IGBT მოდული 1700V

(სიმბოლო)

(პარამეტრი)

(ტესტირების პირობები)

(მნიშვნელობა)

(ერთეული)

VCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

V GE = 0V,Tvj = 25°C

1700

v

V GES

ღობე-გამომცემის ძაბვა

- ნვ.

± 20

v

I C

კოლექტორ-გამომცემის დენი

T case = 100 °C, Tvj = 150 °C

2400

a

I C(PK)

პიკის კოლექტორის მიმდინარე

tP = 1ms

4800

a

P მაქს

მაქს.- ნვ.ტრანზისტორის ენერგიის დაკარგვა

Tvj = 150°C, T case = 25 °C

19.2

კვ

I 2t

დიოდი I2t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C

1170

kA2s

- ნვ.

Visol

იზოლაციის ძაბვა – თითო მოდულზე

( საერთო ტერმინალები ბაზის პლატისთვის),

AC RMS,1 წთ, 50Hz

- ნვ.

4000

- ნვ.

v

Q PD

პარტიული გაწვდვა – თითო მოდულზე

IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS

10

pc

Tcase = 25 °C T case = 25°C თუ არ არის მითითებული სხვაგვარად

(სიმბოლო)

(პარამეტრი)

(ტესტირების პირობები)

(მინიმუმი)

(ტიპი)

(მაქს)

(ერთეული)

- ნვ.

- ნვ.

I CES

- ნვ.

- ნვ.

კოლექტორის გამორთული დენი

V GE = 0V, VCE = VCES

- ნვ.

- ნვ.

1

mA

V GE = 0V, VCE = VCES , T case =125 °C

- ნვ.

- ნვ.

40

mA

V GE = 0V, VCE = VCES , T case =150 °C

- ნვ.

- ნვ.

60

mA

I GES

ღობეების გაჟონვის დენი

V GE = ±20V, VCE = 0V

- ნვ.

- ნვ.

1

μA

V GE (TH)

ღობეების ზღვრული ძაბვა

I C = 80mA, V GE = VCE

5.0

6.0

7.0

v

- ნვ.

- ნვ.

VCE (sat) ((*1)

- ნვ.

კოლექტორი-გამომავალი გაწყვეტა

ძაბვა

VGE =15V, IC = 2400A

- ნვ.

1.75

- ნვ.

v

VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 125 °C

- ნვ.

1.95

- ნვ.

v

VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 150 °C

- ნვ.

2.05

- ნვ.

v

I F

დიოდური წინასწარი დენი

dc

- ნვ.

2400

- ნვ.

a

I FRM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი

t P = 1მს

- ნვ.

4800

- ნვ.

a

- ნვ.

- ნვ.

VF(*1)

- ნვ.

- ნვ.

დიოდის წინამავალი ძაბვა

IF = 2400A

- ნვ.

1.65

- ნვ.

v

IF = 2400A, Tvj = 125 °C

- ნვ.

1.75

- ნვ.

v

IF = 2400A, Tvj = 150 °C

- ნვ.

1.75

- ნვ.

v

კაი

შეყვანის სიმძლავრე

VCE = 25V, V GE  = 0V, f = 1MHz

- ნვ.

400

- ნვ.

NF

სათაო ოფისი

 კარიბჭის დატვირთვა

±15V

- ნვ.

19

- ნვ.

μC

კრეს

საპირისპირო გადაცემის სიმძლავრე

VCE = 25V, V GE  = 0V, f = 1MHz

- ნვ.

3

- ნვ.

NF

L M

მოდულის ინდუქტენტობა

- ნვ.

- ნვ.

10

- ნვ.

nH

R INT

ტრანზიისტორის შიდა წინააღმდეგობა

- ნვ.

- ნვ.

110

- ნვ.

μΩ

- ნვ.

- ნვ.

I SC

- ნვ.

კороткое ჩართვის მიმდინარე, ISC

Tvj = 150°C, V CC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2) ×di/dt, IEC 6074-9

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

12000

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

a

ტდ (((გამოხურული)

გამორთვის დაგვიანების დრო

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

I C = 2400A

VCE = 900V

L S  ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

- ნვ.

2320

- ნვ.

n

t f

შემოდგომის დრო

- ნვ.

500

- ნვ.

n

E OFF

გამორთვის ენერგიის დანაკარგი

- ნვ.

1050

- ნვ.

mJ

თსს

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

450

- ნვ.

n

ტრ

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

210

- ნვ.

n

ეონ

ჩართვის ენერგიის დაკარგვა

- ნვ.

410

- ნვ.

mJ

კრრ

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის დატვირთვა

- ნვ.

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =10000A/us

- ნვ.

480

- ნვ.

μC

I rr

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის მიმდინარე

- ნვ.

1000

- ნვ.

a

ერეკი

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის ენერგია

- ნვ.

320

- ნვ.

mJ

ტდ (((გამოხურული)

გამორთვის დაგვიანების დრო

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

I C = 2400A

VCE = 900V

L S  ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

- ნვ.

2340

- ნვ.

n

t f

შემოდგომის დრო

- ნვ.

510

- ნვ.

n

E OFF

გამორთვის ენერგიის დანაკარგი

- ნვ.

1320

- ნვ.

mJ

თსს

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

450

- ნვ.

n

ტრ

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

220

- ნვ.

n

ეონ

ჩართვის ენერგიის დაკარგვა

- ნვ.

660

- ნვ.

mJ

კრრ

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის დატვირთვა

- ნვ.

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =10000A/us

- ნვ.

750

- ნვ.

μC

I rr

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის მიმდინარე

- ნვ.

1200

- ნვ.

a

ერეკი

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის ენერგია

- ნვ.

550

- ნვ.

mJ

ტდ (((გამოხურული)

გამორთვის დაგვიანების დრო

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

I C = 2400A

VCE = 900V

L S  ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

- ნვ.

2340

- ნვ.

n

t f

შემოდგომის დრო

- ნვ.

510

- ნვ.

n

E OFF

გამორთვის ენერგიის დანაკარგი

- ნვ.

1400

- ნვ.

mJ

თსს

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

450

- ნვ.

n

ტრ

 ზრდის დრო

- ნვ.

220

- ნვ.

n

ეონ

ჩართვის ენერგიის დაკარგვა

- ნვ.

820

- ნვ.

mJ

კრრ

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის დატვირთვა

- ნვ.

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =12000A/us

- ნვ.

820

- ნვ.

μC

I rr

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის მიმდინარე

- ნვ.

1250

- ნვ.

a

ერეკი

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის ენერგია

- ნვ.

620

- ნვ.

mJ