მაღალი სიხშირის თირისტორი

I T(AV)

1260ა

V DRM V RRM

1200V 1400V

Tq

12~28μs

სიმბოლო

მახასიათებლები

გამოცდის პირობები

Tj( °C )

ღირებულება

UNIT

მნ

ტიპი

მაქს

IT(AV)

საშუალო ჩართული მიმდინარე

180° ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz ორმხრივი გაგრილება,

TC=55 。C

125

1260

ა

VDRM VRRM

განმეორებითი პიკი გამორთული ძაბვა განმეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა

tp=10ms

125

1100

1400

V

ირმ ირმ

გამეორებითი პიკის გარეთ მიმდინარე გამეორებითი პიკის საპირისპირო მიმდინარე

VDRM-ზე VRRM-ზე

125

80

mA

ITSM

სერჟი ჩართული მიმდინარე

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0.6VRRM

125

16.3

KA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

1328

A2s*103

VTO

საფეხური ძაბვა

125

1.65

V

რტ

ჩართვის მდგომარეობის სლოპის წინააღმდეგობა

0.36

mΩ

VTM

პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

ITM=2400A, F=24kN

25

3.20

V

dv/dt

გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μS

di/dt

ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM= 67% VDRM, 2000A-მდე

გეითის პულსი tr ≤0.5μs IGM=1.5A

125

1500

A/μS

კრრ

აღდგენის გადასახადი

ITM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

125

87

100

µC

Tq

სქემის კომუტირებული გამორთვის დრო

ITM=1000A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs

125

12

28

µs

IGT

კარის ტრიგერის მიმდინარე

VA=12V, IA=1A

25

30

250

mA

Vgt

კარების ტრიგერის ძაბვა

0.8

3.0

V

IH

შენარჩუნების მიმდინარე

20

400

mA

IL

ჩაკეტვის მიმდინარე

500

mA

VGD

არატრიგერის კარების ძაბვა

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

1800 sin, ორმაგი მხრიდან გაგრილებული Clamping ძალა 24kN

0.020

。C /W

Rth(c-h)

თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამათბობელზე

0.005

FM

მონტაჟის ძალა

19

26

კნ

Tvj

ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

125

。C

TSTG

შენახვის ტემპერატურა

-40

140

。C

Wt

წონა

440

g

კონტური

KT50cT