VGE =0V,Tvj ≥25°C

- ნვ.

3300

v

DC კოლექტორის მიმდინარე

IC

TC = 80°C

- ნვ.

400

a

პიკის კოლექტორის მიმდინარე

ICM

tp=1ms,Tc=80°C

- ნვ.

800

a

ღობე-გამომცემის ძაბვა

VGES

- ნვ.

-20

20

v

მთლიანი სიმძლავრის გაფანტვა

Ptot

TC =25°C, თითო გადართვაზე(IGBT)

- ნვ.

7100

w

DC წინასწარი მიმდინარე

თუ

- ნვ.

- ნვ.

400

a

პიკ-წინ დენი

IFRM

tp=1ms

- ნვ.

800

a

სიძლიერის დენი

IFSM

VR = 0V,Tvj = 125°C,tp = 10ms, ნახევარი სიზუსტის ტალღა

- ნვ.

3000

a

IGBT მოკლე ციკლის SOA

tpsc

VCC =2500V,VCEMCHIP ≤3300V VGE ≤15V,Tvj≤125°C

- ნვ.

10

μs

იზოლაციის ძაბვა

Visol

1წუთი,f=50Hz

- ნვ.

10200

v

ჯუნქციის ტემპერატურა

Tvj

- ნვ.

- ნვ.

150

°C

ჯუნქციის სამუშაო ტემპერატურა

Tvj(op)

- ნვ.

-50

150

°C

კორპუსის ტემპერატურა

tc

- ნვ.

-50

125

°C

შენახვის ტემპერატურა

TSTG

- ნვ.

-50

125

°C

- ნვ.

მონტაჟის მომენტები

Ms

ბაზური თბო-სანქსები,M6 შრიფტები

4

6

- ნვ.

- ნვ.

nm

Mt1

მთავარი ტერმინალები,M8 შრიფტები

8

10

პარამეტრი

სიმბოლო

პირობები

მნ

ტიპი

მაქს

ერთეული

კოლექტორის (გამომცემის) გამორთვის ძაბვა

V(BR)CES

VGE =0V,IC =5mA, Tvj =25°C

3300

- ნვ.

- ნვ.

v

კოლექტორ-გამომცემის გაჯერების ძაბვა

VCEsat

IC = 400A, VGE = 15V

Tvj= 25°C

- ნვ.

3.0

- ნვ.

v

Tvj=125°C

- ნვ.

3.6

- ნვ.

v

კოლექტორის გათიშული დენი

ICES

VCE = 3300V, VGE = 0V

Tvj= 25°C

- ნვ.

- ნვ.

5

mA

Tvj=125°C

- ნვ.

- ნვ.

50

mA

ღობეების გაჟონვის დენი

IGES

VCE =0V,VGE =20V,TVj =125°C

-500

- ნვ.

500

nA

ღობე-გამშვები ღობეების საზღვრის ძაბვა

VGE ((თ)

IC = 80mA,VCE = VGE, Tvj = 25°C

5.5

- ნვ.

7.5

v

კარიბჭის გადასახადი

სათაო ოფისი

IC = 400A,VCE = 1800V,VGE =-15V... 15V

- ნვ.

4.0

- ნვ.

µC

შეყვანის სიმძლავრე

კაი

- ნვ.

- ნვ.

VCE = 25V,VGE = 0V,f=1MHz,Tvj = 25°C

- ნვ.

65

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

NF

გამოსავალი გამტარუნარიანობა

Coes

- ნვ.

3.7

- ნვ.

საპირისპირო გადაცემის სიმძლავრე

კრეს

- ნვ.

0.8

- ნვ.

ჩართვის შეფერხების დრო

თსს

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

VCC = 1800V,

IC = 400A,

RG =2.3Ω,

VGE =±15V,

Lσ=280nH,

ინერციული დატვირთვა

Tvj = 25 °C

- ნვ.

650

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

n

Tvj = 125 °C

- ნვ.

750

- ნვ.

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

ტრ

Tvj = 25 °C

- ნვ.

400

- ნვ.

Tvj = 125 °C

- ნვ.

470

- ნვ.

გამორთვის დაგვიანების დრო

ტდ (((გამოხურული)

Tvj = 25 °C

- ნვ.

1600

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

n

Tvj = 125 °C

- ნვ.

1800

- ნვ.

შემოდგომის დრო

ტფ

Tvj = 25 °C

- ნვ.

1100

- ნვ.

Tvj = 125 °C

- ნვ.

1200

- ნვ.

ჩართვის გადართვის ენერგიის დაკარგვა

ეონ

Tvj = 25 °C

- ნვ.

1400

- ნვ.

mJ

Tvj = 125 °C

- ნვ.

1800

- ნვ.

გამორთვის გადართვის ენერგიის დაკარგვა

ეოფ

Tvj = 25 °C

- ნვ.

1300

- ნვ.

mJ

Tvj = 125 °C

- ნვ.

1700

- ნვ.

მოკლემეტრაჟიანი დენი

ISC

tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 125°C,VCC = 2500V

- ნვ.

2500

- ნვ.

a

პარამეტრი

სიმბოლო

პირობები

მნ

ტიპი

მაქს

ერთეული

წინამავალი ძაბვა

VF

IF = 400A

Tvj = 25 °C

- ნვ.

2.3

2.6

v

Tvj = 125 °C

- ნვ.

2.35

2.6

უკუღმართი აღდგენის მიმდინარე

ირ

- ნვ.

VCC = 1800V,

IC = 400A,

RG =2.3Ω,

VGE =±15V,

Lσ=280nH,

Tvj = 25 °C

- ნვ.

900

- ნვ.

a

Tvj = 125 °C

- ნვ.

1000

- ნვ.

აღდგენილი გადასახადი

კრრ

Tvj = 25 °C

- ნვ.

700

- ნვ.

µC

Tvj = 125 °C

- ნვ.

1000

- ნვ.

უკუღმართი აღდგენის დრო

trr

Tvj = 25 °C

- ნვ.

850

- ნვ.

n

Tvj = 125 °C

- ნვ.

2200

- ნვ.

ენერგიის საპირისპირო აღდგენა

ერეკი

Tvj = 25 °C

- ნვ.

850

- ნვ.

mJ

Tvj = 125 °C

- ნვ.

1300

- ნვ.