IGBT მოდული 1700V

(სიმბოლო)

(პარამეტრი)

(ტესტირების პირობები)

(მნიშვნელობა)

(ერთეული)

VCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

V GE = 0V, TC= 25◊c

1700

v

V GES

ღობე-გამომცემის ძაბვა

TC= 25◊c

± 20

v

I C

კოლექტორ-გამომცემის დენი

TC  = 80◊c

800

a

I C(PK)

პიკის კოლექტორის მიმდინარე

t P=1ms

1600

a

P მაქს

მაქსიმალური ტრანზიტორის ენერგიის გაფანტვა

Tvj  = 150◊C, TC = 25◊c

6.94

კვ

I 2t

დიოდ I 2t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 125◊c

120

kA2s

- ნვ.

Visol

იზოლაციის ძაბვა – თითო მოდულზე

( საერთო ტერმინალები ბაზის პლატისთვის),

AC RMS,1 წთ, 50Hz,TC= 25◊c

4000

v

Q PD

პარტიული გაწვდვა – თითო მოდულზე

IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS, TC= 25◊c

10

pc

(სიმბოლო)

- ნვ.(პარამეტრი)

(ტესტირების პირობები)

(მნ)

(ტიპი)

(მაქს)

(ერთეული)

- ნვ.

I CES

კოლექტორის გამორთული დენი

V GE = 0V,VCE  = VCES

- ნვ.

- ნვ.

1

mA

V GE = 0V, VCE  = VCES , TC=125 ° C

- ნვ.

- ნვ.

25

mA

I GES

ღობეების გაჟონვის დენი

V GE = ±20V, VCE = 0V

- ნვ.

- ნვ.

4

μA

V GE (TH)

ღობეების ზღვრული ძაბვა

I C = 40mA, V GE = VCE

5.00

5.70

6.50

v

- ნვ.

VCE (sat) ((*1)

კოლექტორ-გამომცემის გაჯერების ძაბვა

V GE =15V, I C  = 800A

- ნვ.

2.30

2.60

v

V GE =15V, I C  = 800A,Tvj = 125 ° C

- ნვ.

2.80

3.10

v

I F

დიოდური წინასწარი დენი

DCdc

- ნვ.

- ნვ.

800

a

I FRM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი

t P = 1მს

- ნვ.

- ნვ.

1600

a

- ნვ.

VF(*1)

დიოდის წინამავალი ძაბვა

I F = 800A

- ნვ.

1.70

2.00

v

I F = 800A, Tvj  = 125 ° C

- ნვ.

1.80

2.10

v

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

VCE = 25V, V GE  = 0V, f = 1MHz

- ნვ.

60

- ნვ.

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

±15V

- ნვ.

9

- ნვ.

μC

C res

საპირისპირო გადაცემის სიმძლავრე

VCE = 25V, V GE  = 0V, f = 1MHz

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ ჱნამ.

- ნვ.

NF

L M

მოდულის ინდუქტენტობა

- ნვ.

- ნვ.

20

- ნვ.

nH

R INT

ტრანზიისტორის შიდა წინააღმდეგობა

- ნვ.

- ნვ.

270

- ნვ.

μΩ

- ნვ.

- ნვ.

I SC

კороткое ჩართვის მიმდინარე, ISC

Tvj = 125° C, VCC  = 1000V,

V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt,

IEC 6074-9

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

3700

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

a

ტდ (((გამოხურული)

გამორთვის დაგვიანების დრო

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

- ნვ.

890

- ნვ.

n

t f

შემოდგომის დრო

- ნვ.

220

- ნვ.

n

E OFF

გამორთვის ენერგიის დანაკარგი

- ნვ.

220

- ნვ.

mJ

თსს

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

320

- ნვ.

n

t r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

190

- ნვ.

n

ეონ

ჩართვის ენერგიის დაკარგვა

- ნვ.

160

- ნვ.

mJ

Q rr

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის დატვირთვა

- ნვ.

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

- ნვ.

260

- ნვ.

μC

I rr

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის მიმდინარე

- ნვ.

510

- ნვ.

a

E rec

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის ენერგია

- ნვ.

180

- ნვ.

mJ

ტდ (((გამოხურული)

გამორთვის დაგვიანების დრო

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

- ნვ.

980

- ნვ.

n

t f

შემოდგომის დრო

- ნვ.

280

- ნვ.

n

E OFF

გამორთვის ენერგიის დანაკარგი

- ნვ.

290

- ნვ.

mJ

თსს

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

400

- ნვ.

n

t r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

250

- ნვ.

n

ეონ

ჩართვის ენერგიის დაკარგვა

- ნვ.

230

- ნვ.

mJ

Q rr

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის დატვირთვა

- ნვ.

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

- ნვ.

420

- ნვ.

μC

I rr

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის მიმდინარე

- ნვ.

580

- ნვ.

a

E rec

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის ენერგია

- ნვ.

280

- ნვ.

mJ