IGBT მოდული 3300V

(სიმბოლო)

(პარამეტრი)

(ტესტირების პირობები)

(მნიშვნელობა)

(ერთეული)

VCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

V GE = 0V,Tvj = 25°C

3300

v

V GES

ღობე-გამომცემის ძაბვა

- ნვ.

± 20

v

I C

კოლექტორ-გამომცემის დენი

T case = 100 °C, Tvj = 150 °C

500

a

I C(PK)

პიკის კოლექტორის მიმდინარე

1ms, T შემთხვევაში = 140 °C

1000

a

P მაქს

მაქსიმალური ტრანზიტორის ენერგიის გაფანტვა

Tvj = 150°C, T case = 25 °C

5.2

კვ

I 2t

დიოდი

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C

80

kA2s

Visol

იზოლაციის ძაბვა – თითო მოდულზე

საერთო ტერმინალები ბაზის პლატისთვის),

AC RMS,1 წთ, 50Hz

6000

v

Q PD

პარტიული გაწვდვა – თითო მოდულზე

IEC1287. V 1 = 3500V, V2 = 2600V, 50Hz RMS, TC = 25 °C

10

pc

tშემთხვევა- ნვ.= 25 °cკალენდარიt- ნვ.შემთხვევაკალენდარი= 25°c- ნვ.თუკი- ნვ.განცხადება- ნვ.სხვაგვარად

(სიმბოლო)

(პარამეტრი)

(ტესტირების პირობები)

(მნ)

(ტიპი)

(მაქს)

(ერთეული)

- ნვ.

- ნვ.

i- ნვ.CES

კოლექტორის გამორთული დენი

v- ნვ.გენერალური საწარმოები- ნვ.= 0V,- ნვ.vcკალენდარი=- ნვ.vCES

- ნვ.

- ნვ.

1

mA

v- ნვ.გენერალური საწარმოები- ნვ.= 0V,- ნვ.vcკალენდარი=- ნვ.vCES- ნვ.,- ნვ.t- ნვ.შემთხვევა- ნვ.=125 °C

- ნვ.

- ნვ.

30

mA

v- ნვ.გენერალური საწარმოები- ნვ.= 0V,- ნვ.vcკალენდარი=vCES- ნვ.,- ნვ.t- ნვ.შემთხვევა- ნვ.=150 °C

- ნვ.

- ნვ.

50

mA

i- ნვ.გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გაჟონვა- ნვ.მიმდინარე

v- ნვ.გენერალური საწარმოები- ნვ.= ±20V,- ნვ.vcკალენდარი= 0V

- ნვ.

- ნვ.

1

μA

v- ნვ.გენერალური საწარმოები- ნვ.(TH)

ღობეების ზღვრული ძაბვა

i- ნვ.c- ნვ.= 40mA,- ნვ.v- ნვ.გენერალური საწარმოები- ნვ.=vc

5.50

6.10

7.00

v

- ნვ.

- ნვ.

vc- ნვ.(მჯდომარე)(*1)

კოლექტორ-გამომცემის სიმკვრივე- ნვ.ძაბვა

v- ნვ.გენერალური საწარმოები- ნვ.=15 ვოლტი,i- ნვ.C=- ნვ.500A

- ნვ.

2.40

2.90

v

v- ნვ.გენერალური საწარმოები- ნვ.=15 ვოლტი,i- ნვ.cკალენდარი= 500A,tvj- ნვ.=- ნვ.125- ნვ.°C

- ნვ.

2.95

3.40

v

v- ნვ.გენერალური საწარმოები- ნვ.=15 ვოლტი,i- ნვ.cკალენდარი= 500A,tvj- ნვ.=- ნვ.150- ნვ.°C

- ნვ.

3.10

3.60

v

i- ნვ.f

დიოდური წინასწარი დენი

dc

- ნვ.

500

- ნვ.

a

i- ნვ.FRM

დიოდის მაქსიმალური წინ- ნვ.მიმდინარე

t- ნვ.პ- ნვ.=- ნვ.1ms

- ნვ.

1000

- ნვ.

a

- ნვ.

- ნვ.

vf(*1)

- ნვ.

დიოდის წინამავალი ძაბვა

i- ნვ.f- ნვ.=- ნვ.500A

- ნვ.

2.10

2.60

v

i- ნვ.f- ნვ.= 500A,- ნვ.tvjკალენდარი=- ნვ.125 °C

- ნვ.

2.25

2.70

v

i- ნვ.f- ნვ.= 500A,- ნვ.tvjკალენდარი=- ნვ.150 °C

- ნვ.

2.25

2.70

v

cივ

შეყვანის სიმძლავრე

vc- ნვ.= 25 ვოლტი,- ნვ.v- ნვ.გენერალური საწარმოებიკალენდარი= 0V,f- ნვ.=- ნვ.1mhz

- ნვ.

90

- ნვ.

NF

qg

კარიბჭის გადასახადი

±15V

- ნვ.

9

- ნვ.

μC

cres

საპირისპირო გადაცემის შესაძლებლობაციტირება

vc- ნვ.= 25 ვოლტი,- ნვ.v- ნვ.გენერალური საწარმოებიკალენდარი= 0V,f- ნვ.=- ნვ.1mhz

- ნვ.

2

- ნვ.

NF

- ნვ.- ნვ.m

მოდული- ნვ.ინდუქტივობა

- ნვ.

- ნვ.

25

- ნვ.

nH

r- ნვ.INT

ტრანზიისტორის შიდა წინააღმდეგობა

- ნვ.

- ნვ.

310

- ნვ.

μΩ

- ნვ.

- ნვ.

i- ნვ.sc

მოკლემეტრაჟიანი- ნვ.დენი,- ნვ.isc

tvj- ნვ.=- ნვ.150°C,- ნვ.v- ნვ.CC- ნვ.= 2500 ვოლტი,- ნვ.v- ნვ.გენერალური საწარმოები- ნვ.≤15V,tპ- ნვ.≤10μs,

vc(მაქს)- ნვ.=- ნვ.vCES- ნვ.-- ნვ.- ნვ.(*2)- ნვ.×დი/dt,IEC- ნვ.6074-9

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

1800

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

a

ტდ (((გამოხურული)

გამორთვის დაგვიანების დრო

- ნვ.

- ნვ.

I C = 500A VCE = 1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH

V GE = ±15V RG ((ON) = 3.0Ω RG ((OFF) = 4.5Ω

- ნვ.

1720

- ნვ.

n

t f

შემოდგომის დრო

- ნვ.

520

- ნვ.

n

E OFF

გამორთვის ენერგიის დანაკარგი

- ნვ.

780

- ნვ.

mJ

თსს

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

650

- ნვ.

n

ტრ

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

260

- ნვ.

n

ეონ

ჩართვის ენერგიის დაკარგვა

- ნვ.

730

- ნვ.

mJ

კრრ

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის დატვირთვა

- ნვ.

I F = 500A

VCE =1800V

diF/dt =2100A/us

- ნვ.

390

- ნვ.

μC

I rr

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის მიმდინარე

- ნვ.

420

- ნვ.

a

ერეკი

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის ენერგია

- ნვ.

480

- ნვ.

mJ

(სიმბოლო)

(პარამეტრი)

(ტესტირების პირობები)

(მინიმენტი)

(ტიპი)

(მაქს)

(ერთეული)

ტდ (((გამოხურული)

გამორთვის დაგვიანების დრო

- ნვ.

- ნვ.

I C = 500A VCE = 1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG ((ON) = 3.0Ω RG ((OFF) = 4.5Ω

- ნვ.

1860

- ნვ.

n

t f

შემოდგომის დრო

- ნვ.

550

- ნვ.

n

E OFF

გამორთვის ენერგიის დანაკარგი

- ნვ.

900

- ნვ.

mJ

თსს

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

630

- ნვ.

n

ტრ

მოსვლის დროჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

280

- ნვ.

n

ეონ

ჩართვის ენერგიის დაკარგვა

- ნვ.

880

- ნვ.

mJ

კრრ

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის დატვირთვა

- ნვ.

I F = 500A

VCE =1800V

diF/dt =2100A/us

- ნვ.

620

- ნვ.

μC

I rr

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის მიმდინარე

- ნვ.

460

- ნვ.

a

ერეკი

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის ენერგია

- ნვ.

760

- ნვ.

mJ

(სიმბოლო)

(პარამეტრი)

(ტესტირების პირობები)

(მინიმენტი)

(ტიპი)

(მაქს)

(ერთეული)

ტდ (((გამოხურული)

გამორთვის დაგვიანების დრო

- ნვ.

- ნვ.

I C = 500A VCE = 1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG ((ON) = 3.0Ω RG ((OFF) = 4.5Ω

- ნვ.

1920

- ნვ.

n

t f

 დროის დაცემა

- ნვ.

560

- ნვ.

n

E OFF

გამორთვის ენერგიის დანაკარგი

- ნვ.

1020

- ნვ.

mJ

თსს

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

620

- ნვ.

n

ტრ

 ზრდის დრო

- ნვ.

280

- ნვ.

n

ეონ

ჩართვის ენერგიის დაკარგვა

- ნვ.

930

- ნვ.

mJ

კრრ

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის დატვირთვა

- ნვ.

I F = 500A

VCE =1800V

diF/dt =2100A/us

- ნვ.

720

- ნვ.

μC

I rr

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის მიმდინარე

- ნვ.

490

- ნვ.

a

ერეკი

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის ენერგია

- ნვ.

900

- ნვ.

mJ